practica de transistores

1. Pre-Laboratorio
Transistor 2N3050:
El 2N3055 es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de
propósito general. Fue introducido en la década de 1960 por la firma
estadounidense RCA usando el proceso hometaxial para transistores de
potencia, que luego paso a una base epitaxial en la década de 1970. Su
numeración sigue el estándar JEDEC. Es un transistor de potencia muy
utilizado en una gran variedad de aplicaciones.
ESPECIFICACIONES: Las características exactas del transistor dependen del
fabricante, aunque las características típicas del dispositivo pueden ser las
siguientes:
Fabricante Vcbe Ic PD hfe fT
ON-Semiconductor 60V 15A 115W 20-70 2.5 MHz
El encapsulado de este transistor es del estilo TO-3
2N3055. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio
PARTES QUE LO COMPONEN:
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de
diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos
regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia,
conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este
es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en
diversos aparatos electrónicos.
CARACTERISTICAS:
 Polaridad (N-P-N)
 Transistor [Amplificador|[amplificador]] de potencia de audio
 Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
 De colector a base (CBO) 100 Voltios
 De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
 De emisor a base (EBO) 7 Voltios
 Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45
 Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)
DIAGRAMA:

2. TRANSISTORES EQUIVALENTES:
2N3055-1, 2N3055-2, 2N3055-3, 2N3055-4, 2N3055-5, 2N3055-9, 2N3055-10,
2N3055A, 2N3055AH, 2N3055H, 2N3055S, 2N3055SD, 2N3055UB.
USO:
 La radio
 Televisión
 Equipos electrónicos de medicina
 Amplificadores de alta potencia
 Fuente estabilizadora de Voltaje
Transistor IRFZ44N:
MOSFET IRFZ44N. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–
Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee
destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de
conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
DESCRIPCION:
Este tipo de componente es fabricado por la International Rectifier entre otros
fabricantes que más adelante detallaremos, utiliza técnicas avanzadas de
procesamiento para lograr muy baja resistencia por área de silicio. Este
beneficio, combinado con la velocidad de conmutación y su diseño solido de
dispositivos de los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al diseñador una
extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia
variedad de aplicaciones.
El encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes
e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de
alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo
del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la
industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los
mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la
figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna.
Principales características
Características Valor
Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) 55V
Corriente de Drenador (ID) 49 A

3. Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) 0.032Ω Máx
Potencia Total de Disipación ( PD) 94W
Fabricantes
Fabricantes Logo
NXP Semiconductors
150px
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International Rectifier
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150px
TRANSYS Electronics Limited
150px
150px
Suntac Electronic Corp.
Inchange Semiconductor Company Limited
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
 Inversores
 Fuentes conmutadas
 Equipos de computo
 Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)
Enlaces externos
 neoteo.com

4. PRACTICA 3 LABORATORIO
DADO EL SIGUIENTE CIRCUITO
1) Valores de voltaje y corriente en la carga
Ic=Vc/Pc
Ic=12/3
Ic=4A
Corriente en la base:
Ib= Ic/β β=29
Ib=4/29
Ib=138ma
R1= (12v-0.7v)/138mA
R1= 81.88 Ω
Se aproxima a 100 Ω

5. Dad el siguientecircuitodetermine:
Voltaje y corriente de la carga:
V= 12.5 v
I= 26.7 mA
Voltaje y corriente de la base:
V= 0.64 v
I= 7.1mA
V y I en el diodo:
V= 12.4 v
I= 29.8 mA
La grafica en el oscilograma se muestra como una línea continua

6. Practica con irfz44N:
V y I en la carga:
V= 12.4 v
I= 220 mA
V y I en el gatillo.
V= 10.5 v
I= 27.7 mA