Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo de unión (JFET), transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y transistores de efecto de campo de metal-semiconductor (MESFET). Explica las características básicas de cada tipo de transistor, como su estructura, funcionamiento y curvas características. También incluye información sobre encapsulados comunes y ejemplos de transistores populares.

1. TRANSISTORES

2. Transistores de efecto
de campo de unión
JFET
Transistores de El transistor es un dispositivo Transistores de efecto de campo
efecto de campo compuesto de un material de metal-oxido-semiconductor
semiconductor que amplifica una
FET señal o abre o cierra un circuito.
Inventado en 1947 en Bell Labs,
MESFET
los transistores se han vuelto el
principal componente de todos los
circuitos digitales, incluidas las
computadoras. En la actualidad
los microprocesadores contienen
millones de transistores
Transistores Transistores de efecto de campo
bipolares de unión de metal-oxido-semiconductor
BJT MOSFET

3. ENCAPSULADO DE TRANSISTORES
ENCAPSULADO ENCAPSULADO
ENCAPSULADO
TO-126 (SOT-32) TO-220
TO-92
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
BD135 (NPN)
ENCAPSULADO BD136 (PNP) MJE13008 (NPN)
TO-3 IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)
2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)

4. Transistor PNP: zona
• BJT (Bipolar Junction Transistor) P, zona N y zona P
• Los transistores de unión
bipolares, son dispositivos de
estado sólido de tres terminales,
núcleo de circuitos de
conmutación y procesado de
señal.
BJT Transistor NPN: zona
N, zona P y zona N
• Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido
opuesto (Emisor, Base y Colector)
• En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
• La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base Colector
en inversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corriente inversa.
• En npn, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión
Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que
proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo
que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).

5. CURVA CARACTERÍSTICA
FET
SIMBOLOGÍA
CARACTERÍSTICAS
Son dispositivos de estado sólido
Tienen tres o cuatro terminales
Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un único tipo (o electrones ó huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarización
Son dispositivos gobernados por tensión
La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal)

6. DIFERENTES TIPOS DE TRANSISTORES FET

7. CURVA CARACTERÍSTICA
JFET
(Junction Field Effect Transistor)
SIMBOLOGÍA
CARACTERÍSTICAS
El transistor de efecto de campo de unión de canal N consiste en un canal
semiconductor de tipo N con contactos óhmicos en cada extremo , llamados
drenador y fuente (ó surtidor)
A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P
conectadas eléctricamente entre si y al terminal denominado puerta.
La unión PN entre puerta y el canal es similar a la unión PN de un diodo.
En las aplicaciones normales , esta unión debe estar polarizada inversamente.

8. CURVA CARACTERÍSTICA
MESFET
Metal Semiconductor Field Effect Transistors
ID VGS > 0
VGS = 0
VGS<0
SIMBOLOGÍA VDS
CARACTERÍSTICAS
Electrones con alta movilidad
Canal: semiconductor compuesto (ArGa)
Puerta: metal
Interfase puerta canal: unión Schottky
Dispositivos de alta velocidad
Funcionamiento similar a JFET

9. CURVA CARACTERÍSTICA
ID [mA]
MOSFET 4
VGS = 4,5V
VGS = 4V
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
SIMBOLOGÍA
CARACTERÍSTICAS
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática
de los dedos. A veces se integran diodos zener de protección.
Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.

10. Tipos de MOSFET