Tipos de memoria

TIPOS DE MEMORIAS:
Parámetros y características: Capacidad, velocidad, voltaje de
operación.
Arquitectura y funcionamiento, tipos de tecnología.

Que es una memoria: es un aparato o un dispositivo capaz de mantener o
almacenar un tipo de información, esta información es utilizada para ser
almacenada o retenida para cumplir un serie de procesos electrónicos según el
dispositivo que la requiera, generalmente es un chip que junto con otros
componetes se completa para llevar a cabo su labor, las memorias las
encontramos hoy en dia en todos los dispositivos electrónicos sobre todo
aquellos que manejen algún tipo de software como neveras, televisores,
celulares, dvds, computadores, mp3, etc. Se han vuelto muy importantes en la
vida del hombre.

Memorias de en un computador.

Memoria ram:
En ingles que significa ramdom access memory o memoria de acceso aleatorio.
Es un tipo de memoria basada en los semiconductores, los avances
tecnológicos las han hecho con el pasar de los años dispositivos muy eficientes
ya que cada vez mas mejoran sus aspectos como pueden ser: su velocidad,
capacidad, tecnología etc. Una de las características mas destacadas de este
tipo de memoria es que tiene la capacidad de ser leída o escrita por el
microprocesador u otros dispositivos de hardware acoplados al computador es
decir es un tipo memoria tanto de lectura como de escritura a diferencia de la
ROM que es solo de lectura. También es característica porque esta memoria
almacena o carga los procesos que requiera un computador para su buen
funcionamiento de una forma temporal, es decir que mientras el computador se
encuentre encendido esta puede guardar información necesaria para que el
computador complete sus tareas pero una vez que el ordenador se apaga, la
memoria es borrada y será nuevamente utilizada cuando el ordenador este otra
vez en funcionamiento ha esta característica se le llama volátil es decir la
memoria ram es volátil por que cumple este tipo de función.

Para que sirve:

La memoria ram sirve para cargar lo procesos que un procesador necesita para
poder manejar la información esta memoria guarda los nuevos datos que se
están creando en el ordenador como puede ser mientras se esta escribiendo
un archivo de texto, la memoria ram gurda esta información hasta que el
usuario decida grabarla en otro dispositivo como el disco duro, memoria flash,
CD, etc.

La memoria ram es muy importante, es la intercesora entre la información y el
procesador, esta memoria permite que ordenador trabaje más rápido. Si no

hubiera una memoria ram el procesador cuando debería realizar alguna tarea
tendría que ingresar a la imforacion del disco duro como puede ser la ejecución
de un programa y cuando nesecite otro tipo de información tendría que volver a
hacerlo es decir instrucción por instrucción lo que haría muy lento el trabajo del
computador porque este proceso hace que el procesamiento de la información
sea lento, cuando la memoria ram se invento se descubrió que el procesador
podía acceder muchísimo mas rápido a esta memoria que a la del disco duro u
otro dispositivo de almacenamiento, por lo tanto el sistema que se maneja es
así. La memoria ram carga todas las instrucciones que el procesador debe de
hacer una vez que lo hace puede interactuar mas rápido con los programas o
información del disco duro es como un atajo que hay entre si lo que hace que el
trabajo del ordenador sea mucho mas rápido y eficiente. Eficiente.

TIPOS Y FUNCIONAMIENTO
Todas hacen la misma función, pero entre ellas las diferenciamos por el tiempo
de acceso y la capacidad, o por el modo como trabajan:

 DRAM (Dynamic Random Access Memory): Tipo de memoria de gran
capacidad, pero que precisa ser constantemente refrescada (re-
energizada) o perdería su contenido.
 FPM (Fast Page Mode) DRAM: Este tipo de chip de memoria es una
mejora con respecto a la anterior, ya que con ella se logra acceder más
rápidamente a la información. Actualmente tecnología ya está obsoleta,
viéndose reemplazada por la SDRAM.
 EDO (Extended Data Out) DRAM: Es similar a la FPM con una leve
modificación. La ventaja principal de la EDO es que mantiene la
información disponible por más tiempo, acortando la secuencia de
lectura de la memoria. Su funcionamiento es entre un 10% y 20% más
rápido que la FPM. Esta tecnología finalizó su producción a fines del año
2000.
 SDRAM (Synchronous DRAM) o DRAM Sincrónica: Es el cambio más
radical y reciente en tecnologías de memorias, porque la extracción de
información está sincronizada con el reloj de la placa base que controla
la CPU. Al existir este sincronismo con el procesador, se eliminan en
gran medida los tiempos de espera, lo que redunda en un manejo de la
información más eficiente. En 1998, SDRAM se convirtió en el estándar
de memoria de la mayoría de los ordenadores.
 SDRAM II o DDR (Double Date Rate): Es la generación actual de
SDRAM. Se basa en el mismo principio de la SDRAM, pero duplica su
velocidad de lectura de información.
 RDRAM (Rambus Dynamic RAM): Es usada en la industria del
entretenimiento, estaciones gráficas y trabajo con video.
 Direct RDRAM: Es la tercera generación de Rambus. Se comercializa
en módulos RIMM y SORIMM
 LA BIOS


 El BIOS (Basic Input-Output System) es un sistema básico de
entrada/salida que normalmente pasa inadvertido para el usuario final de
computadoras. Se encarga de encontrar el sistema operativo y cargarlo
en memoria RAM. Posee un componente de hardware y otro de
software, este último brinda una interfaz generalmente de texto que
permite configurar varias opciones del hardware instalado en la PC,
como por ejemplo el reloj, o desde qué dispositivos de almacenamiento
iniciará el sistema operativo (Windows, GNU/Linux, Mac OS X, etc.).
 El BIOS gestiona al menos el teclado de la PC, proporcionando incluso
una salida bastante básica en forma de sonidos por el parlante
incorporado al gabinete cuando hay algún error, como por ejemplo un
dispositivo que falla o debería ser conectado. Estos mensajes de error
son utilizados por los técnicos para encontrar soluciones al momento de
armar o reparar un equipo. Basic Input/Output System - Sistema básico
de entrada/salida de datos). Programa que reside en la memoria
EPROM (Ver Memoria BIOS no-volátil). Es un programa tipo firmware.
La BIOS es una parte esencial del hardware que es totalmente
configurable y es donde se controlan los procesos del flujo de
información en el bus del ordenador, entre el sistema operativo y los
demás periféricos. También incluye la configuración de aspectos
importantísimos de la máquina.


Memoria rom: (read only memory) memoria de solo lectura:
Esta solada o conectada a la placa madre es una clase de medio de almacenamiento
utilizado en los ordenadores y otros dispositivos electrónicos. Los datos almacenados en
la ROM no se puede modificar -al menos no de manera rápida o fácil- y se utiliza
principalmente para contener el firmware (software que está estrechamente ligada a
hardware específico, y es poco probable que requieren actualizaciones frecuentes).

En la memoria ROM se guarda la información que es necesario
conocer para la puesta en marcha del ordenador. La ROM interviene
de forma casi exclusiva en el proceso de arranque o encendido del
equipo. Durante este proceso se realiza un pequeño test en el que se
comprueba que todos los periféricos están conectados correctamente
y que no hay ningún problema en ellos. Si todo es correcto, se da
paso a la carga del sistema operativo, en caso contrario, se muestra

un mensaje de error en pantalla y una serie de pitidos avisan del tipo
de error encontrado.

