1. COMPUTACIÓN
Licenciatura en Enfermería
Grupo 2-A
Equipo 1
 Ana Deisy Zamora López
 Leticia Enríquez Sevilla
 Porfirio Fernández Hernández
 Romario Antonio Ángeles
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2.  Guarda todos los datos
que son procesados en
la computadora
 Dicho almacenamiento
es temporal.
 Se encuentra insertada
en la tarjeta madre
 Utiliza
microconductores
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3.  Desde 1980, unidad dividida en celdas que se
identifican mediante una dirección.
 Cada celda soporta un bit de información, se
agrupan para formar palabras.
 Longitud de la palabra determina el # de bits.
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4. CAPACIDAD O
TAMAÑO
TIEMPO DE ACCESO TAMAÑO DE CELDA
Número de posiciones que
contiene.
se expresan en K palabras
Palabras de 8, 16, 32, 64 bits
y
Capacidades de: 8, 16, 64,
128 K, etc
Tiempo que interviene la
computadora desde que se
emite la orden de lectura-
escritura, hasta que finaliza
la misma.
Depende de la potencia
de la computadora.
Velocidad de la
memoria: rapidez con la
que se genera una
respuesta al recibir una
solicitud en
nanosegundos (ns) o
megaherts (MHz)
Define su anchura de
palabra, y viene fijado por
el ancho del registro de
información de memoria
Posee una menos
capacidad de
almacenamiento que la
secundaria, sin embargo
tiene una mayor
velocidad.
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5. 5

6. RAM
•Almacena temporalmente
programas, datos y resultados
ejecutados.
•Su contenido puede ser modificado
•Es acceso aleatorio o directo.
•Estáticas(SRAM): almacena una ¼
parte de la información.
•Dinámicas (DRAM): no requiere ser
actualizada.
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7. •Proposito especial
•acceso silmutaneo
•Mejor rendimiento
gráfico.
VRAM (VIDEO
RAM)
•Acceso simultaneo
•Optimizada para
presentación de un gran
numero de colores y
para altas resoluciones
de pantalla.
WRAM
(WINDOWS
RAM)
•Ofrece las
sorprendentes
capacidades de la
memoria SDRAM para
las tarjetas gráficas.
SGRAM
(Synchronous
Graphic RAM)
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8. ROM
Es sólo de lectura, por lo que no
puede ser modificada
• Almacenan los valores
correspondientes a las rutinas
de arranque o inicio del sistema
y a su configuración
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9. PROM o ROM
programable
una sola
vez
EPROM
(Erasable
PROM) o
RPROM
(Reprogramable
ROM)
EAROM
(Electrically
Alterable ROM)
o EEROM
(Electrically
Erasable ROM)
Memorias
FLASH.
PUEDEN DISTINGUIRSE LAS SIGUIENTES
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10. Rutina de arranque o POST
(Power On Self Test, auto
diagnóstico de encendido)
Rutina BIOS o Sistema Básico de
Entrada-Salida (Basic Input-
Output System)
 Realiza el chequeo de los
componentes de la
computadora.
 SETUP: es una interfaz por
medio de la cual se puede
controlar y/o modificar
algunos parámetros del B.I.O.S.
 Permite la activación de los
periféricos de entrada/salida.
 Permanece activa mientras se
está usando el computador
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11. Memoria Caché o
RAM Caché
•Es auxiliar de alta velocidad
•Es una copia de acceso
rápido de la memoria
principal almacenada en los
módulos de RAM.
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12. Nivel 4 (L4): Se
encuentra ubicado en
los periféricos y en
algunos procesadores
como el Itanium.
Nivel 3 (L3): Se encuentra en
algunas placas base,
procesadores y tarjetas de
interfaz.
Nivel 2 (L2): Conocido como caché externo,
inicialmente se instalaba en la placa base
(en el exterior de la CPU).
Nivel 1 (L1): Conocido como caché interno, es el nivel más
cercano a la CPU
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13. Memoria RAM como caché Disco duro como caché
Las unidades de almacenamiento
secundario y otros
periféricos utilizan la memoria RAM
como sistema de caché.
Se emplea al disco duro como caché a
dispositivos aún más
lentos (unidades CD-ROM).
Almacena direcciones concretas de
sectores, almacena una copia del
directorio y en
algunos casos almacena porciones o
extensiones del programa o
programasen
ejecución.
