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El documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Explica que la corriente de drenaje en un JFET se controla mediante la tensión de puerta, y que aplicando un valor límite de tensión de puerta se puede cerrar el canal y detener la corriente. También describe las características eléctricas típicas de un JFET y sus aplicaciones comunes como amplificadores de audio y radiofrecuencia.