Caracteristica:
Esta memoria en un computador contiene el programa del bios, que es importante para
el reconocimiento de dispositivos, antiguamente los ordenadores manejaban su sistema
operativo en la memoria romsi este se queria actualizar habia que remplazar la rom por
otra, esto se hacia asi tubieran la capacidad de tener discos de almacenamiento masivo
como los discos duros ya que inicialmente la memoria rom era mucho mas facil y
rapida de leer para el procesador esta tiene que primero cargar su imformacion en la
memoria ram para luego ser ejecutada por el procesador.
Las memorias rom las encontramos en la mayoria de dispositivos electrónicos tales
como, celulares, equipos de sonido, televisores etc, a estas se les atribuye el sistem
operativo que se le denomina firmaware. Auque tambien estos dispositivos tiene sus
sistema en memorias tipo flash.
El contenido de estas memorias no es vaciado cuando se apaga el ordenador por lo
tanto no es una memoria volátil,
Un claro ejemplo de memorias rom los encotramos en videojueos como el nintendo 64,
game boy, supernintento, sega. Estos requieren la introducción de un cartucho que es
una memoria rom que contiene la información necesaria para ejecutar el juego.

Tipos de memoria rom:

 PROM (Programmable Read-Only Memory): Memoria
inicialmente vacía que sólo permite una única grabación. Para
grabar en ella es necesario disponer de un dispositivo especial,
llamado programador PROM. La escritura en la memoria PROM
se hace fundiendo sus fusibles, este es el motivo por el que se
puede grabar en ella una única vez.

Las podemos encontrar en dispositivos que tengan memorias de
funciones en ese caso esas serian las memorias prom. Su estado
del fusible siempre esta en 1 bit y cuando son grabadas pasan a 0.

 EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory):
Similar a la anterior, pero permite múltiples grabaciones. Para
escribir datos en ella es necesario disponer de un programador
EPROM y para vaciarla es necesario exponerla a una luz
ultravioleta.

.

son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable
borrable de sólo lectura). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por
el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante,
cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 0 (por eso,
una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un
dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados
en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a
una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los
electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen
fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la
cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-
Time Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROM
es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones
OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs
incluidas en algunos microcontroladores. Estas últimas fueron siendo sustituidas
progresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas cantidades donde el
coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilización).

Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer
un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la
ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores
personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente
cubierta por una etiqueta que contenía el nombre del productor del BIOS, su revisión y
una advertencia de copyright.

Esta memoria puede mantener esta carga durante 20 años

Con capacidad de 2 kbits 128kbits 2mb

1.8 voltios

Con una velocidad de transferencia de 400kbit
por segundo con interface de 8bits

Programador eprom Reseteador eprom

 EEPROM (Electrically Erasable Read-Only Memory): Al
igual que la EPROM permite múltiples grabaciones. La diferencia
entre amabas radica en que esta puede ser borrada aplicando
simplemente una carga eléctrica, por lo que no es necesario
sacarla del ordenador.

son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM
programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser
programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha
de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no
volátiles.

Las celdas de memoria de una EPROM están constituidas por un transistor MOS, que
tiene una compuerta flotante, su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1
lógico.

Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser
borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.

Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire.
En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para
lograr una mayor rapidez.

Estas son tipos de comunicación en bus diseñado principalenntte para la comunicación
intercambio de datos entre los microcontroladores y sistemas electronicos.

EEPROM presente en una memoria RAM ddr2

La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka
mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos
Electrónicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó
el primer chip comercial de tipo NOR.

Con capacidades de 256kbit 4mb 8mb 32mb 64mb 128mb interfaz
de 8bits y 16bits

Consumos de 1.8 a 5 v

Velocida de 3kbits hasta 3.2mbits

EEPROM en placa electrónica

Programador eeprom

 MEMORIA FLASH:

Subtipo mejorado de memoria
EEPROM.

es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples
posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de
programación mediante iado tarjetas de hasta 32 GB (32 GiB) por parte de la empresa
Panasonic en formato SDpo de memorias similares como EEPROM y ofrece
rendimientos y características muy superiores. Económicamente hablando, el precio en
el mercado ronda los 13 € para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque,
evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de
unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extinción, y de hasta 600 € para la
gama más alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discos
duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, además los discos duros
tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash.

Ofrecen, además, características como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es
muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecánicos ni partes móviles. Su
pequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de escoger para un
dispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que
está orientado.

Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado de
escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda,
de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su borrado.

Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar
los 0’s ó 1’s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran división entre
los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de
archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias
basadas en ORNAND.

Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en
funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a
JFFS2 para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND.
Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad,
sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble.

Otra característica de reciente aparición (30-9-2004) ha sido la resistencia térmica de
algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales de gama
alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o
glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 ºC hasta los 85
ºC.

Las aplicaciones más habituales son:

 El llavero USB que, además del almacenamiento, suelen incluir otros servicios
como radio FM, grabación de voz y, sobre todo como reproductores portátiles de
MP3 y otros formatos de audio.
 Las PC Card
 Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografía
digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estándares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayoría
de las multinacionales dedicadas a la producción de hardware.

Funcionamiento

Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un arreglo de celdas con un transistor
evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan
un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de
celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de
electrones que almacenan.

Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-
Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con
un conductor (basado en un óxido metálico) adicional entre la puerta de control (CG –
Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG – Floating
Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la
información.

Memoria flash de tipo NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG,
modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría CG en caso de estar
activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la
celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en
CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. La
presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo
así el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad
de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e
interpretarlos adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el
paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en
CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que
genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado

natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la
técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico.
Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones,
convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal
sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el
deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.

Es necesario destacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (en
ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros
para agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso. Por esta razón, las
memorias flash son mucho más rápidas que las EEPROM convencionales, ya que
borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque
primero para después reescribir su contenido.

Memorias flash de tipo NAND

Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente
diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de
‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro
tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las
operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de
almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten
lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la
expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo
(aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable
para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias
USB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparación de memorias flash basadas en NOR y NAND:

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las
memorias tradicionalmente valorados.

 La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en
las memorias NAND.
 El coste de NOR es mucho mayor.
 El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su
modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los
bloques y lectura secuencial dentro de los mismos.
 En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con
la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o
palabras completas.
 La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND
(10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte).
 La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs por
página en NAND.
 La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2
ms por bloque de 16 KB en NAND.
 La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es
relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos
frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de
datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e
inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen de
una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un
buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la pena
decantarse por uno u otro tipo.

Tipos de tecnologías:

Existen dos tipos de memorias ram:

Memoria RAM estática o Sram :

Es un tipo de memoria que mantiene sus datos sin necesidad de refresco es una memoria
costosa , se estima que es mas costosa que que la dram en una proporción de byte a
byte, algunas veces consume mucho menos energía, esta memoria es utilizada , existen
muchos tipos de memorias Sram las podemos encontrar en portátiles, automóviles,
celulares, Reuters, esta meoria no es utilizada como memoria principal del sistema, se
utiliza como cache que viene siendo un componente del procesador, este tipo de
memorias puede ser volátiles o no volátiles, según el dispositivo que la requiera.
as SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y
Output Enalbe (OE). Esta memoria en estructura en mucho mas grande que un memoria
dram ya que necesita muchos transistores por eso nunca se encuentra un Sram De 1gb
es un tamaño muy exagerado y requiere mucha performance cuando se habla de
memoria Sram, se debe referir a valores en kbits aunque ese termino esta cambiando

gracias a que hoy día una de las memorias Sram con mas capacidad es la cache del
procesador core i7 que tiene 8mb dividida en 3 canales L1,L2,L3 por lo tanto es muy
eficiente.

