3. En inglésde field
effect transistor
Dispositivo de tres
terminales
Utilizado para
aplicaciones diversas
semejantes
A las del
transistor BJT
FET
INTRODUCCION
TransistorDe efecto
de campo
4.
5. • BJT es un dispositivo controlado por
corriente.
• Dispositivo bipolar (2 portadores de
carga; electrones, y los huecos).
• FETes un dispositivocontrolado por
voltaje.
• Dispositivo unipolar.
DIFERENCIAS
FET-BJT
6. CARACTERISTICAS
Es una gran
impedancia de
entrada
La variación en la corriente
de salida es menor que la
producida por BJT
Son más estables a
la temperatura que
los BJT
Es inmune a la
radiación hasta
cierto punto.
Puede operarse para
proporcionar mayor
estabilidad térmica
Es menos ruidoso que otros
transistores..
Por lo general son más
pequeños que los BJT
Las características de
construcción los pueden
hacer más sensibles al
manejo.
