1. Tipo: DDR3

2. En febrero de 2009, Samsung Electronics anunció un chip
prototipo de 512 MiB a 1.066 MHz (la misma velocidad de
bus frontal del Pentium 4 Extreme Edición más rápido) con
una reducción de consumo de energía de un 40%
comparado con los actuales módulos comerciales DDR2,
debido a la tecnología de 80 nanómetros.

3.  El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de
poder hacer transferencias de datos más rápido, y con
esto nos permite obtener velocidades de transferencia y
velocidades de bus más altas que las versiones DDR2
anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la
latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además
la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB,
siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB.

4.  Todos las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.
 Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del
conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de
colocarlas de manera incorrecta o para evitar que se
inserten en ranuras inadecuadas.
 Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Voltios.
 Estos módulos pueden transferir datos a una tasa de
reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango
actual del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del
DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de
mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
 Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para
el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20
para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.