TAREA

1. TRANSISTORES

2. Estructura de un
transistor NPN
Transistor PNP
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente
grande mediante una señal muy pequeña.Existe una gran variedad de transistores.
En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo
de transistor son los siguientes:

3. FUNCIONAMIENTO BÁSICO
Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo
que la lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor.
(Figura 1).
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la Base. Así el
transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad
muy grande, haciendo que se encienda la lámpara. (Figura 2).
En general:
IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

4. POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR
Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo
polarizar un transistor NPN que PNP.
Generalmente podemos decir que la unión base - emisor se polariza directamente y la unión
base - colector inversamente.

5. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula.
La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta
como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACIÓN.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de
colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor
cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada
en el Colector.
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva,
como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la
variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. Los fabricantes
suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece con la denominación hFE. Se
expresa de la siguiente manera:

6. Saturación Corte Activa
VCE ~ 0 ~ VCC Variable
VRC ~ VCC ~ 0 Variable
IC Máxima
=
ICEO lang=EN-
GB~ 0
Variable
IB Variable = 0 Variable
VBE ~ 0,8v < 0,7v ~ 0,7v
En resumen: ß = IC / IB
Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen, así nos
encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico, normalmente son
los más pequeños ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la
parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado
mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensión
siendo el encapsulado enteramente metálico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuación del calor a
través del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

7. COMPAÑIAS QUE VENDEN DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS
AG ELECTRÓNICA S.A . DE C.V COMPONENTES PROFESIONALES.
 AD ELECTRONICS S.A.
AIKO INT.
A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA.
ALFALED.
ASC ELECTRONICA S.A.

8. TRANSISTOR
• ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO SEMICONDUCTOR QUE CUMPLE
FUNCIONES DE AMPLIFICADOR, OSCILADOR, CONMUTADOR O
RECTIFICADOR.

9. TIPOS DE TRANSISTORES
 TRANSISTOR JFET
 TRANSISTOR MOSFET
 FOTOTRANSISTOR
 TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

10. TRANSISTOR JFET
• ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO, ESTO ES, UN CIRCUITO QUE, SEGÚN UNOS VALORES
ELÉCTRICOS DE ENTRADA, REACCIONA DANDO UNOS VALORES DE SALIDA. EN EL CASO
DE LOS JFET, AL SER TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO ELÉCTRICO, ESTOS VALORES DE
ENTRADA SON LAS TENSIONES ELÉCTRICAS, EN CONCRETO LA TENSIÓN ENTRE LOS
TERMINALES S (FUENTE) Y G (PUERTA), VGS. SEGÚN ESTE VALOR, LA SALIDA DEL
TRANSISTOR PRESENTARÁ UNA CURVA CARA.

11. CURVA CARACTERISTICA
 TIENE UNA RESISTENCIA DE ENTRADA EXTREMADAMENTE ALTA (CASI 100MΩ).
 NO TIENE UN VOLTAJE DE UNIÓN CUANDO SE UTILIZA COMO
CONMUTADOR(INTERRUPTOR).
 HASTA CIERTO PUNTO ES INMUNE A LA RADIACIÓN.
 ES MENOS RUIDOSO.
 PUEDE OPERARSE PARA PROPORCIONAR UNA MAYOR ESTABILIDAD TÉRMICA.

12. TRANSISTOR MOSFET
• ES UN TRANSISTOR UTILIZADO PARA AMPLIFICAR O CONMUTAR SEÑALES
ELECTRÓNICAS ,ES EL TRANSISTOR MÁS UTILIZADO EN LA INDUSTRIA
MICROELECTRÓNICA, YA SEA EN CIRCUITOS ANALÓGICOS O DIGITALES, AUNQUE EL
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR FUE MUCHO MÁS POPULAR EN OTRO TIEMPO.
PRÁCTICAMENTE LA TOTALIDAD DE LOS MICROPROCESADORES COMERCIALES
ESTÁN BASADOS EN TRANSISTORES MOSFET.

13. CARACTERISTICAS• CONSTRUCTIVA COMÚN A TODOS LOS TIPOS DE TRANSISTOR MOS ES QUE EL
TERMINAL DE PUERTA (G) ESTÁ FORMADO POR UNA ESTRUCTURA DE TIPO
METAL/ÓXIDO/SEMICONDUCTOR. EL ÓXIDO ES AISLANTE, CON LO QUE LA
CORRIENTE DE PUERTA ES PRÁCTICAMENTE NULA, MUCHO MENOR QUE EN LOS
JFET. POR ELLO, LOS MOS SE EMPLEAN PARA TRATAR SEÑALES DE MUY BAJA
POTENCIA.

