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EL DIODO
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación
de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente
se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de
una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos.
-Diodo semiconductor:
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio
con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativa
(electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos
regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El
cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la
dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al
cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
-Curva característica del diodo.
-Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ): La tensión
umbral (también llamada barrera de potencial) de
polarización directa coincide en valor con la tensión de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial
inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensión externa supera la tensión
umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeños incrementos de tensión se producen
grandes variaciones de la intensidad de corriente.
-Corriente máxima (Imax ): Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que
puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
-Corriente inversa de saturación (Is ): Es la pequeña corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la
temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10 °C en la
temperatura.
-Corriente superficial de fugas: Es la pequeña corriente que circula por la superficie del
diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
-Tensión de ruptura (Vr ): Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
-Tipos de diodo semiconductor.
-Diodo avalancha: Diodos que conducen en dirección contraria cuando el voltaje en
inverso supera el voltaje de ruptura. Eléctricamente son similares a los diodos Zener,
pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo
eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a
una avalancha, produciendo una corriente.
- Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y,
alineados, constituyen detectores multicanal que permiten
obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los
fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos)
en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones).
- Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo
cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra
un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte
de carbón. El cable forma el ánodo y el cristal forma el cátodo.
Los diodos de cristal tienen una gran aplicación en los radio a
galena.
- Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a
la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales análogo al
diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través de ellos para
alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico. También suele
llamarse CLDs (por sus siglas en inglés) o diodo regulador de corriente.
- Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una resistencia
negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y
circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta
concentración de carga, los diodos túnel son muy rápidos, pueden
usarse en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran
magnitud y en entornos con radiación alta. Por estas propiedades,
suelen usarse en viajes espaciales.
- Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales
como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo
condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y
propagación a través del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.
- Diodo emisor de luz: Es un diodo formado de un semiconductor
con huecos en su banda de energía, tal como arseniuro de galio,
los portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones
cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro
lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se
pueden producir varía desde el infrarrojo hasta longitudes de
onda cercanas al ultravioleta.
- Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una
cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede
formar un láser. Los diodos láser se usan frecuentemente en
dispositivos de almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica
de alta velocidad.
- Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales usados
para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la
temperatura, y para refrigeradores termoeléctricos para la
refrigeración termoeléctrica. Los refrigeradores
termoeléctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no
tienen ninguna unión de rectificación, aprovechan el
comportamiento distinto de portadores de carga de los
semiconductores tipo P y N para transportar el calor.
- Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de carga ópticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de
los semiconductores están empacados en materiales que
bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la función de
ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que están empacados en
materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN
(tipo de diodo más sensible a la luz).
- Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de
unión mencionados anteriormente aunque su construcción es más simple. Se fabrica
una sección de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor.
- Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o
en otras palabras una capa intrínseca formando una estructura p-
intrínseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y
atenuadores. También son usados como detectores de radiación
ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN
también se usan en la electrónica de potencia y su capa central
puede soportar altos voltajes.
- Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que
los diodos pn. Su tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en
el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace útiles en aplicaciones
de fijación y prevención de saturación en un transistor. También
se pueden usar como rectificadores con bajas pérdidas aunque su
corriente de fuga es mucho más alta que la de otros diodos.
- Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en
Directa) es un tipo especial de diodo de silicio cuyas características de
tensión en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos
están diseñados especialmente para aplicaciones de estabilización en
bajas tensiones donde se requiera mantener la tensión muy estable
dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.
JOSE NEYER ALVAREZ VICTORIA

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DIODOS

  • 1. EL DIODO Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. -Diodo semiconductor: Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones). -Curva característica del diodo. -Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ): La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. -Corriente máxima (Imax ): Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
  • 2. -Corriente inversa de saturación (Is ): Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura. -Corriente superficial de fugas: Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas. -Tensión de ruptura (Vr ): Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. -Tipos de diodo semiconductor. -Diodo avalancha: Diodos que conducen en dirección contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Eléctricamente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a una avalancha, produciendo una corriente. - Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). - Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbón. El cable forma el ánodo y el cristal forma el cátodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicación en los radio a galena. - Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales análogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través de ellos para alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico. También suele llamarse CLDs (por sus siglas en inglés) o diodo regulador de corriente. - Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una resistencia negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentración de carga, los diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran magnitud y en entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.
  • 3. - Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagación a través del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia. - Diodo emisor de luz: Es un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de energía, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir varía desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. - Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un láser. Los diodos láser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica de alta velocidad. - Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales usados para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoeléctricos para la refrigeración termoeléctrica. Los refrigeradores termoeléctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unión de rectificación, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor. - Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de carga ópticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores están empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la función de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que están empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo más sensible a la luz). - Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unión mencionados anteriormente aunque su construcción es más simple. Se fabrica una sección de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor.
  • 4. - Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o en otras palabras una capa intrínseca formando una estructura p- intrínseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. También son usados como detectores de radiación ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN también se usan en la electrónica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. - Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto de semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace útiles en aplicaciones de fijación y prevención de saturación en un transistor. También se pueden usar como rectificadores con bajas pérdidas aunque su corriente de fuga es mucho más alta que la de otros diodos. - Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo de silicio cuyas características de tensión en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos están diseñados especialmente para aplicaciones de estabilización en bajas tensiones donde se requiera mantener la tensión muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura. JOSE NEYER ALVAREZ VICTORIA