1. FÍSICA
ELECTRÓNICA
TRANSISTORES
Profesor : Raúl Rojas Reátegui
Alumno : Salomé Solórzano Cóndor
Especialidad : Ingeniería de Sistemas

2. TRANSISTORES
 Función:
Los transistores amplifican corriente, por ejemplo
pueden ser usados para amplificar la pequeña
corriente de salida de un circuito integrado (IC)
lógico de tal forma que pueda manejar una
bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha
corriente.
Un transistor puede ser usado como un
interruptor (ya sea a la máxima corriente, o
encendido ON, o con ninguna corriente, o
apagado OFF) y como amplificador (siempre
conduciendo corriente).
La cantidad amplificada de corriente es llamada
ganancia de corriente, β o hFE.
Para información adicional por favor mira la
página Circuitos con Transistores (en inglés)

3. TIPOS DE TRANSISTORES
 Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y PNP,
con diferentes símbolos de circuito. Las letras hacen
referencia a las capas de material semiconductor
usado para construir el transistor. La mayoría de los
transistores usados hoy son NPN porque este es el
tipo más fácil de construir usando silicio. Si tú eres
novato en la electrónica es mejor que te inicies
aprendiendo cómo usar un transistor NPN.
 Los terminales son rotulados como base (B), colector
(C) y emisor (E).
 Un par Darlington consiste en un par de transistores,
o bien NPN o PNP, conectados juntos dentro de un
mismo encapsulado, para dar una ganancia de
corriente muy alta.
 Además de los transistores estándar (juntura bipolar),
existen los transistores de efecto de campo los que
son conocidos como FET (field effect transistor).
Tienen un símbolo de circuito distinto y su
funcionamiento y propiedades respecto del transistor
estándar también es bastante diferente.

4. SOLID STATE - 2N6660 - MOSFET, N
CH, 60V, 1.7A, TO-39
Fabricante:SOLID STATE
Referencia de fabricante:2N6660
Información del Producto:
 MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
 Transistor Polarity: N Channel
 Continuous Drain Current Id: 1.1A
 Drain Source Voltage Vds: 60V
 On Resistance Rds(on): 3ohm
 Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
 Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5V
 Power Dissipation Pd: 6.25W
 Operating Temperature Min: -55°C
 Operating Temperature Max: 150°C
 Transistor Case Style: TO-39
 No. of Pins: 3
 SVHC: No SVHC (19-Dec-2012)
 Ficha Técnica: http://www.farnell.com/datasheets/1512457.pdf

5. NTE ELECTRONICS - NTE312 - JFET, N
CHANNEL , -25V, TO-106
Fabricante:NTE ELECTRONICS
Referencia de fabricante: NTE312
Información del Producto:
 JFET, N CHANNEL , -25V, TO-106
 Transistor Type: JFET
 Breakdown Voltage Vbr: -30V
 Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 5mA
 Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 15mA
 Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6V
 Power Dissipation Pd: 360mW
 Operating Temperature Min: -55°C
 Operating Temperature Max: 125°C
 Transistor Case Style: TO-92
 No. of Pins: 3
 Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5mA to 15mA
 Ficha Técnica:
http://www.nteinc.com/specs/300to399/pdf/nte312.pdf

6. NXP - PMBTA42 -
TRANSISTOR, NPN, SOT-23
Fabricante:NXP
Referencia de fabricante: PMBTA42
Información del Producto:
 TRANSISTOR, NPN, SOT-23
 Transistor Polarity: NPN
 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V
 Power Dissipation Pd: 250mW
 DC Collector Current: 100mA
 DC Current Gain hFE: 40
 Operating Temperature Min: -65°C
 Operating Temperature Max: 150°C
 Transistor Case Style: SOT-23
 No. of Pins: 3
 MSL: MSL 1 - Unlimited
 SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
 Collector Emitter Voltage Vces: 500mV
 Current Ic @ Vce Sat: 20A
 Current Ic Continuous a Max: 100mA
 Current Ic hFE: 10mA
 Gain Bandwidth ft Typ: 50MHz
 Hfe Min: 40
 Operating Temperature Range: -65°C to +150°C
 Package / Case: SOT-23
 Peak Current Icm: 0.2A
 Power Dissipation Ptot Max: 250mW
 SMD Marking: 1D
 Termination Type: SMD
 Ficha Técnica: http://www.farnell.com/datasheets/680372.pdf

7. ON SEMICONDUCTOR - NGTB50N60FLWG -
IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
Fabricante:ON SEMICONDUCTOR
Referencia de fabricante: NGTB50N60FLWG
Información del Producto:
 IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
 Transistor Type: IGBT
 DC Collector Current: 100A
 Collector Emitter Voltage Vces: 1.65V
 Power Dissipation Pd: 223W
 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V
 Operating Temperature Min: -55°C
 Operating Temperature Max: 150°C
 Transistor Case Style: TO-247
 No. of Pins: 3
 MSL: (Not Applicable)
 SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
 Ficha Técnica: http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NGTB50N60FLW-
D.PDF

8. STMICROELECTRONICS - STP120NF10
- MOSFET, N
Fabricante: ST MICROELECTRONICS
Referencia de fabricante:STP120NF10
Información del Producto:
 MOSFET, N
 Transistor Polarity: N Channel
 Continuous Drain Current Id: 110A
 Drain Source Voltage Vds: 100V
 On Resistance Rds(on): 9mohm
 Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
 Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
 Power Dissipation Pd: 312W
 Operating Temperature Min: -55°C
 Operating Temperature Max: 175°C
 Transistor Case Style: TO-220
 No. of Pins: 3
 MSL: (Not Applicable)
 SVHC: No SVHC (19-Dec-2012)
 Current Id Max: 110A
 On State resistance @ Vgs = 10V: 10.5mohm
 Operating Temperature Range: -55°C to +175°C
 Package / Case: TO-220
 Termination Type: Through Hole
 Voltage Vds Typ: 100V
 Voltage Vgs Max: 4V
 Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
 Ficha Técnica: http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00003356.pdf