Diseño de un Modulador GFSK Integrado en Tecnología SiGe 0.35 µm de AMS

DISEÑO DE UN MODULADOR GFSK INTEGRADO
EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35µm de AMS

AUTOR: GUILLERMO PERDOMO REYES TUTORES: FRANCISCO JAVIER DEL PINO SUÁREZ

SISTEMAS DE TELECOMUNICACIÓN SUNIL LALCHAND KHEMCHANDANI

EUITT-ULPGC JULIO 2004

1. Introducción
2. Modulaciones Digitales
3. Estándares
Bloque I 4. ADS y las modulaciones de frecuencia
5. Tecnología de diseño
6. Objetivos del proyecto

7. Diseño del modulador

8. Layout del VCO
Bloque II

9. Integración en un sistema de comunicación

10. Conclusiones
Bloque III
11. Presupuesto


1.
INTRODUCCIÓN


2. MODULACIONES DIGITALES

MODULACIONES

Banda base: Señal transmitida en estado puro

Transmisión

Paso banda: Señal trasladada espectralmente

Señal
Señal modulada a
moduladora
transmitir

Señal
portadora



Parámetros de la señal digital

A 1 1
Rb = BW =
Tb Tb
Tb

A
1 1
RS = = = BW = VT
TS
TS n·Tb
T S =n· T b



Parámetros de la señal
digital modulada

Interferencia entre símbolos (IES) Ancho de banda del pulso

Jitter Fluctuaciones por distorsión y ruido del canal

nº de bits erróneos
Probabilidad de error ( P e ) Relaciona bits erróneos y bits recibidos Pe = BER =
n º bits emitidos

Rb
Eficacia espectral ( η) Relaciona el flujo binario y el ancho de banda ocupado η=
BW



CLASIFICACIÓN

Amplitud - ASK - MSK
- FSK
Frecuencia - GMSK
- π/4-DQPSK
- BPSK - FQPSK
- DBPSK
Fase - QPSK
- OQPSK - QAM
- PSK Mixtas
- MPSK - APSK



MODULACIONES DE FRECUENCIA
FSK
La frecuencia de la señal modulada varía con la amplitud de la señal
moduladora
t
π
s (t ) = A·cos[ wRF t + ∫ d (t ) ⋅ dt ]
−∞
2

Índice de modulación: Señal
RF

∆f
β=
fm Fase

Datos



FSK

Sus circuitos moduladores y demoduladores fácilmente
implementables

VCO

d (t) Am p s (t)

Modulador FSK no coherente

Am p
r (t) D is c r im in a d o r Am p d (t)
li m i t a d o r

Demodulador FSK no coherente



FSK

Características:
- Circuitería compleja
- Requiere dos señales de referencia

Demodulador FSK coherente



FSK

ESPECTRO
DETECCIÓN FSK: coherente y no coherente
FSK

Pe
DEE

Frec



FSK Multinivel

VCO

d (t) C o d if ic a d o r d e D AC s ( t)
2 a 4 n iv e le s

Modulador 4-FSK no coherente

r( t) Am p D i s c r im in a d o r AD C D e s c o d i f ic a d o r d ( t)

Demodulador 4-FSK no coherente



FSK

ESPECTRO 4-
Pe M-FSK
FSK
DEE

Pe

Frec



GMSK

Los datos son sometidos a un proceso de filtrado paso bajo

Filtro gaussiano Señal
VCO
RF
d(t) Amp s(t)

Fase
Modulador GMSK no coherente
Datos

Demodulador GMSK no coherente



Filtro Gausiano

Presenta una buena respuesta en el dominio del tiempo

2
1 t  1
−   − (τw ) 2
h(t ) = e 2 τ 
H ( w) = τ 2π e 2



Filtro Gaussiano

Ancho de banda relativo (BT)

BT = Ancho de banda × Tiempo de bit

IES para BT=0.5 IES para BT=0.25
BT=Infinito (MSK)
DEE

Amplitud Amplitud

BT=0.5
BT=0.2

tiempo( ns )
tiempo( ns )

BT=0.3 Frec


3. ESTÁNDARES

IEEE 802.11
- Banda de frecuencia: 2.4-2.4835 GHz

- Se compone: 78 canales de 1MHz de ancho
de banda

- Modulación: 2-GFSK a 1 Mbps.
4-GFSK a 2 Mbps.

