Propositos del comportamiento de fases y aplicaciones
Caracteristicas del fet 2018 i (1)
1. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA EE443 M
2018 I
LABORATORIO DE ELECTRONICA III EE443 M
EE 443-M
TEMA : CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO DEL JFET
1
LABORATORIO Nº 4
TEMA: CARACTERISTICACUADRATICA DEL FET
El Informe previo es impreso y personal
INTRODUCCION.-
Los transistores efecto de campo, (FET) son componentes unipolares debido a
que su acción solo depende de un tipo de portador de carga. Los FET pueden
ser del tipo unión (JFET) y el tipo de oxido metálico semiconductor (
MOSFET).Podemos citar entre las características del FET, las más saltantes que
la corriente de drenaje DI está controlada por el voltaje de compuerta de fuente
GSV ., mientras que el transistor bipolar la corriente de colector está controlada
por la corriente de base.
Informe previo
Responda las siguientes preguntas:
1.- El canal de un JFET se puede restringir hasta que la corriente de drenaje se corta al
incrementar la polarización ----------------------------(directa, inversa) en la compuerta o la
fuente.
2.-En un JFET de canal P el material semiconductor de la compuerta es-----------(P, N).
3.-La máxima corriente de drenaje segura, DSSI , se obtiene cuando la --------------esta
en cortocircuito a la fuente.
4.-El voltaje de drenaje máximo en el que un JFET se puede operar con seguridad,
cuando GSV = 0, se denomina --------------------------.
5.-El voltaje de estrangulamiento, pV , es el voltaje en el drenaje al cual la corriente esta-
-----------------------..(estabilizada , cortada).
6.-En el intervalo cuando pV DSV máximo, DI permanece-------------------------------.
7.-Cuando GSV = - pV , DI es--------------------------------
8.-Las curvas características del drenaje de un transistor unipolar corresponden a las
curvas características del colector de un transistor bipolar ---------------------( V, F)
9.-La curva característica del drenaje muestra como --------------varia con---------------,
cuando permanece constante.
10.-La impedancia de entrada de un amplificador con FET es muy -----------------…….
11.- Explicar teóricamente un método para determinar experimentalmente Vp.
12.- Explicar teóricamente un método para determinar DSSI
13.-Mencione ventajas y desventajas del JFET vs BJT
Materiales
Fuente de alimentación: Dos fuentes de voltaje
Multímetro digital, miliamperímetro de 0 a 10 mA.
Semiconductores: JFET de canal N 2N5484 o equivalente.
Compuerta en corto circuito con la fuente, GSV = 0
2. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA EE443 M
2018 I
LABORATORIO DE ELECTRONICA III EE443 M
EE 443-M
TEMA : CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO DEL JFET
2
1. Conecte el circuito de la figura N°1, con S1 abierto. Remueva GGV y
ponga en cortocircuito la compuerta a tierra.
2. Establezca la salida de DDV en 0V; cierre S1. Mida y registre en la Tabla
1 la corriente de drenaje, DI , para DSV = 0 , GSV = 0.
3. Incrementar la salida de DDV a DSV = 0.5 V. Mida y registre en la Tabla
N°1 la corriente de drenaje, ID, para VDS=0.5V,VGS=0.
4. Haga que VDS adopte los valores que se listan en la tabla .Para cada
valor de VDS mida y registre en la Tabla 1, el valor de ID.
5. Abra S1. Remueva el cortocircuito entre la compuerta y tierra.
Nota, los datos d corriente y voltaje se toman por separado para no cargar
el circuito
Fig.N°1 Circuito experimental para determinar las características del drenaje del JFET canal N
Nota losdosinstrumentos NO se conectan en simultaneo .puede sustituir el JFET por otro siemprequeconozca susterminales
Tabla N° 1
S2
+
+
S1
VDD
.
M
0-10 mA
2N5484
..
