2. El diodo es un componente electrónico de dos terminadles que
permite la circulación de la corriente eléctrica a través de el en un
solo sentido. Este termino generalmente se usa para referirse al
diodo semiconductor, el mas común en la actualidad; consta de
una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales
eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa,
excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo vacío con
dos electrodos: una lamina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-
V)consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como circuito abierto(no conduce), y por
encima de ella como un circuito cerrado como una resistencia
eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les
suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces
de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su
principio de funcionamiento esta basado en los experimentos de
Lee De Forest.
3. Es uno de los diodos muy utilizados en infinidad de equipos
electrónicos.
Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en
directa.
CARACTERISTICAS PRINCIPALES
• Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM) máx.
• Tensión máxima en un circuito rectificador de media onda
con carga capacitiva: 500 V (Vef)
• Rango de temperatura: -65°C a +125°C.
• Caída de tensión: 1,1 V (VF) máx.
• Corriente en sentido directo: 1ª (lf).
• Corriente máxima de pico: 30ª (lfsm) máx.
• Encapsulado: es de tipo DO-41
APLICACIONES
• Fuentes de alimentación.
• Otros dispositivos que lo requieran
4. El diodo zener es un diodo especial que trabaja exclusivamente
en la zona de característica inversa y, en particular, en la zona
del punto de ruptura de su característica inversa.
Esta tensión de ruptura depende de las características de
construcción del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios.
Polarizado en directa actúa como un diodo normal y por tanto
no se utiliza en dicho estado.
EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que
originan, debido a la característica constitución de los mismos,
fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los enlaces
entre los átomos dejando así electrones libres capaces de
establecer la conducción. Su característica es tal que una vez
alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la
corriente a su través un determinado valor mínimo, la tensión en
bornes del diodo se mantiene constante e independiente de la
corriente que circula por el.
5.
6.
7. El diodo laser (LD) es un dispositivo semiconductor similar a aun
led pero que bajo condiciones adecuadas emiten luz laser.
Cuando la estructura de un led se introduce a una cavidad
resonante formada al pulir las caras a los extremos.
Los diodos laser se usan frecuentemente en dispositivos de
almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica de alta
velocidad.
8. CARACTERISTICAS:
• Diodo laser: de color rojo
• Forma de laser: punto.
• Longitud de onda: 650 nm
• Potencia: 5 mW
• Voltaje de operación: 5V
• Consumo de corriente: 27 mA aproximadamente.
• Polaridad: cable rojo +, cable azul-
• Temperatura de operación: -1010°C a +40°C
• El modulo incorpora el diodo laser, lente, resistencia
limitadora de 91Ω, carcaza y cables de conexión
• Carcaza metálica.
• Diámetro de la carcaza: 6mm
9. El fotodiodo es un semiconductor con una unión PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que producirá una cierta circulación de corriente cuando
sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan
como células fotovoltaicas, es decir en ausencia una fuente exterior de energía
generan una corriente muy pequeña con el positivo en el ánodo en el cátodo.
Aplicaciones:
• Transmisiones rápidas de datos
• Aparatos de medición ópticos
• Cortinas de luz
10. CARACTERÍSTICAS:
• Fotodiodo (receptor) tipo PIN
• Material semiconductor: Silicio
• Longitud de onda de sensibilidad pico: 950 nm
típica
• Alta sensibilidad
• Sensibilidad al espectro completo de luz visible y
al infrarrojo cercano
• Rango espectral: 350 nm a 1120 nm
• Potencia disipada máx.: 215 mW
• Corriente en inverso y en oscuridad: 150 pA
• Voltaje inverso máx.: 60V
• Tiempos de respuestas rápidos
• Tiempo de subida 100ns
• Tiempo de bajada: 100ns
• Angulo de sensibilidad media : + - 20°
• Diámetro: 3mm
• Encapsulado: T-1
11. El diodo led es un diodo formado por un semiconductor con
huecos en su banda de energía, tal como arseniuro de galio, los
portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando
se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado.
Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden
producir varia desde el infrarrojo hasta las longitudes de ondas
cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos
dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1v
corresponde al rojo, 4..0 v al violeta.
APLICACIONES:
En tecnologías de iluminación
12. Compuesto Color Long. de onda
arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940 nm
arseniuro de
galio y aluminio (AlGaAs)
rojo e infrarrojo 890 nm
arseniuro fosfuro de
galio (GaAsP)
rojo, anaranjado y amarillo 630 nm
fosfuro de galio (GaP) verde 555 nm
nitruro de galio (GaN) verde 525 nm
seleniuro de cinc (ZnSe) azul
nitruro de galio e indio (InGaN) azul 450 nm
carburo de silicio (SiC) azul 480 nm
diamante (C) ultravioleta
silicio (Si) en desarrollo
Compuestos empleados en la construcción de led
13. CARACTERISTICAS:
• Material semiconductor: InGaN
• Tipo de lente: transparente
• Color de emisión: Azul- Alto brillo
• Voltaje en directo: 2.8 a 3.5 V
• Longitud de onda dominante: 460 a 470 nm
• Intensidad luminosa: 800 a 1200 mcd
• Corriente en inverso máx.: 10 uA
• Angulo de visión: 35°