1. INGENIERIA DE SISTEMAS
FISICA ELECTRONICA
CARLOS ALBERTO JARAMILLO LLAMOJA

2. El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor que cumple
funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término «transistor» es
la contracción en inglés de transfer
resistor («resistencia de transferencia»).
Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario:
radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, etc.

3. Fabricante:
VISHAY SILICONIX
Código Farnell:
2295730
Referencia de fabricante:
2N4117A-E3
Información del producto
JFET, N CHANNEL, -70V, TO-206AF
Transistor Type: JFET
Breakdown Voltage Vbr: -70V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss
Min: 30µA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss
Max: 90µA
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off)
Max: -1.8V
Power Dissipation Pd: 300mW
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 175°C
Transistor Case Style: TO-206AF
No. of Pins: 3
Zero Gate Voltage Drain Current
Idss: 30µA to 90µA

4. CARACTERISTICAS:
MOSFET, N CH, 60V, 300MA, SOT-23-3
Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 300mA
Drain Source Voltage Vds: 60V
On Resistance Rds(on): 2.8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs Typ: 2V
Power Dissipation Pd: 830mW
Operating Temperature Min: -65°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: SOT-23
No. of Pins: 3
MSL: MSL 1 - Unlimited
SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
NXP - 2N7002,215 - MOSFET, N
CH, 60V, 300MA, SOT-23-3
Fabricante:
NXP
Código Farnell:
2315576
Referencia de fabricante:
2N7002,215

5. DESCRIPTION
The 2N3055 is a silicon Epitaxial-Base Planar
NPN transistor mounted in Jedec TO-3 metal
case.
It is intended for power switching
circuits, series
and shunt regulators, output stages and high
fidelity amplifiers.
The complementary PNP type is MJ2955
Características
* TRANSISTOR, NPN, TO-3
* Polaridad del transistor:NPN
* Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V
* Power Dissipation Pd:115W
* DC Collector Current:15A
* DC Current Gain hFE:70
* Transistor Case Style:TO-3
* N.º of Pins:2
* Tipo de caja:TO-3
* Tensión IC hFE:10A
* Full Power Rating Temperature:25?C
* Max Current Ic:15A
* Max Current Ic Continuous a:15A
* Max Power Dissipation Ptot:115W
* Max Voltage Vce Sat:1V
* Min Gain Bandwidth ft:3MHZ
* Min Hfe:5
* Potencia de disipación:115W
* Tipo de terminación:Agujero pasante
* Tipo de transistor:Bipolar
* Tensión Vcbo:100V

6. Transistor IGBT IRG4PC50U 600V 55A
200W
TRANSISTORES IRG4PC50U DE
INTERNATIONAL RECTIFIER
TO247AC 600V 55A 200W
El transistor bipolar de puerta aislada
(IGBT) es un dispositivo electrónico que
generalmente se aplica a circuitos de
potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación
en sistemas de alta tensión. La tensión de
control de puerta es de unos 15V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de
entrada muy débil en la puerta.

7. Transistor MMBFJ309 .
- Tipo: FET
- Canal: N
- Amperaje: 0.03 A
- Voltaje: 25v
- Potencia Disipada: 0.3w
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
N-Channel RF Amplifier

8. LINKS
• https://www.fairchildsemi.com/ds
/MM/MMBFJ309.pdf
• http://www.classiccmp.org/rtellas
on/transdata/2n5638.pdf
• http://alltransistors.com/es/mosf
et/transistor.php?transistor=7660
• http://www.farnell.com/es/transi
stores/
• http://www.ecured.cu/index.php/
Transistor_de_efecto_campo