Este documento describe las características técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N3904, 2N3906, 2N2222 y 2N5551. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que se usan comúnmente como amplificadores o interruptores. Luego procede a dar las especificaciones eléctricas de cada transistor, como tensión de ruptura, ganancia de corriente y capacidad térmica. Finalmente, incluye procedimientos para medir las características de los transistores usando un multímetro digital.

1. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
PRÁCTICA COLABORATIVA ELECTRÓNICA ANALÓGICA
OSWALDO DANIEL MIRANDA ARRIETA
TALLER ELECTRONICA ANALOGICA
PROF: JEAN PIER AMARIZ
ING. ELECTRONICO
AÑO 2020

2. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
INTRRODUCCION
TRANSISTORES. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
transistor es la contracción en ingles de transfer resistor (resistencia de
transferencia). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video,
relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, teléfonos, celulares,
etc.

3. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
PROSEDIMIENTO
1.0
Transistor: 2N3904
Fabricante: Motorola
Características:
 Transistor Bipolar (BJT) NPN
 Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
 Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como suiche y hasta 100 MHz
como amplificador
 IC: 200 mA
 PD: 625 mW
 VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V
 hFE: 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
 fT: 300 MHz min.
 VCE(sat): 0.3 V max. (@ IC 50 mA)
 Encapsulado: TO-92

4. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
TABLA DE CARACTERISTICAS
Collector-Base breakdown voltage BVCBO IC=10μA, IE=0 60 - - V
Collector-Emitter breakdown voltage BVCBO IC=1mA, IB=0 40 - - V
Emitter-Base breakdown voltage BVCBO IE=10μA, IC=0 6 - - V
Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VEB=3V - - 50
DC current gain hFE VCE=1V, IC=10mA 100 - 300 nA
Collector-Emitter saturation voltage VCE(sat) IC=50mA, IB=5mA - - 0.3 -
Transition frequency fT VCE=20V,IC=10mA,
f=100MHz
300 - V
Collector output capacitance Cob VCB=5V,IE=0,
f=1MHz
- - 4 MHz
Delay time t d VCC=3Vdc,
VBE(off)=0.5Vdc.
IC=10mAdc,
IB1=1mAdc
- - 35 pF
Rise time t r - - 35 ns
Storage time t s VCC=3Vdc,IC=10mAd
c, IB1=IB2=1mAdc
- - 200 ns
Fall Time t f - - 50 ns
ILUSTRACION DEL TRANSISTOR
https://www.alldatasheet.com/datasheetpdf/pdf/424679/KODENSHI/2N3904.html

5. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
1.1
Transistor: 2N3906
Fabricante: ON Semiconductor, National Semiconductor (TI)
Características:
 Transistor Bipolar (BJT) PNP
 Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito
general con corrientes de colector de 10 μA a 100 mA
 IC: 200 mA
 PD: 625 mW
 VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
 hFE: 100 a 300 (@ IC 10 mA y VCE 1 V), 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
 fT: 250 MHz min.
 VCE(sat): 0.4 V max. (@ IC 50 mA)
 Encapsulado: TO-92
 Complementario: 2N3904
TABLA DE CARACTERISTICAS
Rating Symbol Value Unit
Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc
Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current − Continuous IC 200 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate
above 25°C
PD 625
5.0
mW
mW/°C
Total Power Dissipation @ TA = 60°C PD 250 mW
Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate
above 25°C
PD 1.5
12
W
mW/°C
Operating and Storage Junction Temperature
Range
TJ, Tstg −55 to
+150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1)
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient R0JA 200
Thermal Resistance, Junction−to−Case R0JC 83.3

6. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
ILUSTRACION DEL TRANSISTOR
1.2
Transistor: 2SA1015
Fabricante: MCC
Características:
 Transistor Bipolar (BJT) PNP
 Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta
frecuencia
 IC: 150 mA
 PD: 400 mW
 VCEO: 50 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V
 hFE: 200 a 400 (Ranking GR)
 FT: 80 MHz mínimo
 VCE(sat): 0.3 V max.
Marcado: A1015
 Encapsulado: TO-92
 Complementario: 2SC1815

7. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
TABLA DE CARACTERISTICAS
Electrical Characteristics @ 25O C Unless Otherwise Specified
Symbol Parameter Min Max Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown
Voltage
(IC=-0.1mAdc, I B=0)
-50 --- Vdc
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown
Voltage
(IC=-100µAdc, IE=0)
-50 --- Vdc
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown
Voltage
(IE=-100µAdc, IC=0)
-5 --- Vdc
ICBO Collector Cutoff Current
(VCB= - 50Vdc, I E=0)
-- -0.1 µAdc
IEBO Emitter Cutoff Current
(VEB= - 5.0Vdc, IC=0)
-- -0.1 µAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE DC Current Gain
(IC=-2.0mAdc, VCE= - 6.0Vdc)
70 -400 --
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation
Voltage (IC=-100mAdc, I B=-
10mAdc)
--- -0.3 Vdc
VBE(sat) Base-Emitter Saturation
Voltage
(IC=-100mAdc, I B=-10mAdc)
--- -1.1 Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT TransistorFrequency
(IC=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc, f=30MHz)
80 -- MHz
COB Collector Output Capacitance
(VCB=-10Vdc, IE=0,f=1MHz)
-- 7.0 pF
NF Noise Figure
(VCE=6Vdc,IC=0.1mAdc,f=1KHz,Rg=10K)
-- 6.0 dB
CLASSIFICATION OF HFE (1)
Rank 0 Y GR
Range 70-140 120-240 200-400

8. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
ILUSTRACION DEL TRANSISTOR 2SA1015

9. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
1.3 Transistor: 2N5551 Fabricante: ON SEMICONDUCTOR
Características:

10. Práctica Colaborativa Electrónica analógica

11. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
1.4
Transistor: 2N2222
Fabricante: PHILIPS SEMICONDUCTORS
Características: Transistor de conmutación NPN en un paquete de metal TO-18.
collector-base voltage
2N2222 − 60 V
2N2222A
open emitter
collector-emitter voltage
2N2222 2N2222A
open base
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
2N2222 2N2222A
IC = 20 mA; VCE = 20 V; f =
100 MHz
Complemento PNP: 2N2907A
5.

12. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
1. Consulte en las hojas de datos de los catálogos de los fabricantes,
las características técnicas de los transistores 2N3904, 2N3906 y
2N5551
2. Basados en la explicación dada por el profesor, busque en el manual
ECG la referencia de estos transistores o de sus reemplazos y
determine sus características técnicas y la configuración de sus
pines.
3. Mida con el Multímetro digital, la resistencia entre las diferentes
combinaciones de los pines de todos los transistores que usted tiene
y basados en estas mediciones, determine los tres terminales del
transistor y el tipo de transistor (PNP o NPN).
4. Mida la ganancia de corriente de todos los transistores que usted

13. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
tiene, con el Multímetro digital, en la posición del selector “HFE” y
compare con el valor encontrado en el manual ECG.
5. Mida la ganancia de corriente del transistor con el Multímetro digital
y observe como varía al aumentar la temperatura del transistor
cuando se le acerca un cautín (Caliente), sin llegar a ponerlo en
contacto con el transistor.
6. Recuerde que en la práctica el control del transistor se realiza por
medio del circuito que esté conectado a la base del transistor, el
cual hace que este se active o desactive en determinado momento.
Como este procedimiento que ustedes realizan es simulando un
montaje práctico, el interruptor de control (Que reemplaza el
circuito de control) especificado en cada uno de los siguientes
puntos, solo debe ser implementado en el terminal de la base del
transistor y no en los terminales de colector o de emisor del mismo.
Basados en lo anterior diseñen circuitos en los que la carga utilizada
sea un motor, o un diodo LED o un relé, en los que el transistor NPN
trabaje como un interruptor, utilizando cualquiera de las
configuraciones vistas con anterioridad y que cumplan con las
especificaciones de diseño relacionadas a continuación.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición
“ON” en un interruptor y se desactiva en la posición “OFF” del

14. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
mismo interruptor, estando la carga conectada entre el terminal
positivo de la fuente y el colector del transistor. RC =carga.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición
“OFF” en un interruptor y se desactiva en la posición “ON” del
mismo interruptor, estando la carga conectada entre el terminal
positivo la fuente y el colector del transistor. RC = carga.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición
“ON” en un interruptor y se desactiva en la posición “OFF” del
mismo interruptor, estando la carga conectada entre el terminal de
emisor del transistor y la tierra de la fuente. RE = carga. Para este y
el siguiente circuito se debe tener en cuenta que la malla de base
del circuito cambia, por lo tanto puede cambiar el valor de la
resistencia de base RB.

15. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición “OFF” en
un interruptor y se desactiva en la posición “ON” del mismo interruptor, estando
la carga conectada entre el terminal de emisor del transistor y la tierra de la
fuente. RE = carga.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición “ON” en un
interruptor y se desactiva en la posición “OFF” del mismo interruptor, estando la
carga conectada entre el terminal de colector del transistor y la tierra de la
fuente. Para este circuito y los siguientes tres circuitos, se debe tener en cuenta
que en la malla del colector debe existir una resistencia que limite la corriente
que circula entre colector y emisor, para que cuando el transistor esté en corto,
no se destruya por el valor elevado de la corriente que circule. La corriente de
la carga no debe ser limitada por ninguna resistencia en su camino.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición “OFF” en
un interruptor y se desactiva en la posición “ON” del mismo interruptor, estando
la carga conectada entre el terminal de colector del transistor y la tierra de la
fuente.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición “ON” en un
interruptor y se desactiva en la posición “OFF” del mismo interruptor, estando la
carga conectada entre el terminal positivo de la fuente y el emisor del transistor.
 Circuito en el que la carga se active cuando se selecciona la posición “OFF” en
un interruptor y se desactiva en la posición “ON” del mismo interruptor, estando
la carga conectada entre el terminal positivo la fuente y el emisor del transistor.

16. Práctica Colaborativa Electrónica analógica
COMPROBACIÓN DE CONCEPTOS
1. ¿Qué le sucedería al transistor si le acercamos un catín (caliente)”Claro” sin llegar a
ponerlo en contacto con el transistor?
2. ¿Es posible utilizar disipadores de calor en los transistores?
3. ¿Qué efecto tiene en el trabajo con los transistores si se ha elaborado los cálculos
con el valor de “hfe” leído del ECG y este valor difiere del real, medido con el
multímetro? (Analizar si es mayor o menor su valor).
BIBLIOGRAFIA
 BOYLESTAD,Robert L. NASHELSKY, Louis. Electrónica, teoría de circuitos. Sexta
edición. México. 1997. 951p.
 MALVINO, Albert Paul. Principios de Electrónica. Quinta edición. México. 1996.
1048p.
 MILLMAN, Jacob y HALKIAS, Cristos. Electrónica, fundamentos y aplicaciones
España. 1979. 478p.