MBZ

1. TRANSISTORES
FICHAS TÉCNICAS
NOMBRE : MANUEL SILVESTRE BENITO ZEBALLOS
CICLO : V
ODE : CAJAMARCA
INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
FÍSICA ELECTRÓNICA

2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario.

3. TRANSISTOR JFET
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada,
reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo
eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva
cara

5. TRANSISTOR MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas ,es el transistor más
utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

7. TRANSISTOR IGBT
Es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y
cocina de inducción.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un
bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos
15 V.

9. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función
de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del
canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en
este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

13. TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos)
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

17. BIBLIOGRAFÍA:
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335