- BT=0.5

- Utilizado: Transmisión de datos en general
BLUETOOT
- Banda de frecuencia:
H
2.4-2.4835 GHz

- Se compone: 78 canales

- Modulación: 2-GFSK. 432 Kbps en modo
bidireccional.
721 Kbps en modo asimétrico.

- Utilizado: Aplicaciones multimedia

4. ADS Y LAS MODULACIONES DE
FRECUENCIA

FSK y GFSK en ADS

V o
md Vu
ot

VL S _D
t R T
F VCO
VO
C R
SC
R 1 VO
C 1 - Kv: constante de sintonización
DT R1
- Freq: frecuencia del armónico
fundamental
- Rout: impedancia de salida
- Harmonics: amplitud relativa de
Modulador FSK armónicos

Filtro
v o _f
m d ilt V u il rd
ot t e
_fe
-Alpha: factor de caída del filtro
-SymbolRate: define el ancho de banda
L F a eC s
P _R is d o V O
C R -Gain: factor de ganancia
DT
LF
P1 V O
C 2 R2 -Zout: impedancia de salida
VL S _D
tF R T
S C
R 3

Modulador GFSK


FRECUENCIA

FSK y GFSK en ADS

V o
md Vu
ot 0

-0
2
VL S _D
t R T
F VO
C
SC
R 1 R
DT
VO
C 1 R1
-0
4

S e t m il rd
p cr _f ee
-0
6

S et m
t
u
p cr
-0
8

u
-0
10
Modulador FSK
-2
10

-4
10

-6
10
v o _f
m d ilt V u il rd
ot t e
_fe -0 -5 -0
2 0 10 10 -0
5 0 50 10
0 10
5 20
0
f qK z
r, H
e
L F a eC s
P _R is d o V O
C R
LF
P1 V O
C 2
DT R2 Señal FSK Señal
VL S _D
tF R T GFSK
S C
R 3
• Picos característicos de FSK
• Minimización de los lóbulos secundarios
Modulador GFSK


FRECUENCIA

FSK y GFSK en ADS

_DT V o
md Vu
ot

V O
C R
DT
V O
C 1 R1 0

-0
2
VL S _D
t R T
F
SC
R 2 -0
4

S e t m ilrd
DT -0
6

p c u _fee
t
S et m
pc u
r
-0
8

r
-0
10
Modulador 4-FSK
-2
10

-4
10
R T
_D V o _f
m d il
t V u_fee
o t il rd
t
-6
10
VO
C R
L F a eC s
P _R is d o

-0

-8

-6

-4

-2

-0

-0

-0

-0

-0

0

2

4

6

8

10

10

10

10

10

20
VO
C 2

20

10

10

10

8

4
10

10

6

2

0

0

0

2

6

0
0

0

4

8
DT LF
P1 R2
f qK z
r , H
e

VL S _D
tF R T
SC
R 5
Señal 4-FSK Señal 4-GFSK
DT

• Picos característicos de FSK
• Ensanchamiento del espectro
Modulador 4-GFSK • Minimización de los lóbulos secundarios


5. TECNOLOGÍA DE DISEÑO

S35D4 de Austria Mikro System

Transistor bipolar

Condensador

Transistor unipolar



Componentes

L
L
W

t

Metal 1

d Aislante

Metal 2

G
D/S Óxido

N+ N+ P+

Pozo N
SubstratoP-



Componentes

Puerta Drenador
Surtidor

Fox ----- Fox
-- -----
--

Pozo-p

Sustrato-p


6. Objetivos del proyecto

Objetivos

El objetivo de este proyecto es diseñar un Modulador GFSK integrado en tecnología SiGe de 0.35 µm de AMS

Elementos a diseñar:

- Un filtro gausiano.
- Un VCO.

Características de los elementos :

- Para el filtro gausiano:
BT=0.5. (según IEEE 802.11)
- Para el VCO:
Frecuencia de trabajo entre 2.4-2.5GHz.

Tecnología de diseño :

- S35D4 de Austria Mikro System.