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14. Tarjetas de circuito impreso (PBC):
 Tarjeta de color marrón o verde
 Formada de varias capas que
contiene un conjunto de circuitos,
que realiza el movimiento de los
datos.
Puntos de contacto (llamados
conectores):
 cubiertos de estaño y algunos de
oro.
 Mediante ello se logra la conexión
a los sockest , esto permite la
transferencias de datos a la tarjeta
madre y viceversa.
Capa de rastreo interno: son los
cambios de la tarjeta PBC, por donde
viajan los datos.
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Chip de memoria: son pequeños
rectángulos que están soldados en la
tarjetas de circuito impresos.
Condensadores: es donde se
almacenan los unos y ceros que
continuamente se están cargando.

15.  Método de acceso.
 La alterabilidad.
 Volatilidad
 Duración de la información.
 Proceso de lectura.
 Tipo de empaquetado.
 Factor forma.
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16.  Acceso Aleatorio (RAM): Con acceso directo y tiempo
de acceso constante independiente de la posición de la
memoria.
 Acceso Secuencial (SAM): Tiempo de acceso
dependiente de la posición de la memoria.
 Acceso Directo (DAM): Acceso directo a un sector con
tiempo dependiente de la posición.
 Asociativas (CAM): Acceso por contenido.
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17.  RAM: lectura y escritura.
 ROM: memoria de solo lectura.
Información escrita de fábrica
sin posibilidad de modificación.
 PROM: Memoria programable
una sola vez.
 EPROM: Memoria
reprogramable cuyo contenido
puede borrarse y volverse a
escribir.
 EEPROM: Memorias
programables de solo lectura
borrables eléctricamente.
 Memoria Flash: Memoria de
programacion y reprogramacion
de contenido de larga duracion,
hasta 100 mil ciclos de escritura.
 EAROM: Memorias entre las
RAM y ROM, ya que su
contenido se puede volver a
escribir por medios eléctricos,
pero con la diferencia que no
son volátiles como las RAM.
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18.  Volátiles: Necesitan la
fuente de energía para
mantener la
información.
 No Volátiles:
Mantienen la
información sin aporte
de energía.
 Estáticas: Contenido
inalterable mientras
esté polarizado.
 Dinámicas:
Contenido que dura
un corto tiempo,
necesita reescribirse
periódicamente.
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19.  De lectura destructiva:
Necesitan reescritura
después de una lectura.
 De lectura no
destructiva: No
necesitan reescritura.
 DIP: Bloque con dos
hileras paralelas de pines
 SIP: Circuitos integrados
encerrados en un solo
paquete o módulo, los
cuales se pueden apilar en
posición vertical en un
sustrato.
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20.  SIPP: Pines en línea simple que contenían
varios chips de memoria RAM y una única
hilera de patas a lo largo de la parte inferior.
 SIMM: Placas de circuito impreso sobre las
que se montan los integrado de la memoria
DRAM; los contactos en ambas caras están
interconectados
 DIMM: Circuito impreso, contiene chips de
memoria en ambos lados de la placa de
circuito impresa, reconocibles por poseer sus
contactos separados en ambos lados.
 SO DIMM: Versión compacta de la DIMM
diseñada para computadoras portátiles
 RIMM: Módulos de memoria RAM con
tecnología RDRAM, cuenta con 184 pines y
requiere difusores de calor.
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21.  RDRAM: Es una tecnología que
evita los cuellos de botella entre
tarjeta gráfica y la memoria de
sistema durante el acceso directo a
memoria para el almacenamiento de
texturas gráficas.
 RAM DISK: RAM configurada para
simular un disco duro.
 FPM: Memoria en modo paginado
 PB SRAM: Denominado “Pipeline”,
conjunto de técnicas que
proporcionan un proceso
simultáneo o en paralelo dentro de
la computadora.
 EDO-RAM: Evolución de la FPM,
pero más rápida.
 BEDO-RAM: Soporta mayores
velocidades de BUS, evolución de la
EDO RAM y competidora de la
SDRAM.
 SDRAM: Memoria RAM dinámica
de acceso síncrono, 20% más rápida
que la RAM EDO, se sincroniza con
el procesador.
 PC-100 DRAM: Tipo de memoria
con tecnología SDRAM.
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