1. TRANSISTORES

2. MOSFET
 Es un tipo especial de transistor FET que tiene una
versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET
de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
 Una delgada capa de material aislante formada de
dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o
"sílica") es colocada del lado del semiconductor y una
capa de metal es colocada del lado de la compuerta
(GATE) (ver la figura)
 En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado
a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado
a la fuente (source) y al drenaje (drain)

5. JFET
 El JFET de canal n está constituido por una barra
de silicio de material semiconductor de tipo n con
dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados.
 Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y
puerta (gate).
 En la figura 1.10.a se describe un esquema de un
JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este
dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de
canal P
 La polarización de un JFET exige que las uniones
p-n estén inversamente polarizadas.