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Los transistores
1. INGENIERÍA DE SISTEMAS
E INFORMÁTICA
IV CICLO
FÍSICA ELECTRÓNICA
LOS TRANSISTORES
CARACTERÍSTICAS
PROFESOR: PRESENTADO POR:
JUAN MENDOZA NOLORBE VICTOR J. GONZALES
2. INTRODUCCIÓN
Y que es un transistor?
Pues es un componente electrónico que amplifica,
conmuta o rectifica señales eléctricas y es la base de
todo microprocesador. Con ellos se modifican las
señales eléctricas con las que funciona el pc para
obtener los resultados deseados mediante cálculos
matemáticos.
3. TRANSISTOR STANDAR (1) TIP41C
Símbolo del
Valor
parámetro
TIP41: 40V
VCBO
TIP41C: 100V
TIP41: 40V
VCEO
TIP41C: 100V
VEBO 5V Marca:
WXDH
IC 6.0A
Lugar del origen: China (continente)
Pbebé(Ta=25°c) 2.0W
Pbebé(Tc=25°c) 65W
TJ - 55~150°c
Tstg - 55~150°c
(1) http://spanish.alibaba.com/product-gs/transistor-tip41c-335279861.html
5. CDCM7005 Características (3)
Alto rendimiento LVPECL y sincronizador del reloj de LVCMOS PLL
Dos entradas de reloj de referencia (reloj primario y secundario) para la
ayuda de la redundancia con la selección manual o automática
Acepta frecuencias de la entrada de LVCMOS hasta 200 megaciclos
El reloj de VCXO_IN se sincroniza a uno de los dos relojes de referencia
Frecuencias de VCXO_IN hasta 2.2 gigahertz (LVPECL)
Las salidas pueden ser una combinación de LVPECL y de LVCMOS (hasta
cinco salidas diferenciadas de LVPECL o hasta 10 salidas de LVCMOS)
La frecuencia de la salida es seleccionable por x1, /2, /3, /4, /6, /8, /16 en
cada salida individualmente
Limpieza eficiente de la inquietud de la anchura de banda baja del lazo de
PLL
Base baja del ruido PLL de la fase
Fase programable compensada (PRI_REF y SEC_REF a las salidas) Alto rendimiento, ruido bajo
Gama actual ancha de la bomba de carga a partir del µA el 200 a 3 mA de la fase, sincronizador
Fuente dedicada de la bomba de carga (VCC_CP) para la gama de oblicuo bajo del reloj que
adaptación ancha VCOs del voltaje sincroniza el reloj de la
Bomba de carga de las precolocaciones a VCC_CP/2 para el ajuste rápido referencia a VCXO
de la frecuencia central VC (X) de O
Indicación análoga y de Digitaces PLL de la cerradura
Proporciona el voltaje de polarización de VBB hecho salir para las señales
de entrada asimétricas (VCXO_IN)
Salidas de ciclo inicial de las fuerzas de control LVPECL a 3-State en VCc <
1.5 V
fuente de alimentación 3.3-V
Empaquetado en 64-Pin BGA (echada de 0.8 milímetros - ZVA) o 48-Pin
QFN (RGZ)
(3) http://spanish.alibaba.com/product-gs/cdcm7005-284770876.html
6. JFET (Junction Field Effect Transistor)(4)
Tiene una resistencia de
entrada extremadamente
alta (casi 100MΩ).
No tiene un voltaje de unión
cuando se utiliza como
conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es
inmune a la radiación.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para
proporcionar una mayor
estabilidad térmica.
(4)http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
7. El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor) (5)
Es una compuerta que permite habilitar y
deshabilitar el paso de la corriente a través
de un circuito. Si el CPU requiere de Energía,
el MOSFET permite a la corriente fluir a
través del circuito. Y viceversa el MOSFET
puede detener el flujo de corriente si esta no
es necesaria. Si el MOSFET se encuentra en
un estado de encendido, entonces la
corriente fluirá hasta el siguiente
componente llamado choque. Un choque es
un inductor que almacena la energía y regula
la corriente. Las bobinas en los choques
ayudan a prevenir la interferencia
electromagnética (EMI) y la interferencia en
la frecuencia de radio (RFI) proveniente de la
fuente de poder previniendo que interfiera
con el circuito eléctrico.
(5) http://www.taringa.net/posts/apuntes-y-monografias/1405343/Partes-fundamentales-e-ignoradas-de-
la-reparacion-de-computa.html
8. Fototransistor (6)
Un fototransistor es igual a un transistor
común, con la diferencia que el primero
puede trabajar de 2 formas:
Como transistor normal con la corriente de
base Ib (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de
iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas
simultáneamente, aunque el fototransistor
se utiliza principalmente con el pin de la Longitud de onda
Material del espectro electromagnético
base sin conectar. rango (nm)
En el mercado se encuentran Silicio 190–1100
fototransistores tanto con conexión de Germanio 400–1700
base como sin ella y tanto en cápsulas Arseniuro de
plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) galio indú
800–2600
provistas de una lente. Sulfuro de
<1000–3500
plomo (II)
(6) http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor