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INGENIERÍA DE SISTEMAS
CURSO : FÍSICA ELECTRÓNICA
ALUMNO: OSCAR RAUL HUAMANI AÑANCA
PROFESOR: JORGE CARMONA
El diodo es un componente electrónico de dos terminadles que
permite la circulación de la corriente eléctrica a través de el en un
solo sentido. Este termino generalmente se usa para referirse al
diodo semiconductor, el mas común en la actualidad; consta de
una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales
eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa,
excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo vacío con
dos electrodos: una lamina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-
V)consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como circuito abierto(no conduce), y por
encima de ella como un circuito cerrado como una resistencia
eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les
suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces
de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su
principio de funcionamiento esta basado en los experimentos de
Lee De Forest.
Es uno de los diodos muy utilizados en infinidad de equipos
electrónicos.
Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en
directa.
CARACTERISTICAS PRINCIPALES
• Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM) máx.
• Tensión máxima en un circuito rectificador de media onda
con carga capacitiva: 500 V (Vef)
• Rango de temperatura: -65°C a +125°C.
• Caída de tensión: 1,1 V (VF) máx.
• Corriente en sentido directo: 1ª (lf).
• Corriente máxima de pico: 30ª (lfsm) máx.
• Encapsulado: es de tipo DO-41
APLICACIONES
• Fuentes de alimentación.
• Otros dispositivos que lo requieran
El diodo zener es un diodo especial que trabaja exclusivamente
en la zona de característica inversa y, en particular, en la zona
del punto de ruptura de su característica inversa.
Esta tensión de ruptura depende de las características de
construcción del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios.
Polarizado en directa actúa como un diodo normal y por tanto
no se utiliza en dicho estado.
EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que
originan, debido a la característica constitución de los mismos,
fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los enlaces
entre los átomos dejando así electrones libres capaces de
establecer la conducción. Su característica es tal que una vez
alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la
corriente a su través un determinado valor mínimo, la tensión en
bornes del diodo se mantiene constante e independiente de la
corriente que circula por el.
El diodo laser (LD) es un dispositivo semiconductor similar a aun
led pero que bajo condiciones adecuadas emiten luz laser.
Cuando la estructura de un led se introduce a una cavidad
resonante formada al pulir las caras a los extremos.
Los diodos laser se usan frecuentemente en dispositivos de
almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica de alta
velocidad.
CARACTERISTICAS:
• Diodo laser: de color rojo
• Forma de laser: punto.
• Longitud de onda: 650 nm
• Potencia: 5 mW
• Voltaje de operación: 5V
• Consumo de corriente: 27 mA aproximadamente.
• Polaridad: cable rojo +, cable azul-
• Temperatura de operación: -1010°C a +40°C
• El modulo incorpora el diodo laser, lente, resistencia
limitadora de 91Ω, carcaza y cables de conexión
• Carcaza metálica.
• Diámetro de la carcaza: 6mm
El fotodiodo es un semiconductor con una unión PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que producirá una cierta circulación de corriente cuando
sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan
como células fotovoltaicas, es decir en ausencia una fuente exterior de energía
generan una corriente muy pequeña con el positivo en el ánodo en el cátodo.
Aplicaciones:
• Transmisiones rápidas de datos
• Aparatos de medición ópticos
• Cortinas de luz
CARACTERÍSTICAS:
• Fotodiodo (receptor) tipo PIN
• Material semiconductor: Silicio
• Longitud de onda de sensibilidad pico: 950 nm
típica
• Alta sensibilidad
• Sensibilidad al espectro completo de luz visible y
al infrarrojo cercano
• Rango espectral: 350 nm a 1120 nm
• Potencia disipada máx.: 215 mW
• Corriente en inverso y en oscuridad: 150 pA
• Voltaje inverso máx.: 60V
• Tiempos de respuestas rápidos
• Tiempo de subida 100ns
• Tiempo de bajada: 100ns
• Angulo de sensibilidad media : + - 20°
• Diámetro: 3mm
• Encapsulado: T-1
El diodo led es un diodo formado por un semiconductor con
huecos en su banda de energía, tal como arseniuro de galio, los
portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando
se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado.
Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden
producir varia desde el infrarrojo hasta las longitudes de ondas
cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos
dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1v
corresponde al rojo, 4..0 v al violeta.
APLICACIONES:
En tecnologías de iluminación
Compuesto Color Long. de onda
arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940 nm
arseniuro de
galio y aluminio (AlGaAs)
rojo e infrarrojo 890 nm
arseniuro fosfuro de
galio (GaAsP)
rojo, anaranjado y amarillo 630 nm
fosfuro de galio (GaP) verde 555 nm
nitruro de galio (GaN) verde 525 nm
seleniuro de cinc (ZnSe) azul
nitruro de galio e indio (InGaN) azul 450 nm
carburo de silicio (SiC) azul 480 nm
diamante (C) ultravioleta
silicio (Si) en desarrollo
Compuestos empleados en la construcción de led
CARACTERISTICAS:
• Material semiconductor: InGaN
• Tipo de lente: transparente
• Color de emisión: Azul- Alto brillo
• Voltaje en directo: 2.8 a 3.5 V
• Longitud de onda dominante: 460 a 470 nm
• Intensidad luminosa: 800 a 1200 mcd
• Corriente en inverso máx.: 10 uA
• Angulo de visión: 35°
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/151048/EIC/R2KY.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
http://www.electronicoscaldas.com/diodos-led/449-diodo-led-laser-yd0506650-1.html
http://www.electronicoscaldas.com/diodos-y-puentes/568-diodos-zener.html
http://www.diodes.com/datasheets/ds28002.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_l%C3%A1ser
http://www.electronicoscaldas.com/sensores-de-luz-visible/587-fotodiodo-
tefd4300.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Fotodiodo
http://www.bolanosdj.com.ar/TEORIA/SENSORESOPTICOS.PDF
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
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El diodo

  • 1. INGENIERÍA DE SISTEMAS CURSO : FÍSICA ELECTRÓNICA ALUMNO: OSCAR RAUL HUAMANI AÑANCA PROFESOR: JORGE CARMONA
  • 2. El diodo es un componente electrónico de dos terminadles que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de el en un solo sentido. Este termino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el mas común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo vacío con dos electrodos: una lamina como ánodo, y un cátodo. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I- V)consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como circuito abierto(no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado como una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento esta basado en los experimentos de Lee De Forest.
  • 3. Es uno de los diodos muy utilizados en infinidad de equipos electrónicos. Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en directa. CARACTERISTICAS PRINCIPALES • Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM) máx. • Tensión máxima en un circuito rectificador de media onda con carga capacitiva: 500 V (Vef) • Rango de temperatura: -65°C a +125°C. • Caída de tensión: 1,1 V (VF) máx. • Corriente en sentido directo: 1ª (lf). • Corriente máxima de pico: 30ª (lfsm) máx. • Encapsulado: es de tipo DO-41 APLICACIONES • Fuentes de alimentación. • Otros dispositivos que lo requieran
  • 4. El diodo zener es un diodo especial que trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su característica inversa. Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actúa como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado. EFECTO ZENER El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan, debido a la característica constitución de los mismos, fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción. Su característica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la corriente a su través un determinado valor mínimo, la tensión en bornes del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por el.
  • 5.
  • 6.
  • 7. El diodo laser (LD) es un dispositivo semiconductor similar a aun led pero que bajo condiciones adecuadas emiten luz laser. Cuando la estructura de un led se introduce a una cavidad resonante formada al pulir las caras a los extremos. Los diodos laser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica de alta velocidad.
  • 8. CARACTERISTICAS: • Diodo laser: de color rojo • Forma de laser: punto. • Longitud de onda: 650 nm • Potencia: 5 mW • Voltaje de operación: 5V • Consumo de corriente: 27 mA aproximadamente. • Polaridad: cable rojo +, cable azul- • Temperatura de operación: -1010°C a +40°C • El modulo incorpora el diodo laser, lente, resistencia limitadora de 91Ω, carcaza y cables de conexión • Carcaza metálica. • Diámetro de la carcaza: 6mm
  • 9. El fotodiodo es un semiconductor con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir en ausencia una fuente exterior de energía generan una corriente muy pequeña con el positivo en el ánodo en el cátodo. Aplicaciones: • Transmisiones rápidas de datos • Aparatos de medición ópticos • Cortinas de luz
  • 10. CARACTERÍSTICAS: • Fotodiodo (receptor) tipo PIN • Material semiconductor: Silicio • Longitud de onda de sensibilidad pico: 950 nm típica • Alta sensibilidad • Sensibilidad al espectro completo de luz visible y al infrarrojo cercano • Rango espectral: 350 nm a 1120 nm • Potencia disipada máx.: 215 mW • Corriente en inverso y en oscuridad: 150 pA • Voltaje inverso máx.: 60V • Tiempos de respuestas rápidos • Tiempo de subida 100ns • Tiempo de bajada: 100ns • Angulo de sensibilidad media : + - 20° • Diámetro: 3mm • Encapsulado: T-1
  • 11. El diodo led es un diodo formado por un semiconductor con huecos en su banda de energía, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir varia desde el infrarrojo hasta las longitudes de ondas cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1v corresponde al rojo, 4..0 v al violeta. APLICACIONES: En tecnologías de iluminación
  • 12. Compuesto Color Long. de onda arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940 nm arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) rojo e infrarrojo 890 nm arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) rojo, anaranjado y amarillo 630 nm fosfuro de galio (GaP) verde 555 nm nitruro de galio (GaN) verde 525 nm seleniuro de cinc (ZnSe) azul nitruro de galio e indio (InGaN) azul 450 nm carburo de silicio (SiC) azul 480 nm diamante (C) ultravioleta silicio (Si) en desarrollo Compuestos empleados en la construcción de led
  • 13. CARACTERISTICAS: • Material semiconductor: InGaN • Tipo de lente: transparente • Color de emisión: Azul- Alto brillo • Voltaje en directo: 2.8 a 3.5 V • Longitud de onda dominante: 460 a 470 nm • Intensidad luminosa: 800 a 1200 mcd • Corriente en inverso máx.: 10 uA • Angulo de visión: 35°