El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo semiconductor que controla el flujo de corriente a través de un canal semiconductor aplicando un campo eléctrico perpendicular. Tiene muy alta impedancia de entrada, buena inmunidad al ruido y no requiere tensión de umbral. Algunas ventajas del JFET sobre el transistor bipolar son su menor tamaño, que es un dispositivo unipolar y que está menos afectado por ruido.
DISEÑO DE ESTRATEGIAS EN MOMENTOS DE INCERTIDUMBRE
Fet
1.
2. Es un dispositivo semiconductor que
controla un flujo de corriente por un
canal semiconductor, aplicando un
campo eléctrico perpendicular a la
trayectoria de la corriente.
Junction Field-Effect Transistor, en
español transistor de efecto de campo de
unión
3. -Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de
carga (portadores mayoritarios)
-Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el
bipolar (grandes ventajas para aplicaciones de
microelectrónica)
-Gran impedancia de entrada
-Menos afectado que el BJT por diferentes fuentes de
ruido
- Carece de tensión umbral (JFET y MOSFET
empobrecido)
CARACTERÍSTICAS
4. - Tiene muy alta impedancia de entrada
( 108 ohm.)
-Tiene muy buena inmunidad al ruido.
- No requiere tensión de umbral
(arranque), que lo hace excelente en
muy bajas señales.
VENTAJAS CON RESPECTO AL
TRANSISTOR BIPOLAR
5. - Tiene menor producto Ganancia x Ancho de
banda con respecto al transistor bipolar. De fábrica
cada amplificador tiene un producto
Ganancia x Ancho de Banda = Cte.
- Se requiere gran precaución en el manipuleo,
porque las cargas electrostáticas lo
destruyen, aunque vienen con protección interna.
DESVENTAJAS
6. G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
SIMBOLOGIA