DIAGRAMA DE FLUJO DEL DISEÑO

Diseño del
Modulador

Diseño a nivel de esquemático Diseño a nivel de layout

ADS CADENCE

Análisis
Diseño del filtro Realización del
Respuesta en Transitorio y
paso bajo layout del núcleo
frecuencia reglas de diseño
Gausiano del oscilador

Tensiones, Análisis Incorporación
Diseño del par Corrientes y Transitorio y
diferencial de la red de salida
Ganancia reglas de diseño

Estudio del circuito Estudio de la Incluimos
tanque configuración PADs y PD-Cs.

Diseño de la Simulaciones
red de salida
post-layout

Simulaciones a nivel
de esquemático


7. DISEÑO DEL MODULADOR

DISEÑO DEL FILTRO

R
N C1prototipo L2prototipo C3prototipo L4prototipo C5prototipo L= L prototipo
2 0.4738 2.1852
2π ⋅ f c
3 0.2624 0.8167 2.2262
4 0.1772 0.5302 0.9321 2.2450 1
C= C prototipo
5 0.1312 0.3896 0.6485 0.9782 2.5233 2π ⋅ R ⋅ f c

L2 L4
V in Vout
DATOS
C5
C1 C3 - BT =0.5

- f =250 KHz



DISEÑO DEL FILTRO

1
Tb = = 4 µs
- BT=0.5 250·103 C1 L2 C3 L4 C5

- f=250 KHz 3.14 nF 24.8 µH 16.5 nF 62.26 µH 57.36 nF
0.5
B= = 125 KHz
4·10 −6

0

-5
d ( ( ,1)

-0
1
BS2 )

-5
1

-0
2
-5
2

-0
3
0 50 10 1 0 20 20 3 0 30 40
0 5 0 5 0 5 0
f qK z
r , H
e

Respuesta en frecuencia del filtro


DISEÑO DEL VCO

Oscilador LC: Buenas prestaciones en radiofrecuencia.

1
f OSC =
Esquema básico de un Oscilador
2π LC

Condición de equilibrio o de Barkhausen

A(s)·β(s)=1

- La transconductancia GM debe compensar
la pérdidas del circuito tanque.

1
GM =
Esquema del oscilador LC con circuito RP
tanque y elementos parásitos


DISEÑO DEL VCO

Parámetros característicos del VCO:

- Constante de sintonización (K V ): mide la variación de frecuencia con respecto a la tensión de control

f 0 +∆ f /2
∆f
f0
KV =
f 0 -∆ f /2 ∆V
Vc
V c -∆ V /2 V c +∆ V /2

- Ruido de fase: mide el ruido generado por el oscilador, que se aglutina alrededor del armónico fundamental

Armónico
fundamental


DISEÑO DEL VCO

Diseño del amplificador de resistencia negativa:

1º Ecuación de amplificador diferencial

Vcc= VRL+VSAT2+ VSAT1 -∆Vout
2º Establecemos los valores de:

Vsat1, Vsat2 , ∆Vout e ID
3º Calculamos la transconductancia(g m )

2·I D
gm = AV = g m ·RL
VSAT

4º Dimensiones de los transistores (W y L)

1 W
ID = µnCOX (VGS −VT ) 2
2 L



Definimos: ∆Vout=1.5V
VSAT2= 0.3V
VRL=1 V
VSAT1= 0.5V Vcc= VRL+VSAT2+ VSAT1 -∆Vout
RL=500Ω
ID= 2 mA

2·I D g m1 = 16mS
gm = AV = g m2 ·RL = 6.65(16.45dB)
VSAT g m2 = 13.3mS

- Dimensiones de los transistores (ecuación del MOSFET en
saturación)
1 W
ID = µ nCOX (VGS − VT ) 2 L 1 (µm) 0.5
2 L W 2·I D W 1 (µm) 106.66
K N = µ nCOX = 2
L K N ·VSAT L 2 (µm) 0.5

VSAT = VGS − VT W 2 (µm) 148.14



DISEÑO DEL VCO

Simulación DC del par diferencial:

- .0 m
8 0 A
R
2 0m
.0 A
V C
_D
SC
R1 R
R6
2 0m
.0 A R7
R la
=Ro d
Simulación AC del par diferencial:
R la
=Ro d
2 0V
.3
Ganancia del par
2 0V
.3
diferencial
2 0V
.3
0A L
0A
V in s
m u V ls
pu 2 0V
.5 18
V C
_D L2 0A L 0A_D
V C

