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Asignatura: Física Electrónica
Unidad III: Dispositivos Semiconductores
ACTIVIDAD: Diodo
UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
FACULTAD DE INGENIERÍA DE SISTEMAS
Ciclo IV
Alumno: Juan A. Moreno Albinagorta
Código: UT10104963
DIODO RECTFICADO 1N4001 – 1N4007
El Diodo 1N4007 es un dispositivos utilizado hoy en
día en muchos proyectos electrónicos.
Descripción
1N4007 es uno de los diodos de una serie muy utilizados en infinidad de equipos
electrónicos. Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en directa.
Su encapsulado es de tipo DO-41.
Principales características
Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM) max
Tensión máxima en un circuito rectificador de madia onda con carga capacitiva: 500
V (Vef)
Rango de temperatura: - 65 ºC a +125 ºC
Caída de tensión: 1,1 V (VF)max
Corriente en sentido directo: 1 A (If)
Corriente máxima de pico: 30 A (Ifsm) max
DIODO LED
Un led o diodo emisor de luz es un dispositivo semiconductor (diodo) que
emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma
directa la unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este
fenómeno es una forma de electroluminiscencia. El color, depende del
material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede
variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los
diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el
nombre de led UV (ultraviolet light: "luz ultravioleta") y los que emiten luz
infrarroja se llaman IRED (InfraRed Emitting Diode:"radiación infrarroja").
El nombre español proviene del acrónimo inglés LED (Light-Emitting
Diode: ‘diodo emisor de luz’).
Tecnología LED/OLED
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad
de radiación cuando los pares electrón-hueco se recombinan; es decir,
cuando los electrones caen desde la banda de conducción (de mayor
energía) a la banda de valencia (de menor energía), emitiendo fotones en
el proceso. Indudablemente, por ende, su color, dependerá de la altura de
la banda prohibida (diferencias de energía entre las bandas de conducción
y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos
convencionales, de silicio o germanio, emiten radiación infrarroja muy
alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales
pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los ledes e IRED,
además tienen geometrías especiales para evitar que la radiación emitida
sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede
en los convencionales.
DIODO TUNEL 1N3712 – 1N3721
El diodo túnel es un semiconductor verdaderamente único, con una serie de
características interesantes y un pasado histórico inusual. Desarrollado por Leo Esaki a
Sony en 1957, y hecho público en 1958, el túnel (o Esaki) diodo fue el primer
dispositivo que demuestra la validez de la física cuántica. Muy alta velocidad de
conmutación (túnel cuántico) y el atributo de desempeño conocida como resistencia
negativa parecían colocar el diodo túnel como el sucesor del transistor para muchas
aplicaciones. Aunque varias empresas invirtieron fuertemente en el desarrollo de diodo
túnel, esta tecnología única ha encontrado sólo aplicaciones de nicho y, desde
mediados de la década de 1960 se ha visto en gran medida como una curiosidad
tecnológica.
Diseño de circuitos con el diodo túnel es muy difícil, debido a su característica inusual
conocido como resistencia negativa, que se encuentra en sólo unos pocos otros
dispositivos oscuros (puntos de contacto y transistores Unijunction, por ejemplo). Su
GE 1N3712 / TD-1 es un dispositivo de propósito general, muy adecuado para la
experimentación como un amplificador de potencia muy baja o oscilador. Se le intrigado
con este dispositivo de germanio 45 años de edad, que funciona mediante el
mecanismo de túnel cuántico de los electrones.
FOTODIODO SFH206K
Características
• Especialmente adecuado para aplicaciones de400 nm a 1100 nm
• Corto tiempo de conmutación (típ. 20 ns)
• 5 mm de paquetes de plástico LED
• También disponible en la cinta.
Aplicaciones
• Flashes controlados por ordenador
• Fotointerruptores
• Electrónica industrial
• Para los circuitos de control y accionamiento
Diodo High-Power Blue laser

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Diodo

  • 1. Asignatura: Física Electrónica Unidad III: Dispositivos Semiconductores ACTIVIDAD: Diodo UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP FACULTAD DE INGENIERÍA DE SISTEMAS Ciclo IV Alumno: Juan A. Moreno Albinagorta Código: UT10104963
  • 2. DIODO RECTFICADO 1N4001 – 1N4007 El Diodo 1N4007 es un dispositivos utilizado hoy en día en muchos proyectos electrónicos. Descripción 1N4007 es uno de los diodos de una serie muy utilizados en infinidad de equipos electrónicos. Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en directa. Su encapsulado es de tipo DO-41. Principales características Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM) max Tensión máxima en un circuito rectificador de madia onda con carga capacitiva: 500 V (Vef) Rango de temperatura: - 65 ºC a +125 ºC Caída de tensión: 1,1 V (VF)max Corriente en sentido directo: 1 A (If) Corriente máxima de pico: 30 A (Ifsm) max
  • 3. DIODO LED Un led o diodo emisor de luz es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia. El color, depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de led UV (ultraviolet light: "luz ultravioleta") y los que emiten luz infrarroja se llaman IRED (InfraRed Emitting Diode:"radiación infrarroja"). El nombre español proviene del acrónimo inglés LED (Light-Emitting Diode: ‘diodo emisor de luz’). Tecnología LED/OLED En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiación cuando los pares electrón-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones caen desde la banda de conducción (de mayor energía) a la banda de valencia (de menor energía), emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su color, dependerá de la altura de la banda prohibida (diferencias de energía entre las bandas de conducción y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiación infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los ledes e IRED, además tienen geometrías especiales para evitar que la radiación emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales.
  • 4. DIODO TUNEL 1N3712 – 1N3721 El diodo túnel es un semiconductor verdaderamente único, con una serie de características interesantes y un pasado histórico inusual. Desarrollado por Leo Esaki a Sony en 1957, y hecho público en 1958, el túnel (o Esaki) diodo fue el primer dispositivo que demuestra la validez de la física cuántica. Muy alta velocidad de conmutación (túnel cuántico) y el atributo de desempeño conocida como resistencia negativa parecían colocar el diodo túnel como el sucesor del transistor para muchas aplicaciones. Aunque varias empresas invirtieron fuertemente en el desarrollo de diodo túnel, esta tecnología única ha encontrado sólo aplicaciones de nicho y, desde mediados de la década de 1960 se ha visto en gran medida como una curiosidad tecnológica. Diseño de circuitos con el diodo túnel es muy difícil, debido a su característica inusual conocido como resistencia negativa, que se encuentra en sólo unos pocos otros dispositivos oscuros (puntos de contacto y transistores Unijunction, por ejemplo). Su GE 1N3712 / TD-1 es un dispositivo de propósito general, muy adecuado para la experimentación como un amplificador de potencia muy baja o oscilador. Se le intrigado con este dispositivo de germanio 45 años de edad, que funciona mediante el mecanismo de túnel cuántico de los electrones.
  • 5. FOTODIODO SFH206K Características • Especialmente adecuado para aplicaciones de400 nm a 1100 nm • Corto tiempo de conmutación (típ. 20 ns) • 5 mm de paquetes de plástico LED • También disponible en la cinta. Aplicaciones • Flashes controlados por ordenador • Fotointerruptores • Electrónica industrial • Para los circuitos de control y accionamiento