Presentación del Trabajo Fin de Grado de Guillermo Ojeda, titulado Diseño de un Amplificador Integrado en configuración Doherty en tecnología GaN. Defendido el mes de julio de 2017 con mención en matrícula de honor.
Propositos del comportamiento de fases y aplicaciones
Presentación TFG - Roberto Rodríguez
1. Diseño de un amplificador integrado
en configuración Doherty en tecnología GaN
Universidad de
Las Palmas de Gran Canaria
Roberto Rodríguez Hernández
Grado en Ingeniería de Tecnologías de la Telecomunicación
Curso 2017/2018
Tutores:
Francisco Javier del Pino Suárez
Emilio Torres Armas
4. Nuevas aplicaciones
Coches autónomos
Realidad Virtual
Internet de las cosas
Aumento en datos
12x
4.2 petabytes
2016
50 petabytes
2021
Más dispositivos
5x
15.400 mill.
2015
75.400 mill.
2025
4
5. Menos latencia Más ancho de banda Mayor número de dispositivos
uRLLC eMMB mMTc
ultra-Reliable and Low Latency
Communications
enhanced Mobile Broadband
massive Machine Type
Communications
Hasta 20 Gbps1 ms
10 ms con 4G Hasta 1 Gbps con 4G Hasta 100k/km2 con 4G
Hasta 1 millón/km2
5G Servicios
5
6. sub 1 GHz
mMTC y uRLLC
3.4 – 3.8 GHz
eMMB
24.25 – 27 GHz
eMMB
5G Bandas de frecuencia
6
10. GaN Características
38
43
46 48 49
0
58
0
15
30
45
60
75
2008 2010 2012 2014 2015 2016
Eficiencia de semiconductor en estaciones base en 8 dB de back-off GaN
Silicio
10
12. GaN frente a GaAs
Mayor tiempo en el mercado
Gran variedad de dispositivos
Aplicaciones de alta frecuencia y baja figura de ruido
12
13. GaN frente a GaAs
GaAs GaN
Banda prohiba (eV) 1.4 3.4
Velocidad de saturación (cm/s) 2 · 107 2.7 · 107
Tensión de ruptura (V/cm) 5 · 105 4 · 106
Constante dieléctrica 1.28 9
Conductividad térmica (W/cm-K) 0.6 1.7
13
Tensión
Corriente
Densidad de potencia
Tamaño
Mayor ancho de banda
Eficiencia
Potencia
Ganancia
Temperatura
Frecuencia
15. GaN frente a SiC
GaN: High Electron Mobility Transistor (HEMT)
SiC: Metal-Semiconductor field-efecto transistor (MESFET)
Ventajas HEMT:
- Alta densidad de corriente
- Baja resistencia de canal
- Mayor densidad de potencia
- Menos pérdidas
- Mayor ancho de banda
15
41. Modelo de gran señal
TRL: 3-4
Modelo de pequeña señal
TRL: 1-2
Modelo de pequeña señal
TRL: 1-2
Modelo de gran señal
TRL: 1-2
Diseño Elección del transistor
41
42. Modelo de gran señal
TRL: 3-4
Modelo de pequeña señal
TRL: 1-2
Modelo de pequeña señal
TRL: 1-2
Modelo de gran señal
TRL: 1-2
Diseño Elección del transistor
42
43. Modelo de gran señal
TRL: 3-4
Modelo de pequeña señal
TRL: 1-2
Modelo de pequeña señal
TRL: 1-2
Modelo de gran señal
TRL: 1-2
Diseño Elección del transistor
43
51. Fenómeno de reflexión de onda
Adaptación de impedancias
para máxima transferencia de potencia
Impedancias óptimas vistas por el transistor
Método load-pull y source-pull
Principal Load-pull y Source-pull
51
106. Monte Carlo del layout
Simulaciones EM
Optimización
Conclusiones Líneas futuras
106
107. Concepto Coste
Trabajo tarifado por tiempo empleado 4.344,00€
Amortización del material hardware 38,15 €
Amortización del material software 0 €
Redacción del trabajo 356,96 €
Costes de visado del COITT 19,10€
Coste de tramitación y envío 6,00€
Subtotal 4,761.70 €
IGIC (7%) 383.73€
Total 5,095.19€
Presupuesto
107
108. Gracias por su atención
Universidad de
Las Palmas de Gran Canaria
Roberto Rodríguez Hernández
Grado en Ingeniería de Tecnologías de la Telecomunicación
Curso 2017/2018
Tutores:
Francisco Javier del Pino Suárez
Emilio Torres Armas