1. LOS TRANSISTORES
Ingeniería de Sistemas e informática
Alumno: Junior Orlando Ramos Marcos
IV CICLO

2. El Transistor es un componente electrónico formado por
materiales semiconductores, de uso muy habitual pues lo
encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso
cotidiano como las radios, alarmas, automóviles, ordenadores,
etc.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace
unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de
receptores de radio portátiles llamados comúnmente
"transistores", televisores que se encendían en un par de
segundos, televisores en color, etc.
LOS TRANSISTORES

3. El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico
estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica
que ha superado cualquier previsión inicial. También se llama
Transistor Bipolar o Transistor Electrónico.
Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas
tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más
de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso
podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.
HISTORIA

4. En la imagen vemos a la derecha un transistor real y a la izquierda
el símbolo usado en los circuitos electrónicos. Fíjate que siempre
tienen 3 patillas y se llaman emisor, base y colector. Es muy
importante saber identificar bien las 3 patillas a la hora de
conectarlo. En el caso de la figura, la 1 sería el emisor, la 2 el
colector y la 3 la base.
REPRESENTACIÓN

5. Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un
circuito:
- En activa : deja pasar mas o menos corriente.
- En corte: no deja pasar la corriente.
- En saturación: deja pasar toda la corriente.
Funcionamiento del Transistor

6. Existen varios tipos que dependen de su proceso de
construcción y de las aplicaciones a las que se destinan. Aquí
abajo mostramos una tabla con los tipos de uso más frecuente y
su simbología:
Tipos de transistores. Simbología

7. TIPOS DE TRANSISTOR A LA VENTA

8. TRANSISTOR 2N3019
Características
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V
Transition Frequency Typ ft: 400MHz
Power Dissipation Pd: 800mW
DC Collector Current: 1A
DC Current Gain hFE: 300
No. of Pins: 3
Transistor Bipolar de Unión (BJT)

9. TRANSISTOR IRF3415
Características
MOSFET, N, 150V, 43A, TO-220
Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 37A
Drain Source Voltage Vds: 150V
On Resistance Rds(on): 42mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
Power Dissipation Pd: 150W
Current Id Max: 43A
Current Temperature: 25°C
Full Power Rating Temperature: 25°C
Junction to Case Thermal Resistance A: 0.75°C/W
Lead Spacing: 2.54mm
No. of Transistors: 1
Power Dissipation Pd: 150W
Power Dissipation Pd: 150W
Pulse Current Idm: 150A
Termination Type: Through Hole
Voltage Vds Typ: 150V
Voltage Vgs Max: 4V
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Especificaciones
Encapsulado: TO220
Transistor de Efecto de Campo, de Metal-
Óxido-Semiconductor (MOSFET)

10. TRANSITOR IRF250
Características
MOSFET, N, TO-3
Polaridad del transistor: Canal N
Continuous Drain Current Id: 30A
Drain Source Voltage Vds: 200V
On Resistance Rds(on): 85mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
Power Dissipation Pd: 150W
Transistor Case Style: TO-3
Corriente, ID máx.: 30A
Current Temperature: 25°C
Marcador: IRF250
Fixing Centres: 30mm
Full Power Rating Temperature: 25°C
Lead Spacing: 11mm
N.º of Transistors: 1
Package / Case: TO-3
Power Dissipation Pd: 150W
Power Dissipation Pd: 150W
Pulse Current Idm: 120A
Tipo de terminación: Agujero pasante
Voltage Vds Typ: 200V
Voltage Vgs Max: 4V
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Especificaciones
Encapsulado: TO-3

11. TRANSISTOR 2N3819
Características
TRANSISTOR, JFET, N, TO-92
Transistor Type:JFET
Transistor Polarity:N Channel
Breakdown Voltage Vbr:25V Zero Gate Voltage
Drain Current Idss:2mA to 20mA
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:8V
Power Dissipation Pd:350mW
Current Idss Max:20mA
Current Idss Min:2mA
Current Ig:10mA
Device Marking:2N3819
Drain Source Voltage Vds:25V
Forward Transconductance Gfs Max:6.5mA/V
Full Power Rating Temperature:25°C
Gfs Min:2mA/V
No. of Transistors:1 Package / Case:TO-92
Power Dissipation Ptot Max:200mW
Operating Frequency Range:1MHz to 500MHz
Especificaciones
Encapsulado: TO92
Transistor de Efecto de Campo, de Unión
(JFET)

12. FOTOTRANSISTOR BPW85
Características
PHOTOTRANSISTOR, NPN, T-1
Transistor Polarity: NPN
Wavelength Typ: 850nm
Power Consumption: 100mW
Viewing Angle: 25°
Transistor Case Style: T-1 (3mm)
No. of Pins: 2
Current Ic Typ: 50mA
Half Angle: 25°
Operating Temperature Range: -40°C to +100°C
Peak Spectral Response Wavelength: 850nm
Rise Time: 2µs
Transistor Type: Photo
Fototransistor

13. TRANSISTOR BD677A
Características
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-126
Transistor Polarity:NPN
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V
Power Dissipation Pd:40W
DC Collector Current:4A
DC Current Gain hFE:750
Transistor Case Style: SOT-32
No. of Pins:3
Av Current Ic:4A
Case Style:TO-126
Current Ic hFE:2A
Device Marking:BD677A
Full Power Rating Temperature:25°C
Max Current Ic:4A
Max Current Ic Continuous a:4A
Max Power Dissipation Ptot:40W
Max Voltage Vce Sat:2.8V
Min Hfe:750
Power Dissipation:40W
Termination Type:Through Hole
Transistor Type:Bipolar Darlington
Voltage Vcbo:60V
OTROS