 Los semiconductores son elementos que pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como la temperatura o la radiación. El silicio y el germanio son los semiconductores más usados.  Un semiconductor intrínseco es puro y se comporta como aislante a temperatura ambiente, mientras que uno dopado se vuelve conductor tras agregar impurezas tipo P o N para aumentar los huecos o electrones.

2. SEMICONDUCTOR
 Semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión,
la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el
que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de
la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
 El elemento semiconductor más usado es el SILICIO, el segundo
el GERMANIO, aunque idéntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear
también el AZUFRE. La característica común a todos ellos es
que son tetravalentes, teniendo el silicio una CONFIGURACIÓN
ELECTRONICAS s²p².

4. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que
dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conducción.
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un
aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos
a la energía térmica.

5. En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos,
aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción
de la energía térmica se producen los electrones libres y los huecos por pares,
por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente
total es cero.

6. los electrones
factibles de
ser liberados
de la fuerza
de atracción
del núcleo
son cuatro

7. ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía.
Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un
cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se
comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

8. SEMICONDUCTORES
DOPADOS
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al
proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con
el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas
utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado que
actúa más como un conductor que como un semiconductor es
llamado degenerado.

9. El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se
agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1
cada100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.

10.  Adición de un elemento de impureza a un semiconductor puro donde
los electrones libres y huecos se encuentran en igual número y son
producidos únicamente por la agitación térmica para así cambiar su
conductividad.
 Las impurezas donadas o pentavalentes aumentan el número de
electrones libres

11. SEMICONDUCTORES DOPADOS
 Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila
intentará atraer los electrones y el negativo los huecos
favoreciendo así la aparición de una corriente a través del
circuito

12. SEMICONDUCTORES DOPADOS
 Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al
semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de
semiconductores.
• Semiconductor tipo P
• Semiconductor tipo N

13. SEMICONDUCTOR TIPO P
 Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten
la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los
mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este
tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón.
Suelen ser de valencia tres, como
 el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es
neutro, por lo que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal,
pero debido a que
 solo tiene tres electrones en su última capa de valencia, aparecerá una
ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de los átomos próximos,
generando
 finalmente más huecos que electrones, por lo que los primeros serán
los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios.

14. SEMICONDUCTOR TIPO P
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio
por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le
falta un electrón y, por tanto, es donado un
hueco de electrón.

15. SEMICONDUCTOR TIPO N
 Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos.
Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan
electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo.
De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que
el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un
electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman la
estructura original, por lo que la energía necesaria para separar lo del
átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el
cristal de silicio (o del semiconductor original).
 Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más
débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es también conocido como material donante ya que da
algunos de sus electrones.

16. SEMICONDUCTOR TIPO N
El siguiente es un
ejemplo de dopaje
de Silicio por el
Fósforo (dopaje N).
En el caso del
Fósforo, se dona un
electrón.

17. FUENTES DE INFORMACIÓN
Electrónicas:
http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dop
ado.asp
https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:fETr8RK0P0kJ:www.uv.es/candid
/docencia/ed_tema-
02.pdf+semiconductores+intrinsecos&hl=es&gl=pa&pid=bl&srcid=ADGEESjhmyE
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