BA .V l - C m u )
d ( C p sA .V in s
L .0m
=1 H SC
R5
4mA SC
R6 L1
R= L .0m
=1 H 17
R=
I C
_D
SC
R4 2 0m
.0 A 2 0m
.0 A 16

0V

u
0A 0A - .5 p
3 9 A - .5 p
3 9 A 0A 0A
C C 15
0A C1 C2 0A _A
V C
SC
R3
V C C .0m
_A =1 F M -F TmM S
OS .0 _N O
2 0 A
E - .0 m T M
M 0FA _N OS
2O ES C .0m
=1 F
SC
R2 M FT
OS E 1 M SE4
O FT 14

13
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3
.6

4mA 4 0m
.0 A f qG z
r, H
e

4mA - m
4 A 0A 4 0m
.0 A

- OA E _N O
4m F
M S T M S M S .0 _N OS
O -F Tm
4 0 A
E M
M SE3
O FT M SE2
O FT



DISEÑO DEL VCO

Impedancia negativa del amplificador en par cruzado:

Modelo del par diferencial en pequeña señal
R
R
R7
R6

∆Vout R R
R2
1 R3
1

I C
_D I C
_D
S C
R 8 SC
R 9

M S E _N O
O FT M S M S E _N O
O FT M S
M SE7
O FT M SE1
O FT

1
Z =− = −75.018Ω
I C
_D
S C
R 7

gm

Par cruzado



DISEÑO DEL VCO
Dos
Configuración del circuito tanque: Una
bobinas bobina
Frecuencia Zin(Ω) Frecuencia Zin(Ω)
(GHz) (GHz)
R
L
L1
L
L2
R
R7 Características:
R
R
R8
R6 R9 2.0 222.6 2.0 -8.592
- Mayor resistencia
- Más pérdidas 2.1 -211.4 2.1 -9.720
- Ocupa más espacio
L
L3 2.2 200.7 2.2 -10.96
C C
C1 C2 2.3 190.7 2.3 12.33

2.4 181.2 2.4 13.84
R R
R
R7
R9
R8
Características:
2.5 172.3 2.5 15.52
- Menor resistencia
- Ocupa menos espacio 2.6 163.9 2.6 -17.37
L
L3
2.7 156.0 2.7 -19.41
C
C2
2.8 148.5 2.8 -21.68

2.9 -141.5 2.9 -24.21

3.0 134.9 3.0 -27.01



DISEÑO DEL VCO

Diseño de la red de salida (adaptada a 50 Ω):

Seguidor de fuente
V C
_D
Z out = 50Ω g m = 20mS
SC
R 3

R
R1 Fijamos una ID=2 mA VSAT= 0.2 V
I C
_D
SC
R 1 2·I D
Vin gm =
C
VSAT
C1
M9 MS
M_N O
MSE1
O FT

R Vout
R2
Ecuación de salida del seguidor

VCC=VSAT1+∆Vout+VSAT2 ∆Vout=2.9 V
M9 M S
M_N O M9 M S
M_N O
MSE2
O FT MSE3
O FT

Aplicando la ecuación en saturación del MOSFET : - L= 0.5 µm
- W= 333.33 µm
Red de polarización :
1 R1 = 10 KΩ
Z out = Si Ired= 30µA y VG=3V;
gm R2 = 100 KΩ


DISEÑO DEL VCO

Simulación a nivel de esquemático:

L R
L
R L2 R7
L1
R6
R
L R8 V C
_D
I C
_D L3 V C
_D S C
R 1
S C
R 4 I C
_D R S C
R 2
S C
R 3 R0
1

Simulaciones:
S D io e
D _D d S D io e
D _D d
C 1
R C 2
R

C - Transitorio
C1
C C

- Balance de armónicos
C2 C3
M S E _N O
O FT MS M S E _N O
O FT MS
M S E6
O FT M S E2
O FT

R
R M S E _N O
O FT MS M S E _N O
O FT MS
R9
R1
1 M S E7
O FT M S E1
O FT

M S E _N O M S E _N O M S E _N O
O FT MSO FT MSO FT MS M S E _N O
O FT MS M S E _N O
O FT MS
M S E9
O FT M S E8
O FT MS E5
O FT M S E4
O FT M S E3
O FT



