Un diodo es un componente electrónico que permite el flujo de corriente eléctrica en una sola dirección. Se compone de dos materiales semiconductores con cargas opuestas unidos entre sí. Los diodos más comunes son de silicio o germanio y contienen una región tipo P y otra tipo N unidas en una unión PN que actúa como barrera para el flujo de corriente en una dirección.

4. Un diodo es un componente electrónico de
dos terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo
sentido. Este término generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor, el más
común en la actualidad; consta de una pieza
de cristal semiconductor conectada a dos
terminales eléctricos.

5. Los primeros diodos eran válvulas o tubos de
vacío, también llamados válvulas termoiónicas
constituidos por dos electrodos rodeados de
vacío en un tubo de cristal, con un aspecto
similar al de las lámparas incandescentes.

7. En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos
materiales semiconductores con contenido de carga
opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor
comosilicio o germanio excesivamente cargado de partículas
negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo
semiconductor con la diferencia de que este tiene la
ausencia de cargas negativas.Cuando se aplica un voltaje de
paralización directa (voltaje de corriente directa) la región
iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el
material tipo n pueden superar la barreranegativa restante
iones positivos y continuar su camino hasta el potencial
aplicado.

8. Los diodos prácticos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor, en la que un lado secontamina con material de tipo de y el otro
con material de tipo n.
Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres;
germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicioha reemplazado al
germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la
operación a temperaturas más altas, y los costosde material son mucho
menores. El arsenurio de galio esparticularmente útil en aplicaciones de alta
frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el
cambiode material de tipo p a tipo n en el cristal varía con la técnica
defabricación. La característica esencial de la unión pn es que el cambio en la
concentración de impurezas se debe producir en una distancia relativamente
corta. De otra manera, la unión no se comporta como un diodo.