Este documento describe las características de varios transistores comunes, incluidos transistores NPN, PNP, JFET y MOSFET. Proporciona detalles sobre sus especificaciones eléctricas y térmicas máximas, así como sus aplicaciones típicas en circuitos de amplificación, conmutación y estabilización.

1. CARACTERÍSTICAS DE LOS
TRANSISTORES
Elaborado por:
José Miguel Machuca Barzola
Ingeniería de Sistemas e Informática

2. BC546
Amplificador NPN de silicio
TIP41
Dispositivo de media
potencia
AMPLIFICADOR,
Estabilizador
CARACTERÍSTICAS MECÁNICAS
TEMPERATURA MÁXIMA DEL CONDUCTOR PARA
PROPÓSITOS DE SOLDADURA:
350°C, a 3/8” del envase durante 10 segundos con una
tensión de 5 lbs.
ACABADO: Todas las superficies externas son resistentes
a la corrosión y los conductores se pueden soldar con
facilidad.
PESO: 0,280 gramos (aproximadamente).
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
SÍMBOL
O
Aplicaciones:
Conmutación y amplificación lineal de potencia
Amplificadores de audio
Circuitos de propósito general

3. BC546
Amplificador NPN de silicio
BC5456
Dispositivo de baja
potencia
AMPLIFICADOR DE
BANDA CORTA
CARACTERÍSTICAS MECÁNICAS
TEMPERATURA MÁXIMA DEL CONDUCTOR PARA PROPÓSITOS DE
SOLDADURA:
350°C, a 3/8” del envase durante 10 segundos con una tensión de 5 lbs.
ACABADO: Todas las superficies externas son resistentes a la corrosión y los
conductores se pueden soldar con facilidad.
PESO: 0,280 gramos (aproximadamente).
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
SÍMBOL
O

4. K170
Transistor Jfet
K170
Dispositivo Jfet
Utilizado en
estabilizadores y
osciladores
CARACTERÍSTICAS
El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor
de efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.
Características y condiciones Símbolo Tipo Máx. Unid.
Máxima caída de tensión Vz 3,3 1,1 V
Máxima caída de tensión promedio de ciclo completo en
polarización directa
VF(AV) 10 1 V
Corriente inversa máx. (voltaje especific. En cd) TJ=25°C, TJ=100°C V 28 - 20 10 50 uA
Máxima corriente inversa prom. De ciclo completo IR(AV) 10 30 uA
ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS
SÍMBOL
O
Polarización
FUNCIONAMIENTO
pueden ser de dos tipos los de canal N y los de canal P, solo
nos centraremos en los de canal N, pues son los mas
utilizados. De todas formas los de canal P, podría decirse que
son la expresión dual de los de canal N.

5. 2N7000
Transistor MosFet
2N7000
Dispositivo Mosfet
Aplicaciones
-Resistencia controlada por tensión.
-Circuitos de conmutación de potencia
(HEXFET, FREDFET, etc).
-Mezcladores de frecuencia, con MOSFET
de doble puerta.
CARACTERÍSTICAS
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
ESPECIFICACIONES TÉRMICAS
SÍMBOL
O
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

6. IRF610S
Transistor Jfet
IRF610S
Dispositivo Mosfet
Utilizado en
estabilizadores y
osciladores
CARACTERÍSTICAS
El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor
de efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.
SÍMBOL
O
Polarización
Principales características
Número de Parte: IRF610S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 36
Tensión drenaje-fuente (Uds): 200
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 10
Corriente continua de drenaje (Id): 3.3
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr):
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 1.5
Empaquetado / Estuche: D2PAK
ESPECIFICACIONES TÉRMICAS