DISEÑO DEL VCO
Análisis transitorio (formas de onda):

Señal en los drenadores del VCO Salida en modo asimétrico

Salida en modo diferencial



DISEÑO DEL VCO

Balance de armónicos:

L R
L
R L2 R7
L1
R6
R
L R8 V C
_D
I C
_D L3 V C
_D S C
R 1
S C
R 4 I C
_D R S C
R 2
S C
R 3 R0
1

S D io e
D _D d S D io e
D _D d
C 1
R C 2
R

C
C1
C C
C2 C3 O c ot
sP r
M S E _N O
O FT MS Oc
s1 M S E _N O
O FT MS
M S E6
O FT M S E2
O FT

R
R M S E _N O
O FT MS M S E _N O
O FT MS
R9
R1
1 M S E7
O FT M S E1
O FT

M S E _N O M S E _N O M S E _N O
O FT MSO FT MSO FT MS M S E _N O
O FT MS M S E _N O
O FT MS
M S E9
O FT M S E8
O FT MS E5
O FT M S E4
O FT M S E3
O FT



DISEÑO DEL VCO


Espectro del VCO Curva tensión-frecuencia

Ruido de fase Forma de onda de salida



DISEÑO DEL VCO

Parámetros:

Parámetro Valor Unidad
Tensión de alimentación 3.3 V

Tensión de salida 1.4 (2.8 en diferencial) Vpp
Tensión de control 0-3.3 V
Rango de oscilación 2.43-2.55 GHz
KV -36.72 MHz/V
100Hz -80

1KHz -90
Ruido de fase Offset dBc/Hz
10KHz -100
100KHz -110
1MHz -120
Zout 50 Ω


8. LAYOUT DEL VCO

NÚCLEO DEL VCO

Centroide Común: Técnica para evitar que las dispersiones del proceso afecten de forma exclusiva a una
parte del circuito.

- Variaciones en el espesor de la capa de óxido (capacidades parásitas
de los transistores)

Dispersiones del proceso- Variación en el número de impurezas (movilidad de los electrones)

- Variación del tamaño de los transistores (transconductancias, capacidades
parásitas)
Eje de simetría

A B A

Eje de simetría

Estructura en par cruzado acoplado

B A B

Distribución final del par cruzado

8. LAYOUT DEL VCO

AJUSTE DEL CIRCUITO
TANQUE

Afectan al VCO
El Aparición de elementos parásitos
reduciendo
layout
la frecuencia de
oscilación

Procedimiento Disminuyendo el valor capacitivo del tanque
habitual aumenta la frecuencia de oscilación

1
f osc =
2π LC
REAJUSTE DEL
TANQUE Debido al alto valor inductivo del tanque
(2 bobinas), el valor capacitivo resultante
es muy pequeño (fF).
Procedimiento
excepcional

Hay que reducir el valor inductivo de las bobinas


8. LAYOUT DEL VCO


8. LAYOUT DEL VCO

SIMULACIONES POST-
LAYOUT
Análisis transitorio (formas de onda):

Salida en modo asimétrico
diferencial


8. LAYOUT DEL VCO

SIMULACIONES POST-
LAYOUT
Curva tensión-frecuencia
(Hz)

Vtune


8. LAYOUT DEL VCO

SIMULACIONES POST-
LAYOUT
Balance de armónicos: Ruido de fase
(dBc/Hz)

Freq(Hz)

8. LAYOUT DEL VCO

SIMULACIONES POST-
LAYOUT

GHz Pushing

Vc
c


8. LAYOUT DEL VCO

SIMULACIONES POST-
LAYOUT
Pulling
MHz

rloa
d


8. LAYOUT DEL VCO

SIMULACIONES POST-
LAYOUT
Parámetros:

Parámetro Valor Unidad
Tensión de alimentación 3.3 V
Tensión de salida 1.8 Vpp
Tensión de control 0-3.3 V
Rango de oscilación 2.4-2.485 GHz
KV -35 MHz/V
100Hz -54

