JOSE ALONZO TACO MAMANI

2. • COMPAÑIAS QUE VENDEN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
• • AG ELECTRÓNICA S.A . DE C.V COMPONENTES PROFESIONALES.
• • AD ELECTRONICS S.A.
• • AIKO INT.
• • A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA.
• • ALFALED.
• • ASC ELECTRONICA S.A.
• TRANSITORES:
• ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO SEMICONDUCTOR QUE CUMPLE FUNCIONES DE AMPLIADOR, OSCILADOR, CONMUTADOR O RECTIFICADOR. EL TÉRMINO» TRANSISTOR »EN
LA CONTRATACIÓN EN INGLES DE TRANSFER RESISTOR («RESISTENCIA DE TRASFERENCIA») ACTUALMENTE SE ENCUENTRAN EN LOS ESTADOS EN TODO LOS APARATOS
ELECTRÓNICOS DE USO DIARIO: TELEVISIÓN, RADIOS, COMPUTADORAS CUARZO, LÁMPARAS FLUORESCENTES, TOMÓGRAFOS, CELULARES TELÉFONOS, ETC.

3. • TRANSISTOR JFET:
• EL TRANSISTOR JFET (JUNTION FIELD EFECTIVO TRANSISTOR, QUE SE TRADUCE COMO TRANSISTOR DE EFECTO
DE CAMPO) ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO ACTIVO UNIPOLAR. FUNCIONAMIENTO BÁSICO: TIENEN TRES
TERMINALES, DENOMINAS PUERTAS (GATE), DRENADOR (DRAIN)Y FUENTE( SOURCE) LA PUERTA ES LA
TERMINAL EQUIVALENTE A LA BASE DEL BJT. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SE COMPORTA COMO UN
INTERRUPTOR CONTROLANDO POR TENSIÓN, DONDE EL VOLTAJE APLICADO A LA PUERTA PERMITE HACER QUE
FLUYA O NO CORRIENTE ENTRE DREN ADOR Y FUENTE.
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• • CARACTERÍSTICA:
• ESTE TIPO DE TRANSISTOR SE POLARIZA DE MANERA DIFERENTE AL TRANSISTOR BIPOLAR. LA TERMINAL DE
DRENAJE SE POLARIZA POSITIVAMENTE CON RESPECTO AL TERMINAL DE FUENTES (VDD)Y LA COMPUERTA SE
POLARIZA NEGATIVAMENTE CON RESPECTO A LA FUENTE (.VGG) AL HACER UN BARRIDO EN CORRIENTE DIRECTA
SE OBTIENEN LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR JFET. LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
PARA ESTOS TRANSISTORES SE ENCUENTRAN EN LA IMAGEN, NÓTESE QUE SE DISTINGUEN TRES ZONAS
IMPORTANTES: L • A ZONA ÓHMICA • LA ZONA DE CORTE • LA ZONA DE SATURACIÓN.

4. • TRANSISTOR MOSFET:
• SON LAS SIGLAS DE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSITOR, CONSÍSTETE EN UN
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO BASADO EN LA ESTRUCTURA MOS ES EL TRANSISTOR MÁS UTILIZADO EN
LA INDUSTRIA MICRO ELÉCTRICA .LA PRÁCTICA TOTALIDAD DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE USO
COMERCIAL ESTÁN BASADOS EN TRANSISTORES MOSFET. UTILIZACIÓN: UNA TRANSISTOR MOSFET CONSISTE
EN UN SUSTRATO DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DOPADO EN EL QUE, MEDIANTE TÉCNICA DE DIFUSIÓN DE
DOPANTES, SE CREAN DOS ISLAS DE TIPO OPUESTO SEPARADAS POR UN ÁREA SOBRE LA CUAL SE HACE
CRECER UNA CAPA DE DIELÉCTRICO CULMINADA POR UNA CAPA DE CONDUCTOR.
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• • CARACTERÍSTICAS:
• SON DOS CARACTERÍSTICAS O TIPO DE TRANSISTORES MOS: 1. MOSFET DE CANAL N O NMOS. 2. MOSFET DE
CANA P O PMOS. A SU VEZ ESTOS TRANSISTORES PUEDEN SER DE ACUMULACIÓN (ENHANCEMENT) O
DEFLEXIÓN (DEPLEXION);EN LA ACTUALIDAD LOS SEGUNDOS ESTÁN PRÁCTICAMENTE EN DESUSO Y AQUÍ
ÚNICAMENTE SERÁN DESCRITOS LOS MOS DE ACUMULACIÓN TAMBIÉN CONOCIDOS COMO DE
ENRIQUECIMIENTO.

