TRABAJO DE NATERIALES PNP Y NPN POR ELIOT MARTINEZ CHAVEZ 4IV9

1. Materiales PNP Y NPN
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras
dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), según corresponda.se usan para construir
transistores de unión bipolar, al aplicar una tensión entre la base y el
emisor, el transistor se activa, para que esto suceda en un BJT NPN el polo
positivo de la fuente de tensión o corriente debe estar conectado a la
base, para activar un transistor PNP, el negativo debe estar conectado a la
base.
Especificaciones
Basicamente al hablar de caracteristicas, por ejemplo un diodo (al igual q
transistores etc etc) esta construido de material semiconductor que son
los q poseen 4 electrones de valencia, de ahi su caracteristica de
semiconductor. Al formar un cristal estos atomos, pueden ser de carbono,
silicio o germanio completan su ultimo orbital (regla del octeto).
Ahora al hablar de materiales N y materiales P se refiere al cristal
semiconductor dopado con otro material trivalente (3 electrones de
valencia) o pentavalente (5 electrones de valencia) de acuerdo a lo q se
quiera formar. Al doparlo conmaterial trivalente se obtiene un material
tipo P (se refiere a q posee cargas "positivas", digo positiva al hecho de q
como el silicio o germanio tienen 4 electrones d valencia al agregarle 3, al
recombinarse queda un hueco libre). Pasa lo contrario al agregarle
pentavalente, en este caso sobra un electron y forma unmaterial N (por
carga negativa).
Eliot corp 4iv9