1KHz -73
Ruido de fase Offset 10KHz -94 dBc/Hz
100KHz -112
1MHz -135
Zout 50 Ω


9. INTEGRACIÓN EN UN SISTEMA DE
COMUNICACIÓN

Sistema MODEM

Demodulador

Modulador


9. INTEGRACIÓN EN UN SISTEMA DE
COMUNICACIÓN
Sistema MODEM

-0
2 -0
2
-0
2
-0
4 -0
4 -0
4
-0
6 -0
6 -0
6

-0
8 -0
8
F pc u 1

F pc u 2
-0
8

F pc u 2
Is et m

Is e t m

Is et m
r

r

r
-0
10 -0
10 -0
10

-2
10 -2
10 -2
10

-4
10 -4
10 -4
10

-6
10 -6
10 -6
10

-8
10 -8
10 -8
10
- .5
2 - .0
2 - .5
1 - .0
1 - .5
0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 - .5
2 - .0
2 - .5
1 - .0
1 - .5
0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 - .5
2 - .0
2 - .5
1 - .0
1 - .5
0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

f qM z
r, H
e f qM z
r, H
e f qM z
r, H
e


10. CONCLUSIONES

1ª El filtro gausiano no es integrable, por el elevado valor de sus componentes.

2ª Aunque la resistencia parásita asociada al tanque con dos bobinas es mayor,
esta estructura permite conseguir fácilmente la oscilación.

3ª El valor de la constante de sintonización (K V ) depende del punto en el que
nos encontremos de la curva tensión-frecuencia.

4ª En GFSK, el índice de modulación ( β) debe ser diferente de 0.5.


10. CONCLUSIONES

Parámetros:

Componentes del filtro paso bajo Gausiano
C1 L2 C3 L4 C5

3.15 nF 24.80 µH 16.50 nF 62.26 µH 57.36 nF

Resistencia
Amplificador Seguidor de
Diferencial polarización
Resistencia
de Carga(Ω) Par diferencial Fuente de Seguidor de Fuente de
corriente fuente corriente R1 R2
L(µm) W(µm) L(µm) W(µm) L(µm) W(µm) L(µm) W(µm) (kΩ) (kΩ)

EUITT-ULPGC
8000 0.75 120 0.75 150 0.65 1200 15 1100 15 JULIO 2004
120

10. CONCLUSIONES

Tabla comparativa:

Fabricante Vcc Icc Rango Ruido de Kv VTUNE
o (V) (mA) de Fase (MHz/V) (V) Comentarios
Tecnologí oscilació (dBc/Hz)
a n
(GHz)
MAX 2750 4.1 12.85 2.4-2.5 -125 125 0-2.4 Requiere
offset=4MHz condensadores
externos de acoplo
KR-LO-24 3.1 4.4 2.4-2.55 -120 - 0.62-0.48 -
offset=1MHz

CMOS 2.5 1.68 2.36-2.5 -123 136 1-1.5 Salida no adaptada
offset=600Hz a 50Ω
0.25µm
CMOS Totalmente
2.5 9 2.45-2.5 -118 625 2.5-1.5 integrado
0.8µm
offset=1MHz Salida no adaptada

CMOS 2.7 2 2.4-2.5 -125 100 1-2.7 No integra la
offset=1MHz bobina del circuito
0.35µm tanque
SiGe offset=600Hz -68 Totalmente
3.3 14 2.4-2.5 -35 0-3.3 integrado con
0.35µm offset=1MHz -135
salidas
offset=4MHz -145 adaptadas a
50Ω

11. PRESUPUESTO

Presupuesto detallado:

Total
Costes
(euros)

53.09
Costes de herramientas software
Costes de equipos informáticos
142.19

Costes de recursos humanos
48587.50
Costes de fabricación del prototipo 470.40

Otros costes 370.70

Subtotal 49623.88

IGIC(5%) 2481.19
52105.07
PRESUPUESTO TOTAL


Diseño de un Modulador GFSK Integrado en Tecnología SiGe 0.35 µm de AMS

Diseño de un Modulador GFSK Integrado en Tecnología SiGe 0.35 µm de AMS

Recomendados

Recomendados

Más contenido relacionado

Similar a Diseño de un Modulador GFSK Integrado en Tecnología SiGe 0.35 µm de AMS

Similar a Diseño de un Modulador GFSK Integrado en Tecnología SiGe 0.35 µm de AMS (20)

Más de RFIC-IUMA

Más de RFIC-IUMA (20)

Diseño de un Modulador GFSK Integrado en Tecnología SiGe 0.35 µm de AMS