14. FOTOTRANSISTOR
• LOS FOTOTRANSISTORES SON SENSIBLES A LA RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA
EN FRECUENCIAS CERCANAS A LA DE LA LUZ VISIBLE; DEBIDO A ESTO SU FLUJO DE
CORRIENTE PUEDE SER REGULADO POR MEDIO DE LA LUZ INCIDENTE. UN
FOTOTRANSISTOR ES, EN ESENCIA, LO MISMO QUE UN TRANSISTOR NORMAL,
SÓLO QUE PUEDE TRABAJAR DE 2 MANERAS DIFERENTES: COMO UN TRANSISTOR
NORMAL CON LA CORRIENTE DE BASE (IB) (MODO COMÚN).COMO
FOTOTRANSISTOR, CUANDO LA LUZ QUE INCIDE EN ESTE ELEMENTO HACE LAS
VECES DE CORRIENTE DE BASE. (IP)(MODO DE ILUMINACIÓN).

15. CARACTERISTICAS

16. TRANSISTOR DE CONTACTO
PUNTUAL
• LLAMADO TAMBIÉN TRANSISTOR DE PUNTA DE CONTACTO, FUE EL PRIMER TRANSISTOR CAPAZ
DE OBTENER GANANCIA, INVENTADO EN 1947 POR J. BARDEEN Y W. BRATTAIN. CONSTA DE
UNA BASE DE GERMANIO, SEMICONDUCTOR PARA ENTONCES MEJOR CONOCIDO QUE LA
COMBINACIÓN COBRE-ÓXIDO DE COBRE, SOBRE LA QUE SEA POYAN, MUY JUNTAS, DOS
PUNTAS METÁLICAS QUE CONSTITUYEN EL EMISOR Y EL COLECTOR. LA CORRIENTE DE BASE ES
CAPAZ DE MODULAR LA RESISTENCIA QUE SE "VE" EN EL COLECTOR, DE AHÍ EL NOMBRE DE
"TRANSFER RESISTOR".

17. CARACTERISTICAS
• CONSTA DE UNA BASE DE GERMANIO , SEMICONDUCTOR PARA ENTONCES MEJOR
CONOCIDO QUE LA COMBINACIÓN COBRE ÓXIDO DE COBRE , SOBRE LA QUE SE
APOYAN , MUY JUNTAS , DOS PUNTAS METÁLICAS QUE CONSTITUYEN EL EMISOR
Y EL COLECTOR .LA CORRIENTE DE BASE ES CAPAZ DE MODULAR LA RESISTENCIAS
QUE SE “VE “ EN EL COLECTOR , DE AHÍ EL NOMBRE DE “TRANSFER RESISTOR” .

18. TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
• ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO DE ESTADO SÓLIDO CONSISTENTE EN DOS UNIONES PN
MUY CERCANAS ENTRE SÍ, QUE PERMITE CONTROLAR EL PASO DE LA CORRIENTE A TRAVÉS
DE SUS TERMINALES. LA DENOMINACIÓN DE BIPOLAR SE DEBE A QUE LA CONDUCCIÓN
TIENE LUGAR GRACIAS AL DESPLAZAMIENTO DE PORTADORES DE DOS POLARIDADES
(HUECOS POSITIVOS Y ELECTRONES NEGATIVOS), Y SON DE GRAN UTILIDAD EN GRAN
NÚMERO DE APLICACIONES; PERO TIENEN CIERTOS INCONVENIENTES, ENTRE ELLOS SU
IMPEDANCIA DE ENTRADA BASTANTE BAJA.

19. CONCLUSION
• LOS TRANSISTORES SON UNOS ELEMENTOS QUE HAN FACILITADO, EN
GRAN MEDIDA, EL DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE REDUCIDO
TAMAÑO, GRAN VERSATILIDAD Y FACILIDAD DE CONTROL.
• PODEMOS DECIR QUE EL SURGIMIENTO DE LOS DIODOS HA
PROPORCIONADO UN GRAN AVANCE A LA CIENCIA NO SOLO A LA
ELECTRÓNICA SINO A LA CIENCIA DE FORMA GENERAL PORQUE CASI
TODOS EQUIPOS QUE TENEMOS EN LA ACTUALIDAD FUNCIONAN CON
COMPONENTES ELÉCTRICOS Y CON PRESENCIA DE TRANSISTORES.