1. Transistor de potencia Mosfet
(30V | HS8K11)
Los transistores tipo mosfet o
metal oxido semiconductor
(MOS) son transistores de
efecto de campo que utilizan
un campo eléctrico para
crear un canal de
conducción.
La mayor parte de los
circuitos integrados digitales
se construyen con la
tecnología mosfet.
Descripción:
Transistor de potencia / MOSFET
30V | HS8K11

2. HS8K11 es MOSFET estándar para aplicaciones
de conmutación.
Características:
Baja en resistencia.
Planchas de plomo.
Pb - libre ; RoHS obediente.
Libre de halógenos .
Especificaciones
Código del paquete: HSML3030L10
Número de terminales: 10
Polaridad: + Nch Nch
Drenaje-fuente Voltaje: VDE [ V ] 30
Escurrir actual: ID [ A] 7.0
RDS (on) [ Ω ] VGS = 4.5V ( Typ . ) : 0,0208
Ficha técnica

3. TRANSISTOR NPN BIPOLAR
S8050
Este transistor es un
dispositivo electrónico
en estado sólido,
consiste en dos uniones
PN muy cercanas entre
sí, que permite
controlar el paso de la
energía a través de sus
terminales

4. Ficha técnica
TRANSISTOR NPN BIPOLAR S8050
Certificado RoHS.
Características:
• Tipo: Bipolar.
• Polaridad: NPN.
• S8050.

5. Transistor N-FET 25V<20MA TO92
Los transistores tipo Fet se
basan en el campo
eléctrico para controlar la
conductividad de un
"canal" en un material
semiconductor. Los FET
pueden plantearse como
resistencias controladas
por diferencia de
potencial.

6. Ficha técnica
Descripción:
El 2N3819 es un bajo costo, para todos los fines JFET que ofrece
muy buena rendimiento a medio-altas frecuencias.
Cuenta con bajo nivel de ruido y las fugas y las garantías de alta
ganancia a 100 MHz.
Su TO-226AA (TO-92) paquete es compatible con diversas en
cinta y las opciones de carrete para el montaje automático
(véase el Información de embalaje).
Para productos similares en el TO-206AF (A-72) y A-236 (SOT-23)
paquetes.

7. Características:
Excelente alta frecuencia de ganancia:
GPS 11 dB @ 400 MHz
Muy bajo ruido: 3 dB @ 400 MHz
Muy baja distorsión
Alto AC / DC Switch Off-Aislamiento
High Gain: AV = 60 @ 100 A
De banda ancha de alta ganancia
Muy alta sensibilidad del sistema
De alta calidad de amplificación
De alta capacidad de conmutación de alta velocidad
Alto Bajo Nivel de Amplificación de Señal
De alta frecuencia Amplificador / mezclador
Oscilador
Muestra-y-Hold
Muy baja capacitancia Switches
Especificaciones:
Fuente de tensión: -25 V
Corriente actual: 10 mA
Temperatura de
almacenamiento: -55 a
150 ºC
Temperature de juntura: -
55 a 150 C
Temperatura de plomo:
300 ºC
Potencia de disipación:
350 mW

8. Transistor bipolar de potencia
El funcionamiento y utilización de los
transistores de potencia es exactamente
igual al de los transistores comunes,
teniendo como características especiales
las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas
potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de
potencia:
-Bipolar.
-Unipolar o FET
-IGBT.
tipo NPN TO-220

9. Ficha técnica
Transistor bipolar de potencia, tipo NPN, Ic 3 A
max.continua, Vceo 100 V min., hFE 25 min @ Ic 1
A, fT 3 MHz min., Pd 40 W. Encapsulado TO-220
AB. Usos: Propósito general.
Consumo nominal: (no aplica)
Consumo en espera: (no aplica)
Color: negro
Peso: 2.6 grm

10. Transistor - NPN
Los transistores NPN son
en su gran mayoría los
más utilizados en el
mercado tecnológico,
debido a que la
movilidad del electrón es
mayor que la movilidad
de los huecos en los
semiconductores.
P2N2222A

11. Ficha técnica
Descripción: Este es el P2N2222A, un BJT NPN de silicio
(Bipolar Junction Transistor). Este pequeño transistor
puede ayudarle en su proyecto al ser utilizado para
ayudar a impulsar grandes cargas o amplificación o
aplicaciones de conmutación. El P2N2222A está
específicamente una potencia de 40V y 600mA máx.