V
VGG
2.0
11.0
VGS, V
15.0
3.0
-0.5 -1.0VDS
0.5
-1.75-0.25
ID,mA
4.5
1.5
7.0
3.5
-0.75
1.0
-2.5-1.5
13.0
0 -2.0-1.25
2.5
4.0
9.0
0
5.0
3. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA EE443 M
2018 I
LABORATORIO DE ELECTRONICA III EE443 M
EE 443-M
TEMA : CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO DEL JFET
3
Compuerta polarizada en inversa
1. Abra s1 y s2.
2. Haga VDD y VGG en 0 Voltios. Cierre s1 y s2. Encienda la fuente.
3. Ajuste VGG y haga que VGG mida -0.25V.Mantenerlo en ese valor para
los pasos 4 y 5.
4. Mida ID y registre su valor para VDS=0.
5. Incremente VDD para cada valor listado en la tabla. Para cada valor de
VDS mida y registre ID en la Tabla 1.
6. Reduzca VDD a cero Voltios. Incremente VGG a -0.5 V., manténgalo en
ese nivel para el siguiente paso.
7. Repita los pasos anteriores para cada valor de VDS listado en la Tabla
N°1.
8. Repita los pasos anteriores hasta que alcance la corriente de drenaje de
corte.
9. Apague la fuente.
Característica de transferencia
1. 1s y 2s están abiertos, fijar VDD en 15 V, VGG = -2.5 V.
2. Cierre 1s y 2s .Mantenga Vds constante en 15 V., mida y registre en la
Tabla N°2 los valores de ID para cada valor de VGS. Abra 1s ..
Tabla N° 2
VGSV , -2.5 -2.0 -1.75 -1.5 -1.25 -1.0 -0.75 -0.50 -0.25 -0
DI
, mA
3. Dibuje en papel milimetrado la familia de curvas características de drenaje
con los datos de la Tabla N°1. DSV es el eje horizontal, e DI el vertical.
Identifique cada curva característica por su valor GSV , identifique pV .
4. Dibuje por separado en papel milimetrado la característica de
transferencia con los datos de la Tabla N°2, GSV es el eje horizontal, e DI
el eje vertical.
5. Explique el procedimiento que se deberá usar para verificar con
experimentos que no hay corriente de compuerta en el intervalo en el cual
el JFET opera con normalidad.
6. Siguiendo el procedimiento, mida la corriente de compuerta, si hay, sobre
el intervalo de operación normal del JFET.
Responda las preguntas
1. A partir de sus gráficas, ¿Cuál es el valor de pV ? ¿Cómo identifica pV ?
2. A partir de las gráficas, ¿cuál es el valor de DSSI ?¿Para qué valores de
GSV y DS
V se define DSSI ?
4. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA EE443 M
2018 I
LABORATORIO DE ELECTRONICA III EE443 M
EE 443-M
TEMA : CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO DEL JFET
4
3. Con los datos de la Tabla N°1 y la familia de curvas características,
compare el nivel de corriente de drenaje para cada valor de GSV , en el
intervalo de DSV = 5 V a 15 V. ¿Cuáles son sus conclusiones?
4. ¿Su experimento indica que es más efectivo para controlar la corriente de
drenaje, DSV o GSV ?Explique con base en sus datos.
5. ¿En este experimento cual es el valor de gsV en el que la corriente, DI , se
corta? ¿Cómo se compara con pV ?
6. A partir de las curvas características de drenaje obtenidas de la Tabla
N°1, determine el valor de DI , para cada valor de GSV , en la Tabla N°2,
en DSV = 15 V., compare estos valores de DI , con los obtenidos en la
Tabla N°2. Explique cualquier diferencia.
7. Realice una autoevaluación
Expresando su opinión y la de su grupo de la manera más objetiva posible,
calificando con una nota del 1 al 10 su participación en la experiencia:
Participantesitem Hemos
trabajado
En equipo
Hemos trabajado
ordenadamente
Hemos
aprendido
Funciono
La
experiencia
Con que nota
calificarías a
tus compañeros
N° 1
N° 2
N° 3
N° 4