5. • TRANSISTOR FET:
• TIENEN TAMBIÉN TRES TERMINALES QUE SON 1. PUERTA (GATE). 2. DRENADOR (DRAIN ). 3. SUMIDERO
(SINK). QUE IGUALMENTE DEPENDIENDO DEL ENCAPSULADO QUE TENGA EL TRANSISTOR PUEDEN ESTAR
DISTRIBUIDOS DE VARIAS FORMAS.
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• • CARACTERÍSTICAS:
• DISPOSICIÓN DE LAS POLARIZACIONES PARA UN FET DE CANAL N. - LA FIGURA MUESTRA UN ESQUEMA
QUE AYUDARA A COMPRENDER EL FUNCIONAMIENTO DE UN FET. EN ESTE CASO SE HA SUPUESTO QUE EL
CANAL ES DE MATERIAL DE TIPO N. - LA PUERTA ESTA POLARIZADA NEGATIVAMENTE RESPECTO AL A
FUENTE ,POR LO QUELA UNIÓN P N ENTRE ELLAS SE ENCUENTRA POLARIZADA INVERSAMENTE Y EXISTE
UNA CAPA DECIRLA . - SI EL MATERIAL DE LA PUERTA ESTÁ MÁS DOPADO QUE EL DE CANAL ,LA MAYOR
PARTE DE LA CAPA ESTARÁ FORMADA POR EL CANAL. - SI AL TENSIÓN DE LA PUERTA ES CERO Y VDS-O LAS
CAPAS DESIERTAS PROFUNDIZAR POCO EN EL CANAL Y SON UNIFORMES A TODO LO LARGO DE LA UNIÓN.

6. • TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT):
• EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (DEL INGLÉS BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO ELÉCTRICO DE
ESTADO SÓLIDO CONSISTE EN DOS UNIÓN ES PN MUY CERCANAS ENTRE SI ,QUE PERMITE CONTROLAREL PASO DE LA
CORRIENTE A TRAVÉS DE SUS TERMINALES .LA DENOMINACIÓNDE GRACIAS AL DESPLAZAMIENTO DE PORTADORES DE DOS
ELECTRONES POLARIZADAS(HUECOSPOSITIVOS Y ELÉCTRICOS NEGATIVOS),Y SON DE GRAN UTILIDAD EN GRAN NÚMERO DE
APLICACIONES : PERO TIENEN CIERTO INCONVENIENTES , ENTRE ELLOS SU IMPUDENCIADE ENTRADA BASTANTE BAJA.
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• • CARACTERÍSTICAS:
• LOS TRANSISTORES BIPOLARES SON LOS TRANSISTORES MÁS CONOCIDOSY SE USAN GENERALMENTE EN ELÉCTRICA
ANALÓGICAS AUNQUE TAMBIÉN EN ALGUNAS APLICACIONES DE ELÉCTRICA DIGITAL, COMO LA TECNOLOGÍA TTL O BICMOS.
UN TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR CONSISTE EN TRES REGIONES SEMICONDUCTORESDOPADAS: LA REGIÓN DEL EMISOR,
LA REGIÓN DE LA BASE Y LA REGIÓN DEL COLECTOR ,ESTAS REGIONES SON RESPECTIVAMENTE TIPO P TIPO N TIPO DE
TRASMISOR SE UNIÓN BIPOLAR 1. PNP . 2. NPN:

7. • TRANSISTOR MESFET: MESFET:
• SIGNIFICATRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTORES MUY SIMILAR A UN JFET EN LA
CONSTRUCCIÓNTERMINOLOGÍA LA DIFERENCIA ES QUE EN LUGAR DE UTILIZAR UNA UNIÓN PN PARA UNA PUERTA UNA
SCHOTTKY (DE METAL SEMICONDUCTOR) UNIÓN SE UTILIZA MESFET SE CONSTRUYE NORMALMENTE EN LAS TECNOLOGÍAS
DE SEMICONDUCTORESCOMPUESTOSQUE CARECEN DE PASIVACION DE ALTA CALIDAD DE LA SUPERFICIE.
•
• • CARACTERÍSTICAS:
• NUMEROSASPOSIBILIDADES DE FABRICACIÓNMESFET SE HAN EXPLORADO PARA UNA AMPLIA VARIEDAD DE SISTEMA DE
SEMICONDUCTORES, ALGUNAS DE LAS PRINCIPALES ÁREAS DE AMPLIFICACIÓNSON:
• COMUNICACIONESMILITARES: COMO AMPLIFICADORDE RUIDO BAJO EXTREMO DELANTERO DE LOS RECEPTORES DE
MICROONDAEN LOS DOS MILITARES DE RADAR Y DISPOSITIVOS DE COMUNICACIÓNCOMERCIAL OPTO ELÉCTRICA
COMUNICACIONESPOR SATÉLITE. COMO AMPLIFICADORDE POTENCIA PARA LA ETAPA DE SALIDA DE LOS ENLACES DE
MICROONDAS.COMO UN OSCILADORDE POTENCIA.

8. • INFORMACIÓN:
• HTTP://TRANSITORESFETGOLEONCOM /DOS HTM
• HTTP://WWW.UNICROM .COM/ FUT_ TRANSITORES _MOSFET
• HTTP://ES WIPEDIA ORG/WIKI7TRANSISTOR DE UNI%C3%83N BIPOLAR
HTTP://WWW.UNICROM.COM/LUT_TRANSITORES _MOSFET.ASP

9. • ALUMNO : JOSE ALONZO TACO MAMANI