Celda de las memorias sram

Memoria Cache o RAM Cache

Un cache es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto
un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de
alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cache frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria cache y cache de disco. Una memoria cache,
llamada también a veces almacenamiento cache o RAM cache, es una parte de memoria
RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica
(DRAM) usada como memoria principal. La memoria cache es efectiva dado que los
programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta
información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

Cuando un dato es encontrado en la cache, se dice que se ha producido un impacto (hit),
siendo un cache juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria
cache usan una tecnología conocida por cache inteligente en el cual el sistema puede
reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar
qué información debe de ser puesta en el cache constituyen uno de los problemas más
interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cache están
construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador
Pentium II tiene una cache L2 de 512 Kbytes.

Procesador Intel core i7 con
cache de 8 Mb en L1,L2,L3

El cache de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cache, pero en
lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los
datos más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores
adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita
acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cache del disco para ver si los
datos ya están ahí. La cache de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las
aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces
más rápido que acceder a un byte del disco duro

Memoria RAM dinámica DRAM:
es un tipo de memoria que se utiliza en los módulos de memorias RAM o como
memoria principal de sistema es la mas conocida de todas se le llama dinámica porque
para revisar un dato se requiere revisar todos los anteriores cada cierto tiempo es decir
en un ciclo de refresco. Esta memoria tiene la ventaja de que se fabrica con una gran
densidad o gran capacidad, esta se invento en los laboratorios IBM esta compuesta de
un transistor y un condensador por cada celda , a diferencia de Sram Que tiene 6
transistores o mas en cada una es una memoria que al principio se consideraba lenta, los
primeros modelos de memorias RAM para la unidad del sistema contaban con un bus
muy pequeño lo que hacia que fueran muy lentas, hoy en día ese termino a cambiado, en
si la memoria DRAM. es lenta porque tiene que refrescarse cada rato pero los buses de
transmisión actuales han hecho de que los usuarios no les presten tanto atención a su
lentitud ya que a pesar de ser DRAM son muy rápidas y su necesidad y eficiencia la
vamos a seguir necesitando en nuestros computadores.

Memorias Dinámicas
Celdas de una memoria
dinámica

Estos tipos de memorias pueden ser sincronizadas o a asíncronas:

Memorias sincronizadas:
Son aquellas que funcionan sincronizadamente con la frecuencia del procesador lo que
hace que halla un bus mas alto y estable. Es la mejor combinación y es la que se esta
tratando actualmente en las configuración por defecto de la BIOS del los sistemas
modernos

Memorias asíncronas: quiere decir que no van sincronizadas con la memoria del
procesador es decir que la frecuencia del procesador va a una velocidad y la memoria
ram a otro velocidad, esta característica la tenían los chipset de las tarjetas madres
viejas , que tenían este tipo configuración por defecto, mucha gente con conocimiento
sabia que esta no era lo mejor por lo tanto cambiaban la configuración manualmente
esto había que hacerlo cada vez que se reiniciara la BIOS,

SDR SDRAM (del inglés, Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory,

Es una memoria dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple Se comercializó
en módulos de 32, 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que oscilaban
entre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy poca
gente sabía entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando aparecieron
las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologías fueron
SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR también son SDRAM.

Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere una caché con velocidad
suficiente como para no desperdiciar su potencial.

DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son
módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles
en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos
simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad
máxima de 3 GiB.

Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel
con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más
costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en
DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo
que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel
Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias
de reloj desde 200 a 400 MHz.

Memoria ddr

También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un
volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas.

Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600
MiB/s

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

 Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian
información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario
introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.
 Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos
bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con
el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.

Single Memory Channel Dual Memory Channel

RDRAM:

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es
un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la
DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos
en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de
banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins.
Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y
otros aparatos de posterior salida.

Características RDRAM:

Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de
palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y
también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando
hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos11111 positivos y
negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800
Mhz virtuales o equivalentes, este conjunto le da un
amplio ancho de banda. Posteriormente nos encontramos
que la frecuencia principal de las RDRAM es de 1200
Mhz, la configuración del módulo RIMM 4800 que
incorpora dos canales RDRAM separados a 1200 Mhz en
un solo módulo. Además, han pasado de RIMMs de los 16
bits a conseguir módulos de 32 y 64 bits.

RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module,
designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una
tecnología denominada RDRAM, desarrollada por
Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de
introducir un módulo de memoria con niveles de
rendimiento muy superiores a los módulos de memoria
SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos
años.

Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins y
debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de
difusores de calor consistentes en una placa metálica que
recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos
de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz
(PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533
Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un
rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de
533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus
latencias son 10 veces peores que la DDR.

Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados
en Intel Pentium III. Rambus no manufactura módulos RIMM si no que tiene un sistema
de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el
principal fabricante de éstos.

A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la
tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de
esta tecnología no han tenido gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido
tuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron las
primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos
decidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAM
desplazando esta última tecnología a los módulos RIMM del mercado.

 PC600: 16-bit, single channel RIMM,
specified to operate at 300 MHz clock rate,
1200 MB/s bandwidth
1420 MB/s bandwidth
1600 MB/s bandwidth
 PC1066 (RIMM 2100): 16-bit, single
channel RIMM specified to operate at 533
MHz clock rate, 2133 MB/s bandwidth
 PC1200 (RIMM 2400): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 600
MHz clock rate, 2400 MB/s bandwidth
 RIMM 3200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 400 MHz clock
rate, 3200 MB/s bandwidth

FB-DIMM ddr2

La memoria FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) es una
variante de las memorias DDR2, diseñadas para aplicarlas en servidores, donde se
requiere un transporte de datos rápido, efectivo, y coordinado.

La memoria FB-DIMM combina la arquitectura interna de gran velocidad de la
memoria DDR2, con una interfaz de memoria en serie punto a punto que une cada
módulo FB-DIMM como en una cadena.

La interfaz de la memoria serial FB-DIMM

Las memorias de módulos convencionales usan una conexión paralela, en cual en cada
canal de memoria el módulo del mismo tiene unos enlaces separados a ese canal y al
controlador de memoria. Con grandes concentraciones de memoria, estas conexiones
pueden sobrecargar la capacidad del controlador de memoria, provocando errores y
retrasos en el flujo de información.

Este problema tiende a negar el beneficio de memorias de mayor velocidad, mientras
más rápido se inunde de información el canal, más errores van a ocurrir. Lo que nos
conduce entre, poca cantidad de memorias rápidas, veloces, o más cantidad de
memorias lentas, menos veloces, memoria más efectiva, cualquiera de las opciones es
ideal para las aplicaciones de los servidores modernos.

La memorias FB-DIMM usa pistas de memorias serial bi-direccionales las cuales pasan
por cada módulo de memoria, en vez de tener pistas individuales que mandan datos a
cada módulo. Similar a las PCI Express (otra tecnología serie moderna), FB-DIMM
transmite los datos a la memoria en paquetes, controlados de forma precisa por un
integrado AMB (Advanced Memory Buffer) que se encuentra en cada módulo FB-
DIMM.

Cada canal de FB-DIMM puede contener hasta 8 (ocho) módulos FB-DIMM, y la
arquitectura actual admite hasta 6 (seis) canales por cada controlador de memoria. Tiene
una fuente de datos en lo que a controlador de memoria concierne, y todos los datos
llegan en paquetes de manera ordenada, errores y señales de interferencia no son más un
problema.

Un controlador de memoria, convencional, requiere 240 “trace lines” dedicados por
canal, pero el controlador de memoria de FB-DIMM requiere solo 70, reduciendo los
circuitos complejos y haciendo que sea más fácil añadir canales de FB-DIMM
adicionales. Similar al efecto de simplificación que Hypertransport y PCI Express han
tenido en el diseño de la placa madre.

En memorias convencionales, a más alto sea la crecida de densidad de memoria, más
errores de desgaste de tiempo y señal ocurren. En cambio, en FB-DIMM, la tecnología
de bus serial de datos niega este problema al proveerle de una única ruta de información
de todos los módulos en un canal, y coordinando la información, los datos, mediante
chips AMB que se encuentran en cada módulo de memoria FB-DIMM.

Memorias fb ddr2 con blindaje metálico

INSTALACION DE MEMORIAS

MERORIA SIMM DE 30 CONTACTOS

Muesca

30 contactos

Lado

liso

ZOCALO SIMM DE 30 CONTACTOS

MEMORIA SIMM DE 72 CONTACTOS

Muesca

36 + 36 = 72 pines
Por un solo lado
Una ranura

Lado liso

ZOCALO SIMM DE 72 CONTACTOS

MEMORIAS DIMM

Muesca

Dos particiones 168 contactos o pines

Es una memoria que se caracteriza por tener 168 contactos, pueden ser de dos
tipos de tecnología BUFFERED y UNBEFFERED, los cuales varían
dependiendo de las distintas tecnologías y también su requerimiento de
alimentación, por ejemplo una DIMM trabaja con una tensione de 3,3 Vcc o
5Vcc dependiendo de su tipo.

ZOCALO DE MEMORIA DIMM

COMO INTERPRETAR LAS RANURAS BUFFERED

La ranura indicadora de la arquitectura se encuentra al centro de los contactos
10 y 11 y la ranura del indicador de tensión se encuentra a la izquierda junto al
contacto 40 y alejado del 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED
de 5V.

La ranura de arquitectura se encuentra al centro de los pines 10 y 11, y la
ranura de la indicación de la tensión se encuentra al centro de los contactos 40
y 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 3.3V.

La ranura de arquitectura esta al centro de los contactos 10 y 11 lo cual indica
que es
BUFFERED. El de tensión se encuentra alejado del contacto 40 y junto al
contacto 41 y esto nos indica que carece de importancia la tensión de
alimentación. Por lo expuesto podemos decir que este es un DIMM
BUFFERED de X,X V. Donde X,X significa que la tensión carece de
importancia.

COMO INTERPRETAR LAS RANURAS UNBUFFERED

Ahora podemos notar que la ranura de arquitectura no se encuentra al centro
de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al contacto 11
es decir a la derecha del centro y esto nos indica que el tipo de memoria es
UNBUFFERED. Como la ranura de indicación de tensión se encuentra a la
izquierda del centro, es decir, junto al contacto 40 y alejado del 41 podemos
decir que es de 5V. Entonces por lo anteriormente dicho podemos decir que
este es un DIMM UNBUFFERED de 5V.

Podemos notar nuevamente que la ranura de arquitectura se encuentra a la
derecha
y la de tensión al centro por lo cual inferimos que es un DIMM UNBUFFERED
de 3,3V.

Tenemos el indicador de la arquitectura a la derecha del centro contra el
contacto 11 lo que indica que es UNBUFFERED y la ranura de alimentación a
la derecha del centro junto al contacto 41 con lo cual que el valor de la tensión
de alimentación es indistinto, por lo tanto este es un DIMM UNBUFFERED de
X,X V. Donde X,X indica que la tensión carece de importancia.

En conclusión podemos afirmar que una memoria DIMM es BUFFERED
cuando su arquitectura se encuentra en el medio de los contactos 10 y 11, y es
una memoria DIMM UNBUFFERED cuando su arquitectura no se encuentra en
medio de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al
contacto 11, dependiendo de su tecnología varia su voltaje.

DIMM BUFFERED

DIMM UNBUFFERED

MEMORIAS DIMM DDR DE 184 CONTACTOS

Este tipo de memoria tiene 184 contactos, es decir 92 por lado pero el tamaño
físico es el mismo y por lo tanto los contactos son más pequeños.

De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalo
de DIMM o al revés, debido ya que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR
tiene una y desplazada del centro hacia la derecha, el otro punto que debemos
mencionar es que la tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Voltios, otra
característica es La doble traba de ranura, nos permite insertar estos DDR en
zócalos de simple o doble altura.

ZOCALO DE DIMM DDR

COMO INTERPRETAMOS RANURAS EN DDR

En las memorias DDR las ranuras se utilizan para determinar la tensión de
alimentación de los módulos. Solo existen dos versiones, una de 2.5 Voltios y
otra de 1,8 Voltios, también se reservó una tercera versión para futuras
aplicaciones y que se identifica por su sigla en ingles TDB (To Be Develop – A
Ser Desarrollado). Las figuras siguientes nos muestran los distintos
posicionamientos de las ranuras (izquierda, centro o derecha) respecto del
centro formado entre los contactos 52 y 53.

LECTURA DE LAS INDICACIONES DE UNA MEMORIA RIMM

Cont.1 ranuras de posicionamiento Cont.
47 Cont.92
Cont. 46

Antes de comenzar a explicar como se leen las ranuras, debemos mencionar
que el tamaño de de estos módulos es igual al de un DIMM, pero con la
diferencia que poseen 184 contactos (92 por lado), igual que en las DDR pero
con distinta distribución física y tienen 2 ranuras de posicionamiento. Una
característica distintiva y mucho más llamativa, es que se presentan con una
cubierta metálica que oficia de disipador térmico, ya que desarrollan mas calor
que el resto de las memorias y de esta forma cambiando la vista tradicional de
los módulos. En la imagen anterior podemos observar una memoria con el

disipador térmico montado y en la figura de la parte de abajo una vista de la
misma memoria sin el disipador térmico, donde podemos ver la disposición
tradicional de los chips.

Debemos mencionar que si bien en la actualidad los módulos RIMM funcionan
a 2,5Volts, ya se encuentra en el diseño, la forma que deberán tener los
próximos módulos, que trabajen con otras tensiones. Por ese motivo incluimos
esta información.

Como podemos apreciar en la figura de la parte de arriba, para poder
diferenciar las distintas tensiones de alimentación que tendrán los RIMM, solo
debemos tomar como referencia la separación entre las ranuras de
posicionamiento, tomando la medida entre sus centros. El primer ejemplo es
una memoria de 2.5 Voltios (la única disponible en la actualidad) que tiene una
distancia entre ranuras de 11.50 milímetros, para los otros ejemplos la
metodología es la misma. Aun no se ha especificado que tensión tendrán los
próximos RIMM, pero ya están normalizadas las distancias que hay entre las
ranuras de posicionamiento como podemos ver en los dos últimos ejemplos de
la figura.

INSTALACIÓN DE MÓDULOS DIMM, DDR Y RIMM

Como hemos observado estos tres módulos tiene mucho en común con
respecto a sus contactos, pero como vimos es imposible colocar un módulo de
una tecnología en otra debido a que las ranuras de posicionamiento no
coinciden.

En la figura podemos ver procedimiento de extracción de un módulo de
memoria, comenzando por abrir las trabas que lo sujeta (1) y luego retirar el
módulo tirando hacia arriba (2).

Para insertar los módulos de memoria podemos ver en la figura de la parte de
arriba el siguiente procedimiento, debemos verificar previamente que las trabas
que tiene el zócalo estén abiertas (1), luego debemos observar el zócalo para
tomar referencia de donde se encuentran las ranuras de posicionamiento y
hacerlas coincidir con nuestro zócalo (2), luego de esta verificación podemos
insertar el módulo (3) deslizándolo verticalmente hasta que haga tope con el
fondo del zócalo, como último paso y sirviendo de verificación del
procedimiento de inserción, las trabas laterales deberán quedar perfectamente
cerradas (4).

Los soportes son SIMM (Single Inline Memory Module) ó DIMM (Double Inline
Module Memory). Los módulos SIMM tienen 30 ó 72 contactos (los contactos
son esas conexiones eléctricas que tienen en un borde). En cambio, los
módulos DIMM son más modernos y tienen 168 o 184 contactos.

En este manual hablaremos fundamentalmente de las memorias con soporte
DIMM, ya que son las más usadas desde hace años. Dentro de las memorias
con soporte DIMM tenemos 2 tipos bien diferenciados, las SDRAM “normales”
y las DDR SDRAM.

Las SDRAM normales tienen 168 contactos, los primeros módulos se
comercializaban a 66MHz de velocidad, luego surgieron los de 100 y 133MHz,
que son prácticamente los únicos que se emplean en SDRAM, actualmente
sólo se encuentran fácilmente los SDRAM de 133MHz.

Las DDR SDRAM son comúnmente conocidas como DDR, similares a las
anteriores pero tienen 184 contactos y mejores prestaciones. Las más
comunes son:

- DDR266 (PC2100): Frecuencia de trabajo de 266 MHz y transferencia de
datos de 2,1 GB/s.

- DDR333 (PC2700): 333 MHz y 2,7 GB/s

- DDR400 (PC3200): 400 MHz y 3,2 GB/s

- DDR533 (PC4200): 533 MHz y 4,2 GB/s

Se puede ver claramente que, a mayor frecuencia (MHz), se pueden conseguir
mayores velocidades de transferencia de datos, lo cual se transmite en mayor
velocidad de funcionamiento del sistema.

Las siglas DDR vienen de "Double Data Rate" y significan "Doble Tasa de
Datos", esto indica que la memoria es capaz de procesador el doble de datos
por cada ciclo de reloj. Por eso se dice que una memoria DDR con 133MHz
trabaja como si fuera a 266MHz, ahí se ve esa doble capacidad de trabajo.

¿Qué memoria tengo que instalar en mi ordenador si quiero ampliar?

Esto depende de las capacidades de la placa base. Lo ideal es acudir al
manual de la placa (un librito que nos debieron entregar al comprar el
ordenador) y verificar las características. Ahí pondrá qué tipo de memorias se
deben poner y de qué velocidad.

Si no estamos seguros se debe acudir a una tienda de informática o a un
especialista para que nos asesore.

Si ya sabemos qué memoria vamos a poner y la tenemos en mano, sólo nos
queda el proceso físico de su inserción; también podemos seguir estos pasos si
únicamente queremos ver la memoria que ya hay puesta.

* Materiales necesarios: Un simple destornillador de estrella.

Lo primero que debemos hacer es apagar el ordenador y abrir la torre, esto es
una operación muy sencilla y que se debe repetir cada vez que queramos
manipular un componente de su interior, no sólo la memoria. Quitamos los
tornillos que sujetan las tapas o la carcasa y las retiramos.

* ¡Precaución!: Antes de manipular el interior de la torre, debemos tocar
cualquier superfície metálica para descargar nuestra electricidad estática que
sería fatal para cualquier componente interno.

Para poder insertar cualquier tipo de memoria tenemos que identificar la
ubicación de la memoria, si miramos en la placa interna veremos una zona
similar a esta:

Ahí están los slots (huecos para poner la memoria) y el módulo o módulos que
tengamos ya instalados aparecerán colocados en una de las ranuras (en la
imagen no sale ninguno).

Seguidamente, acercamos el módulo por el lado donde están los conectores
hacia uno de los slots libres y lo insertamos perpendicularmente y con firmeza,
hasta que queden los contactos en su interior. Pero antes de hacer esto hay
que tener en cuenta algunas cosas:

1) Los módulos van sujetos lateralmente con unas piezas de plástico, antes de
insertar el módulo debemos asegurarnos de que están abiertas para que
podamos colocar el módulo cómodamente. Una vez insertado, debemos cerrar
las piezas hasta que se ajusten a las muescas laterales del módulo.

2) Entre los contactos de las memorias puede haber 1 muesca (DDR 184
contactos) o 2 muescas (SDRAM 168 contactos), estas muescas deben
coincidir con unas que existen en el hueco donde vamos a colocar la memoria.

Teniendo en cuenta estos aspectos, ya podemos insertar el módulo con
firmeza. Si vemos que no podemos ponerlo, hay que detenerse y revisar todo
el proceso de nuevo y con mucho cuidado. Es importante destacar que la
memoria sólo entra en su sitio en una posición determinada por las muescas,
no hay varias maneras de ponerla.

Cuando hayamos insertado la memoria, sólo queda comprobar que el sistema
la acepta correctamente. Por ese motivo se recomienda no cerrar la torre
todavía, en la siguiente sección comentaremos cómo comprobarla y corregir
errores. Cuando veamos que la memoria funciona bien, podemos cerrar la torre
con las tapas y colocando de nuevo los tornillos (apagando el PC previamente).

Un módulo DIMM, o de doble módulo de memoria en línea, comprende una
serie de memoria dinámica de acceso aleatorio de circuitos integrados. Estos
módulos están montados en una placa de circuito impreso y diseñado para su
uso en ordenadores personales, estaciones de trabajo y servidores. DIMM
comenzaron a reemplazar a SIMMs (módulos únicos de memoria en línea)
como el tipo predominante de módulo de memoria de Intel 's procesadores
Pentium comenzó a ganar cuota de mercado.

La principal diferencia entre los SIMMs y DIMMs de memoria DIMM que se
han separado los contactos eléctricos en cada lado del módulo, mientras que
los contactos de los SIMMs de ambos lados son redundantes. Otra diferencia
es que los SIMMs estándar tienen datos de 32 bits ruta de acceso, mientras
que módulos DIMM estándar disponen de datos de 64 bits ruta de acceso.
Desde que Intel 's Pentium tiene (como lo hacen varios otros procesadores) de
64-ancho de bus de bits, se requiere SIMM instalados en pares, a fin de
completar el bus de datos. El procesador entonces acceder a los dos SIMMs
de forma simultánea. DIMMs se introdujeron para eliminar esta práctica.

Los tipos más comunes de DIMMs son:

 72-SO pin-DIMM (no lo mismo que un 72-pin SIMM), utilizado para FPM
DRAM y EDO DRAM

 100-pin DIMM, utilizado para SDRAM de la impresora
 144-pin SO-DIMM, utilizado para SDR SDRAM
 168-pin DIMM, utilizado para SDRAM SDR (con menos frecuencia para
FPM / EDO DRAM en estaciones de trabajo / servidores)
 172-pin MicroDIMM, utilizado para DDR SDRAM
 184-pin DIMM, utilizado para DDR SDRAM
 200-pin SO-DIMM, utilizado para DDR SDRAM y DDR2 SDRAM
 204-pin SO-DIMM, utilizado para DDR3 SDRAM
 214-pin MicroDIMM, usado para memoria DDR2 SDRAM
 240-pin DIMM, utilizado para DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-
DIMM de DRAM.

INTRODUCCION

Las memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM están enfocadas principalmente
para aumentar la capacidad de memoria en una PC principalmente en la
memoria RAM, este tipo de memorias son pequeñas placas de circuitos
impresos con varios chips de memoria integrados. Que se instalan
directamente sobre la placa base se puedan insertar fácilmente; se fabrican
con distintas capacidades y distintas velocidades.

Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y el
almacenamiento de la información en la memoria RAM.

MEMORIAS SIMM DE 30 PINES

SIMM o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple),
pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados.
Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en línea
simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente
sobre la placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan
insertar fácilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se
utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintas
capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En
un principio se construían con 30 contactos y luego aparecieron los de 72
contactos.

Hoy en día se dificulta conseguirlas fácilmente, pero aún algunos
proveedores incluyen estas
memorias en sus listas de precio.Este SIMM (Single In-line Memory Module)
consta de 30 contactos y maneja 8 bits, ver. Las PC que utilizan típicamente
estas memorias son
las 386 y 486. Estos módulos se presentan en capacidades de
256Kbyte,1Mbyte y 4Mbyte.

Su tensión de alimentación es de 5Vcc. Esta muesca sobre el SIMM evita que
el mismo pueda ser insertado al revés en su zócalo.

Muesca

MEMORIAS SIMM DE 72 CONTACTOS

.

En la figura podemos ver un módulo SIMM de memoria que tiene 72 contactos
y maneja
32 bits. Las PC que utilizan este tipo de memoria son algunos 486, 586, K6-II,
K6-III, Celeron,
Pentium, Pentium Pro y Pentium II. La capacidad de estos módulos de
memoria es de 4Mbyte, 8Mbyte, 16Mbyte, 32Mbyte y 64Mbyte. Como en el
caso del SIMM de 30 contactos, esta memoria también funciona con 5Vcc.
Estas muescas y ranuras sobre el SIMM evitan que el
mismo pueda ser insertado al revés en su zócalo. Como referencia podemos
citar que la ranura se conoce con el nombre de ranura de posición.

Muesca
Ranura de posicion

MEMORIAS DIMM DE 168 CONTACTOS

DIMM significa Dual In-line Memory Module es decir modulo de memoria dual
en línea.
Este tipo de memoria posee 168 contactos y maneja 64 bits. Comercialmente
estas memorias
se encuentran disponibles en capacidades de 8Mbytes, 16Mbytes, 32Mbytes,
64Mbytes,
128Mbytes, 256Mbytes y 512Mbytes. Como vimos en capítulos anteriores
existen distintas tecnologías de memorias y también sus requerimientos de
alimentación son distintos, por ejemplo las DIMM trabajan con una tensión de
3,3Vcc ó 5Vcc, dependiendo su tipo. Otra característica que sumaremos a las
ya vistas es la tecnología de Buffered.

Un DIMM unbuffered se conecta directamente a los buses de control y de
dirección del sistema,
esta tecnología hace que los buses se sobrecarguen cuando instalamos más
memorias y
esto es debido a la cantidad de chips que componen la memoria. Esta
tecnología es la que se
utiliza en la actualidad para máquinas hogareñas y la capacidad de manejar
una mayor cantidad
de esta memoria esta dada por la característica del chipset y la placa madre.
Debido a
esto, la cantidad típica de memoria que soporta una placa madre diseñada para
trabajar con
memorias unbuffered esta limitada a un máximo de 4 módulos DIMM.
Un DIMM buffered tiene un chip extra en la lógica que reduce la carga eléctrica
en los buses
de control y direcciones del sistema. Por tal motivo una placa madre diseñada
para trabajar
con DIMM buffered, puede tener mas módulos de memoria cargados al mismo
tiempo debido
a que el chip de buffer “absorbe” parte de la carga del bus. Una placa madre
diseñada para
trabajar con esta tecnología nos permite utilizar desde 8 módulos y llegar hasta
los 16 módulos
de memoria.

Traba de ranura

Cont. 1 cont. 10 indicador de cont. 11 cont. 40 indicador
cont. 41
Arquitectura de voltaje

En la figura podemos ver que las ranuras de posicionamiento son las
encargadas de determinar tanto el tipo de tecnología como la tensión de
alimentación del módulo. La indicación
de la arquitectura nos indica si el DIMM es Buffered o Unbuffered.Como
referencia para la posición de las ranuras utilizaremos una posición
equidistante (centro) entre los contactos 10 y 11 para indicar la arquitectura,
mientras la posición entre 40 y 41 indicará la tensión de alimentación.
ESTUDIO
¿Porqué la transición de SIMM a DIMM?

Los SIMM de 72 contactos transmiten datos 32 bits a la vez mientras que los
DIMM de 168 contactos transmiten datos 64 bits a la vez. Cuando los sistemas
progresaron a un ancho de bus de 64 bits, resultó más razonable utilizar los
DIMM que los SIMM como el factor de forma de memoria estándar. La
tecnología SDRAM en sí no tiene nada que ver con la transición de SIMM a
DIMM; es solamente que la transición de EDO a la tecnología SDRAM y la
transición de SIMM a DIMM sucedió casi al mismo tiempo.

MEMORIA RIMM

RIMM: módulo de memoria RDRAM (Rambus Son los módulos de memoria,
sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuación del canal; el canal
entra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismo
tamaño que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD, (Serial
Presence Detect). También hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden
tener cualquier número de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal.
Hay módulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria
va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal.
Podemos instalar dos repetidores para aumentar el número de conectores, y
así aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6
conectores y con dos repetidores aumentamos a 12 conectores.

La arquitectura de las memorias SDRAM están llegando prácticamente al límite
superior de la frecuencia de operación, con las velocidades de los
microprocesadores actuales, mas los
próximos por venir, nos encontramos con el problema de que la cantidad de
información que pueden transferir es muy superior a lo que puede ofrecer la
tecnología. La introducción de la tecnología DRDRAM sobre módulos RIMM de
la empresa Rambus junto a Intel en 1999 puede ser una solución al problema
que planteamos por un periodo de tiempo prolongado.
La tecnología RDRAM utiliza canales específicamente diseñados para
transportar los datos a
y desde la memoria, la primer versión salió con un canal simple o en ingles
Single Channel y
la siguiente versión incluyó dos canales o en ingles Two Channels, un
diagrama de estas tecnologías de canales. Un canal incluye un controlador de
memoria, uno o mas módulos RIMM RDRAM y en el extremo mas lejano un
Terminador o en ingles (Continuity RIMM - RIMM de Continuidad),este
terminador tiene como función cerrar el circuito al final del canal, para que
retornen ciertas señales al controlador de memoria. El uso de este terminador
es obligatorio y necesario para el correcto funcionamiento de este sistema,
además estos terminadores deben instalarse uno por cada canal, dependiendo
de la tecnología de canal que estemos utilizando.
Una tecnología de cuatro canales está en desarrollo y promete ser el futuro
para las PC de alto
desempeño, pero tendremos que esperar un poco mas de tiempo para verla.

Este canal a diferencia de las otras tecnologías trabaja con 2 bytes (16 bits) y
usa un pequeño
número de señales de alta velocidad para transportar la información de datos,
control, y direcciones hasta una velocidad de 800Mhz, otra característica es la
posibilidad de transferir dos datos por cada ciclo de reloj, similar al DDR.

EST

Cont.1 Cont. 46 Ranuras de Cont. 47
Cont. 92
posicionamiento

Factores Característicos de la memoria SIMM, DIMM, RIMM

Integridad de datos
Uno de los aspectos en el diseño de la memoria implica el asegurar la
integridad de los datos en ella almacenados. Actualmente, existen dos métodos
principales para asegurar la integridad de los datos:

1. Paridad: ha sido el método más común usado hasta la fecha. Este proceso
consiste en añadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional
nos indica si el número de unos es par o impar (igual se puede hacer con los
ceros. A esto se denomina criterio de paridad par o impar).

2. Códigos de Corrección de Errores (ECC): Es un método más avanzado de
control de la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en
bits simples.

Debido a la competencia de precios, la norma más habitual es la de no
introducir métodos de control de la integridad de los datos en la memoria,
siendo más caros aquellos módulos que sí incluyen alguno de estos dos
métodos de control de errores.

El controlador de memoria

También conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de
memoria), es un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es
un chip (actualmente suele venir integrado como parte de otro chip o del
microprocesador) cuya función consiste en controlar el intercambio de datos
entre microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el
funcionamiento del control de errores, si es que existe.

Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de
memoria con control de integridad. Generalmente esto se implementa en
grandes servidores y ordenadores de alto rendimiento donde la integridad de
datos es un factor importante.

Control de Paridad

Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informático, se
almacena un bit de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos métodos de
control de paridad: paridad par y paridad impar, dependiendo de que aquello
que se controle sea el número de ceros o de unos en cada grupo de ocho bits
en memoria. El método de control de paridad tiene sus limitaciones. Por
ejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no
corregirlos. Incluso puede darse el caso de que varios bits sean erróneos y el
sistema no detecte error
alguno.

ECC

Este es un método que se implementa en grandes servidores y equipos de
altas prestaciones. La importancia de este método es que es capaz de detectar
y corregir errores de 1 bit. Todo esto ocurre sin que el usuario tenga constancia
de ello. Cuando se detectan múltiples errores en varios bits, el sistema acaba
por devolver un error de paridad en memoria.

MEMORIAS DDR DE 184 CONTACTOS

Estas memorias reciben su nombre por la sigla DDR que significa "Double Data
Rate". Los
DDR son muy similares a las DIMM SDRAM exceptuando su velocidad de
trabajo, la
cantidad de contactos y su tensión de alimentación. Tienen 184 contactos, es
decir 92 por lado, pero el tamaño físico es el mismo y por lo tanto los contactos
son más pequeños.
De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalo
de DIMM o al
revés debido a que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una y
desplazada del
centro hacia la derecha. El otro punto que debemos mencionar es que la
tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Voltios. La doble traba de ranura nos
permite insertar estos

DDR en zócalos de simple o doble altura Fueron primero adoptadas en
sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en
un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el
avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR
SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR,

lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de
Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y
frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.

También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden
transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las
frecuencias descritas.

Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B =
1600 MiB/s

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:

 Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian
información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es
necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de
slots.
 Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los
dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden
intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno
para cada banco.

Doble traba de ranura

Ranura de indicador de
voltaje

eMEMORIAS DDR2

es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías
de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones
de la DRAM.

Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de
ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de
banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si
una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos
mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona
debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que
guarda la información para luego transmitirla fuera del modulo de memoria,
este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits
para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las
DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la

frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los
módulos de memoria.

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las
DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia
en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2
pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor
latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del
buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para
recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.

Características

 Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double
Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al
doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de
reloj se realicen cuatro transferencias.
 Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de
0 voltios y 1.8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en
aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que
trabajaban a 0 voltios y a 2.5.
 Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria
("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de
señal reflejada.

Estándares

Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria
DIMMs con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas
DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente
llamado ancho de banda).

Tiempo Velocidad Datos Nombre Máxima
Nombre del Velocidad
entre del reloj de transferidos del capacidad de
estándar del reloj
señales E/S por segundo módulo transferencia
PC2-
DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 millones 3.200 MiB/s
3.200
PC2-
DDR2-533 133 MHz 7,5 ns 266 MHz 533 millones 4.264 MiB/s
4.200
PC2-
5.300¹
PC2-
6.400
PC2-
DDR2-1.066 266 MHz 3,75 ns 533 MHz 1.066 millones 8.500 MiB/s
8.500

DDR2 es la nueva tecnología de memorias que ira, progresivamente,
desplazando del mercado a las conocidas DDR. Las nuevas características
son:
• Duplica la cantidad de datos utilizando dos
relojes, así aumentando a 4 los datos en un ciclo
de reloj.
• Cuenta con 240 Contactos en su distribución
estándar para PC. Y una sola ranura de posicionamiento.
• Velocidades que van desde los 400 hasta los 667 Mhz y hasta 1GB de
capacidad.
• Menor consumo de energía (hasta un 50% menos utilizando 1,8 Volts) y mejor
desempeño
térmico.

Factor de Forma DDR2
DIMM Sin Buffer (ECC y no ECC) 240 Contactos, 1.8 V
DIMM ECC Registered 240 Contactos, 1.8 V
Para utilización en integraciones propietarias
SO-DIMM (Notebooks) 200 Contactos, 1.8 V
Mini DIMM Registered 244 Contactos, 1.9 V
Micro DIMM 200 Contactos, 1.8 V

Las memorias DDR2 no son compatibles con DDR ya que el voltaje que utilizan
es diferente

MEMORIA DDR3

Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías
de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones
de la SDRAM.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias
de datos ocho veces mas rápido, esto nos permite obtener velocidades pico de
transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR
anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es
proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512
megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 Gb.

En febrero, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiB a 1066
MHz (La misma velocidad de bus frontal del [Pentium 4 Extreme Edition más
rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con
los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80
nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de
operación y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 del
DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras
portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.

Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj
efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 533-
1200 MHz ó 200-400 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2
de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.

Si bien las latencias tipicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC
para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR3-
1333.

Los DIMMS DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo,
los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de
la muesca.

La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología
completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas
de gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la
utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente
citada como "DDR3".

Los módulos más rápidos de tecnología DDR3 ya están listos al mismo tiempo
que la industria se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología.

Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR2, DDR3 promete
proporcionar significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje,
lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.

Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas en
los nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnología DDR3

Se prevé que la tecnología DDR3 sea dos veces más rápida que la DDR2 y el
alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcion para la
combinación de un sistema con procesadores dual y quad core (2 y 4 nucleos
por microprocesador). El voltaje más bajo del DDR3 (HyperX 1,7 V contra 1,8 V
con DDR2 y ValueRAM 1,5 V contra 1,8v con DDR2) ofrece una solución
térmica más eficaz para los ordenadores actuales y para las futuras
plataformas móviles y de servidor.

Estándares]

Datos
Tiempo Velocidad
Nombre del Velocidad transferidos Nombre del Máxima capacidad de
entre del reloj
estándar del reloj por módulo transferencia
señales de E/S
segundo

DDR3-NaNo 100 MHz 9,4 ns 400 MHz 800 Millones PC3-6.400 6.400 MiB/s

1.066
DDR3-1.066 133 MHz 7,5 ns 533 MHz PC3-8.500 8.533 MiB/s
Millones

1.333
DDR3-1.333 166 MHz 6 ns 667 MHz PC3-10.600 10.667 MiB/s
Millones

1.600
Millones

2.000
Millones

2.133
DDR3-2.133 300 MHz 3.5 ns 1066 MHz PC3-17.000 17.000 MiB/s
Millones

La variante GDDR

El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología DDR2 fue la
tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar
que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente

GDDR2) no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De
hecho, no incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y
tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales
de la DDR. ATI Technologies ha desarrollado aún más el formato GDDR, hasta
el GDDR3, que es más parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque
con varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.

Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950
volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de
450 MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la
5800 Ultra).

Actualmente, la mayoría de las tarjetas tanto de ATI como de nVIDIA usan el
formato GDDR3; no obstante, ATI ya ha comenzado a distribuir las HD4890,
que utilizan la nueva tecnología GDDR5 (que alcanza los 7GHz).

Identificar el tipo de memoria que utiliza su ordenador.
La fuente más apropiada de información a este respecto es el manual de la
placa base, aunque en general:

MICROPROCESADOR MEMORIA TÍPICA NOTAS

386 DRAM o FPM en módulos Memoria difícil de
SIMM de 30 contactos, de unos encontrar,
100 u 80 ns actualización poco
interesante

486 lentos FPM en módulos SIMM de 30 Típico de DX-33 o
contactos, de 80 ó 70 ns velocidades inferiores

486 rápidos FPM en módulos SIMM de 72 Típico de DX2-66 o
Pentium lentos contactos, de 70 ó 60 ns, a superiores y Pentium
veces junto a módulos de 30 60 ó 66 MHz
contactos

Pentium FPM o EDO en módulos SIMM
de 72 contactos, de 70 ó 60 ns

Pentium MMX EDO en módulos SIMM de 72
AMD K6 contactos, de 60 ó 50 ns

Celaron SDRAM de 66 MHz en módulos Suelen admitir
Pentium II hasta 350 DIMM de 168 contactos, de también PC100 o
MHz menos de 20 ns PC133; también en
algunos K6-2

Pentium II 350 MHz o SDRAM de 100 MHz (PC100) Aún muy utilizada;
más en módulos DIMM de 168 suelen admitir
Pentium III contactos, de menos de 10 ns también PC133
AMD K6-2
AMD K6-III
AMD K7 Athlon

Pentium III SDRAM de 133 MHz (PC133) La memoria más
Coppermine en módulos DIMM de 168 utilizada en la
(de 533 MHz o más) contactos, de menos de 8 ns actualidad
AMD K7 Athlon
AMD Duron

NOMBRE ARQUITECTURA PINES CAPACIDAD VELOCIDAD

EDO RAM SIMM-32 BITS 72 128 Mb 50 MHZ

PC-66 SDRAM DIMM-64 BITS 168 256Mb 66 MHZ

PC-100/133 DIMM-64 BITS 168 256Mb 100/133 MHZ
SDRAM

PC-600/700/800 RIMM-16 BITS 141 256Mb/1GB 600/700/800 MHZ

PC-1600/2100 DIMM-64 BITS 184 256Mb 200/266MHZ

PROBLEMAS DE LAS MEMORIAS RAM:

Configuración inadecuada: Tiene el número de parte erróneo para la
computadora o no siguió las reglas de configuración.

Cuando tenga un problema con la memoria, la causa generalmente es una de
las siguientes:

Instalación inadecuada: La memoria podría no estar asentada correctamente,
el socket está mal o el socket necesita limpieza.

Hardware defectuoso: El módulo de memoria mismo está defectuoso.

El hecho de que muchos problemas de la computadora se manifiesten como
problemas de memoria, hace difícil la resolución de las fallas. Por ejemplo, un
problema con la tarjeta madre o el software puede producir un mensaje de error
de memoria.

Veremos como ayudarles a averiguar si tiene un problema de memoria y en
caso afirmativo, ayudar a identificar el problema y rápidamente obtener la
solución.

Si acaba de instalar una nueva memoria, la primera posibilidad es que haya
instalado las piezas incorrectas. Vuelva a verificar los números de partes,
confirme que configuró e instaló la memoria correctamente

Si el sistema se ha estado ejecutando bien y repentinamente empieza a
generar errores de memoria, se cae y se congela con frecuencia, la posibilidad
de una falla de hardware es la más probable, debido a que los problemas de
configuración de instalación se muestran cuando se enciende la computadora.
Algunas veces se pueden tener problemas de memoria si la computadora se
sobrecalienta o si se tiene un problema con el suministro de energía o si se ha
desarrollado corrosión entre el módulo de memoria y el socket, lo que debilita la
conexión

Si tu PC parece lenta, experimenta demoras en su rendimiento y es
incapaz de ejecutar simultáneamente los programas de software que te
gustaría, es posible que la clave sea problemas de la memoria. Te
contamos cuales son algunos de sus síntomas

Recibís mensajes de error que indican que no tienes suficiente memoria.
Este es el llamado de auxilio de tu computadora, aunque probablemente
el bajo rendimiento se note mucho antes de que el equipo avise.

La pantalla azul de la muerte" que con frecuencia congela la computadora
y requiere ser reiniciada. La "pantalla azul" es una alerta del sistema que
le informa sobre una falla en la memoria.

Limpieza general: ¿Están limpios los zócalos que sostienen la memoria?
Estos contactos se ensucian, lo que puede causar un deterioro en el

rendimiento de la memoria. Deshacerte del polvo y suciedad que puedan
causar malas conexiones y que inhiban el rendimiento de la memoria. Un
copito de algodón puede solucionar el problema.

Vibración defectuosa: Los módulos de la memoria vibran en sus zócalos
y con el tiempo se pueden soltar. Asegurate de que los módulos de la
memoria estén asegurados de manera adecuada en los zócalos.

Revisa los zócalos y los módulos de la memoria con cuidado y busca si
tiene partes rotas o quemadas. Si algo está roto, se puede pegar en lugar
de ser remplazado con nuevos repuestos costosos. Asegúrate de que el
pegante sea "seguro para el plástico".

Estabilizador de voltaje: ¿Tu PC está conectada a un estabilizador de
tensión? Las subidas de energía son letales para la memoria de la
computadora. Es fácil impedir que una subida de energía eléctrica dañe
su computadora, pero no es tan fácil solucionar el problema causado por
una subida de energía.

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