El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Today is Pentecost. Who is it that is here in front of you? (Wang Omma.) Jesus Christ and the substantial Holy Spirit, the only Begotten Daughter, Wang Omma, are both here. I am here because of Jesus's hope. Having no recourse but to go to the cross, he promised to return. Christianity began with the apostles, with their resurrection through the Holy Spirit at Pentecost.
Hoy es Pentecostés. ¿Quién es el que está aquí frente a vosotros? (Wang Omma.) Jesucristo y el Espíritu Santo sustancial, la única Hija Unigénita, Wang Omma, están ambos aquí. Estoy aquí por la esperanza de Jesús. No teniendo más remedio que ir a la cruz, prometió regresar. El cristianismo comenzó con los apóstoles, con su resurrección por medio del Espíritu Santo en Pentecostés.
Las capacidades sociomotrices son las que hacen posible que el individuo se pueda desenvolver socialmente de acuerdo a la actuación motriz propias de cada edad evolutiva del individuo; Martha Castañer las clasifica en: Interacción y comunicación, introyección, emoción y expresión, creatividad e imaginación.
ROMPECABEZAS DE ECUACIONES DE PRIMER GRADO OLIMPIADA DE PARÍS 2024. Por JAVIE...JAVIER SOLIS NOYOLA
El Mtro. JAVIER SOLIS NOYOLA crea y desarrolla el “ROMPECABEZAS DE ECUACIONES DE 1ER. GRADO OLIMPIADA DE PARÍS 2024”. Esta actividad de aprendizaje propone retos de cálculo algebraico mediante ecuaciones de 1er. grado, y viso-espacialidad, lo cual dará la oportunidad de formar un rompecabezas. La intención didáctica de esta actividad de aprendizaje es, promover los pensamientos lógicos (convergente) y creativo (divergente o lateral), mediante modelos mentales de: atención, memoria, imaginación, percepción (Geométrica y conceptual), perspicacia, inferencia, viso-espacialidad. Esta actividad de aprendizaje es de enfoques lúdico y transversal, ya que integra diversas áreas del conocimiento, entre ellas: matemático, artístico, lenguaje, historia, y las neurociencias.
1. TRANSISTORE
S
.
La palabra transistor debe su nombre a TRANSFERENCIA y
RESISTOR, porque quienes lo descubrieron asumieron que era
como transferir una resistencia de un circuito a otro.
El descubrimiento de este componente vino a reducir los
aparatos electrónicos de forma considerable, ya que los
desarrollados con tubos o válvulas electrónicas eran de
tamaño grande, además del calor que generaban y por lo
mismo un consumo mayor de energía eléctrica.
Existen dos tipos de transistores muy populares, el tipo NPN,
siendo el más popular y el PNP, están formados por tres
capas de material semiconductor.
2. TRANSISTORE
S
.
Los transistores NPN están formados por dos capas tipo N en los
extremos y una capa P al centro, consta de tres pines: Base
(capa P), colector (capa N) y emisor (capa N). En un circuito con
transistores NPN la base es polarizada tanto positiva como
negativamente, el emisor se conecta a tierra ya sea directamente
o través de un resistor o choque, cuando se trata de circuitos de
radiofrecuencia. El colector se conecta al positivo y es donde se
obtiene la señal amplificada.
3. TRANSISTORE
S
.
Los transistores PNP están formados por dos capas tipo P en los
extremos y una capa N al centro, consta de tres pines al igual
que el NPN: Base (capa N), colector (capa P) y emisor(capa P).
En un circuito con transistores PNP la base es polarizada tanto
positiva como negativamente, el emisor se conecta al positivo ya
sea directamente o través de un resistor o choque, de este se
obtienen las señales amplificadas. El colector se conecta al
negativo.
4. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
.
Conectemos, en el sentido directo, la juntura a una batería de bajo
voltaje, presenta baja resistencia y circulando con relativa facilidad
una pequeña corriente entre emisor y base, o CORRIENTE DE
BASE, o intensidad de base (lb): Por lo delgada que es la capa
central de la base, circula por ella una corriente de baja intensidad,
otro factor es la cantidad de material dopante mezclado con
el semiconductor.
Si la capa de la base es del tipo N se dopa poco, de tal forma que
solo quede una pequeñísima cantidad de electrones libres
deambulando por el material y por ende la corriente eléctrica que los
utilice como PORTADORES de la energía será también de poca
intensidad
5. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
.
Cuando se trata de una base tipo P se hace igualmente delgada
procediéndose de igual manera en el dopado del semiconductor, de
tal forma que en la pastilla queden
pocos ESPACIOS o PORTADORES de electrones en el caso de
circulación de una corriente que, como es de suponer lógicamente,
tampoco puede ser intensa. La pastilla que corresponde
al EMISOR se hace mucho más gruesa que la del centro y su
material semiconductor, germanio o silicio, se dopa
considerablemente con otro material semiconductor de tal forma que
queden vagando por el bloque bastantes PORTADORES de
corriente (ESPACIOS en el tipo P y ELECTRONES en el tipo N)
6. PRUEBA DE
TRANSISTORES
.
En la imagen mostramos como se prueba un transistor NPN con un
multímetro o tester para tener una idea del estado del mismo.
Colocamos la punta de prueba roja del multímetro en la base y con
la negra punteamos el colector y emisor de forma alterna, debe de
marcar alta resistencia (esto depende del transistor).
7. PRUEBA DE
TRANSISTORES
.
Invertimos las puntas (punta negra en base) y procedemos como se
indicó anteriormente, debe de marcar baja resistencia(1 a 20
ohmios).
Para los transistores PNP, el procedimiento se invierte. Colocar el
multímetro en la escala de R x 10 ó R x 100 y para verificar si no
existe fuga entre colector y emisor, aquí deberá indicar alta
resistencia entre ambos y en los dos