SEMICONDUCTORES




Alumno : Jorge Ramón Chipoco Romero
Carrera : Ingeniería de Sistemas Ciclo :
IV
Profesor : Mendoza Nolorbe Juan
SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un elemento que se
comporta       como       un     conductor      o
como aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo el campo eléctrico o
magnético, la presión, la radiación que le incide,
o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre.      Los      elementos      químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican
en la tabla adjunta.
LOS MAS USADOS…
El elemento semiconductor más usado es
el silicio, el segundo el germanio, aunque
idéntico    comportamiento    presentan    las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y
13 con los de los grupos 14 y 15
respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado
a emplear también el azufre. La característica
común a todos ellos es que son tetravalentes,
teniendo     el   silicio una    configuración
electrónica s²p².
SEMICONDUCTORES
INTRINSECOS
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente
se comporta como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos debidos a la
energía térmica.
En un semiconductor intrínseco también hay flujos
de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción
de la energía térmica se producen los electrones
libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos
electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.
La tensión aplicada en la figura forzará a los
electrones libres a circular hacia la derecha (del
terminal negativo de la pila al positivo) y a los
huecos hacia la izquierda.
MOVIMIENTO DE
ELECTRONES
Cuando los electrones libres llegan la extremo
derecho del cristal, entran al conductor externo
(normalmente un hilo de cobre) y circulan hacia
el terminal positivo de la batería. Por otro lado,
los electrones libres en el terminal negativo de la
batería fluirían hacia el extremos izquierdo del
cristal. Así entran en el cristal y se recombinan
con los huecos que llegan al extremo izquierdo
del cristal. Se produce un flujo estable de
electrones libres y huecos dentro del
semiconductor.
SEMICONDUCTORES
DOPADOS
Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el
positivo de la pila intentará atraer los electrones
y el negativo los huecos favoreciendo así la
aparición de una corriente a través del circuito
CORRIENTES

Ahora bien, esta corriente que aparece es de
muy pequeño valor, pues son pocos los
electrones que podemos arrancar de los enlaces
entre los átomos de silicio. Para aumentar el
valor de dicha corriente tenemos dos
posibilidades:
 Aplicar una tensión de valor superior

 Introducir previamente en el semiconductor

electrones o huecos desde el exterior
DOPAJE
La primera solución no es factible pues, aún
aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la
corriente que aparece no es de suficiente valor. La
solución elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor
está "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio
por átomos de otros elementos. A estos últimos se les
conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del
tipo de impureza con el que se dope al semiconductor
puro o intrínseco aparecen dos clases de
semiconductores.
 Semiconductor tipo P

 Semiconductor tipo N

4. semiconductores

  • 1.
    SEMICONDUCTORES Alumno : JorgeRamón Chipoco Romero Carrera : Ingeniería de Sistemas Ciclo : IV Profesor : Mendoza Nolorbe Juan
  • 2.
    SEMICONDUCTORES Un semiconductor esun elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
  • 3.
    LOS MAS USADOS… Elelemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
  • 4.
    SEMICONDUCTORES INTRINSECOS Es un semiconductorpuro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
  • 5.
  • 6.
    Cuando los electroneslibres llegan la extremo derecho del cristal, entran al conductor externo (normalmente un hilo de cobre) y circulan hacia el terminal positivo de la batería. Por otro lado, los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirían hacia el extremos izquierdo del cristal. Así entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo izquierdo del cristal. Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.
  • 7.
    SEMICONDUCTORES DOPADOS Si aplicamos unatensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito
  • 8.
    CORRIENTES Ahora bien, estacorriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:  Aplicar una tensión de valor superior  Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
  • 9.
    DOPAJE La primera soluciónno es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.  Semiconductor tipo P  Semiconductor tipo N