Este documento presenta nueve problemas relacionados con el análisis y diseño de circuitos con transistores JFET. Los problemas cubren temas como el cálculo de la resistencia variable del dispositivo RDS, el diseño de circuitos para lograr ciertos valores de corriente y tensión, y el análisis de circuitos con múltiples transistores JFET. Las soluciones proporcionadas incluyen ecuaciones, valores numéricos y gráficos.

1. 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN
(/(75Ï1,$%È6,$
241$.'/#5
FGVTCPUKUVQTGU('6

2. ','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6
(/(75Ï1,$%È6,$
3UREOHPD
D

3. Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión
en el dispositivo se denomina Y, y la corriente a través de él se denomina L,
demostrar que:
L N 9 Y Y ,
Y
9
Y
9S '66
S SW
˜ ˜
§
©
¨¨
·
¹
¸¸
§
©
¨¨
·
¹
¸¸
ª
¬
«
«
º
¼
»
»

4. , para ( @ Y@ 9S

5. '66S
,9NL ˜
, para YJ 9S

6. E

7. Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del
transistor JFET está estrangulado.
6ROXFLyQ E

8. R'6 f
3UREOHPD
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por
tensión cuya característica de transferencia sea prácticamente lineal, para lo cual se
aplica al dispositivo una tensión VDS
pequeña. Demostrar que el valor de la resistencia
variable del dispositivo rDS
es:
¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§
¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§
˜˜
S
*6
S
S
'
'6
'6
9
9
9.
9
,
9
U
Hallar el rango de valores de rDS
que se obtienen variando VGS
desde 0 hasta 0.9Vp
,
suponiendo que Vp
=-4V e K=1mA/V2
.
6ROXFLyQ N: d 5'6 d N:

9. 3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de RD
, RS
, RG1
y RG2
de forma que el valor de la
corriente de drenador sea ID
=IDSS
/2 y que la tensión en RD
, RS
y entre los terminales
drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que IDSS
=8mA, Vp
=-2V
y que la corriente a través del divisor de tensión es de 1PA.
VDD= 15V
RG2 RS
RG1 RD
6ROXFLyQ 5' N:56 N:5* 0:5* 0:
3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de RD
, R1
y R2
, de forma que VDS
=6V, VA
=1V,
RA
=R1
// R2
= 54.5k:, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del
transistor JFET canal n son IDSS
=10mA y Vp
=-3.8V, y que en el circuito VDD
=15V,
RS
=1k: y R3
=3.3M:.
VDD
R2 RS
R1 RD
R3
A
6ROXFLyQ 5' N:5 N:5 N:

10. 3UREOHPD
Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas características se
muestran en la figura F1
, en el punto de trabajo VGS
=-1.5V, VDS
=6V.
D

11. Hallar el valor de RD
, RS
, RG1
y RG2
, sabiendo que RG
=RG1
// RG2
= 90k: y que
VG
=1.5V.
E

12. Trazar la recta de carga estática, indicando el valor de su pendiente.
VDD= 15V
RG2 RS
RG1 RD
9$ 9

13. , P$

14. VGS= -1.0V
VGS= -0.5V
VGS= -2.0V
VGS= -1.5V
figura F1
6ROXFLyQ D

15. 5' N:56 N:5* N:5* N:
3UREOHPD
D

16. En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos
parámetros característicos son Vp
=-5V e IDSS
=12mA. Hallar el valor de ID
y VDS
teniendo en cuenta que VDD
=18V, RS
=2k:, RD
=2k:, RG1
=400k:, RG2
=90k:.
E

17. Si se cambia la resistencia RG2
, ¿cuál debe ser el nuevo valor de RG2
si ID
=8mA?
F

18. Con los mismos valores dados para al apartado D

19. , pero cambiando el valor de VDD
,
hallar el nuevo valor que debe tomar para que ID
=8mA. ¿Cuál es el nuevo valor de
VDS
?
G

20. El circuito del apartado D

21. se emplea para obtener una corriente de drenador
ID
=2.5mA y una tensión drenador-fuente VDS
=17.5V con una fuente de tensión
VDD
=30V. Hallar el valor de RG1
, RG2
y RD
teniendo en cuenta que RG
=RG1
// RG2
t
100k: y RS
=1.2k:.
VDD
RG2 RS
RG1 RD
6ROXFLyQ D

22. ,' P$9'6 9E

23. 5* N:F

24. VDD
=82.116V. VDS
=50.116VG

25. 5' N:

26. 5* 0:5* N:
3UREOHPD
En el circuito de la figura, VDD
=15V, VSS
=-9V, RG
=100k:, RD
=3.3k: y RS
=6.8k:, y los
parámetros característicos del transistor JFET de canal n, son IDSS
=5mA y Vp
=-6V.
Hallar:
D

27. Valor de V0
si VGG
=0V.
E

28. Valor de V0
si VGG
=5V.
F

29. Valor de VGG
para que V0
=0V.
VDD
RD
RG
RS
VSS
VGG
VO
6ROXFLyQ D

30. 92 9 E

31. 92 9 F

32. 9** 9
3UREOHPD
El transistor de la figura es un JFET canal p con IDSS
=1mA y Vp
=1V. Determinar el valor
de la tensión de drenador VD
, teniendo en cuenta que VDD
=-12V, RD
=47k:, RS1
=5.6K:,
RS2
=3.3k: y RG
=1M:.
VDD
RD
RG RS1
RS2
6ROXFLyQ 9' 9

33. 3UREOHPD
Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q1
y Q2
estén trabajando en
modo activo, es necesario que se cumpla que:
,'56 J_9S_
9'','5' J _9S_
Asumiendo que los parámetros característicos de los transistores JFET canal n Q1
y Q2
son idénticos, y que VDD
=10V, |Vp
|=2V e IDSS
=4mA, hallar el valor de RS
y RD
de forma
que:
D

34. VDG1
=|Vp
| y VDG2
=2|Vp
|.
E

35. VDG1
=1.5|Vp
| y VDG2
=1.5|Vp
|.
VDD
RD
RS
Q2
Q1
6ROXFLyQ D

36. 5' N:56 N: E

37. 5' N:56 N: