Los transistores se componen de semiconductores como el silicio o el germanio dopados con pequeñas cantidades de otras sustancias para producir un exceso o déficit de electrones libres. Con el transistor vino la miniaturización de componentes y los circuitos integrados con miles de transistores en pocos milímetros cuadrados, lo que dio origen a los microprocesadores y ordenadores actuales.

2. Los transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales, como el silicio o el
germanio, dopados (Es decir, se les han incrustado pequeñas cantidades de materias extrañas
con reacciones químicas), de manera que se produce una abundancia o una carencia de
electrones libres.
Con el transistor vino la
miniaturización de los componentes y
se llegó al descubrimiento de los
circuitos integrados, en los que se
colocan, en pocos milímetros
cuadrados, miles de transistores.
Estos circuitos constituyen el origen
de los microprocesadores y, por lo
tanto, de los ordenadores actuales.

3. TRANSISTORES JFET
La estructura física de un JFET (transistor de
efecto campo de unión) consiste en un canal
de semiconductor tipo n o p dependiendo del
tipo de JFET, con contactos óhmicos (no
rectificadores) en cada extremo, llamados
FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal
existen dos regiones de material El JFET de canal p, tiene una
semiconductor de diferente tipo al canal, estructura inversa a la de canal
conectados entre sí, formando el terminal de n; siendo por tanto necesaria su
PUERTA. polarización de puerta también
inversa respecto al de canal n.
Los JFET se utilizan
preferiblemente a los MOSFET
en circuitos discretos.
En el símbolo del dispositivo, la
flecha indica el sentido de
polarización directa de la unión
pn.

4. TRANSISTORES MOSFET
 Es un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad
de los circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET.

5. TRANSISTORES BJT
 El transistor de unión bipolar, o BJT.
 Se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades
de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y
los aislantes como el diamante.
 Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada
tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.

6. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
 Llamado también transistor de punta de
contacto, fue el primer transistor.
 Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinación cobre-óxido de cobre,
sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el
colector.
 La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el
nombre de «transfer resistor».
 Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe
podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión
debido a su mayor ancho de banda.
 En la actualidad ha desaparecido.

7. LOS FOTOTRANSISTORES
Los fototransistores son sensibles a
la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su flujo de corriente puede
ser regulado por medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, sólo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
 Como un transistor normal con la
corriente de base (IB) (modo común).
 Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).