El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, y se encuentra en muchos aparatos electrónicos como radios, televisores y teléfonos móviles. Existen diferentes tipos de transistores como el de unión bipolar, que se fabrica sobre un sustrato de silicio o germanio dopado con elementos como el indio o el fósforo para formar las zonas P y N.

1. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc. TRANSISTORES

2. Fue el primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. TIPOS DE TRANSISTOR TRANSISTOR DE PUNTA DE CONTACTO

3. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

4. El consumo de energía es sensiblemente bajo. El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío. Una vida larga útil (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecánica elevada. Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad. VENTAJAS DE LOS TRANSISTORES ELECTRÓNICOS

5. Conectemos, en el sentido directo, la juntura de la izquierda a una batería de bajo voltaje; presenta baja resistencia y circula con relativa facilidad una pequeña corriente entre Emisor y Base, y que llamaremos Corriente de Base, o intensidad de base (Ib): La corriente de la ase es de poca intensidad debido a lo delgada que se hace su capa central y a la tan pequeña cantidad de material dopante mezclado con el semiconductor. Si la cpa de la base es del tipo N se dopa poco, de tal forma que solo quede una pequeñísima cantidad de electrones libre vagando por el material, y por ende la correinte eléctrica que los utilice como portqadores de energía será tamién de poca intensidad. Cuando la base es P se hace igualmente delgada y se procede de igual modo en el proceso de dopado del semiconductor, de tal forma que en la pastilla queden pocos huecos o portadores de electrones en el caso de circulación de una corriente que, como es lógico suponer tampoco puede ser intensa. Circuito de entrada

6. La pastilla correspondiente al emisor se hace mucho más gruesa que la del centro y su material semiconductor (gemanio o silicio) se dopa bastante con otro material de tal forma que queden vabando por el bloque bastantes portadores de corriente(Huecos en el tipo P y Electrones en el tipo N). Regresemos a la figura anterior. Al circuito formado por la batería de bajo voltaje, la pastilla de la base, la pastilla del emisor, y cualquier resistencia exterior colocada en seie con alguno de ellos, se le da el nombre de Circuito de Entrada o INPUT. El emisor está capacitado por el faricante para conducir corrientes grandes y la base para corrientes pequeñas. Por lo anterior, y el hecho de estar en serie, la corriente circulante por el circuito de entrada o Input serña muy pequeña, y la llamaremos corriente de base, por estar allí su limitación. La corriente de base se forma igual que si se tratara de un diodo convencional: los portadores del emisor se convinan en la unión o juntura con sus contrarios, los portadores de la base. Cuando el voltaje es aplicado entre el emisor y la base, muchos portadores del primero pasan a la segunda para estabilizar los átomos, pero como sólo unos pocos lo logran, el resto se queda obstruido, haciendo presión en esa delgada capa que es la base.

7. Conectemos una batería de voltaje un poco o mucho más alto que la del circuito de entrada, al diodo formado por el colector y la base. Por ser inversa su conexión, y presentar alta resistencia la juntura, sólo circulará una corriente muy pequeña. A pesar de que el colector se hace bastante grueso, y con buena capacidad de circulación de corriente en sentido inverso, la corriente circulante es de poca intensidad y está limitada por lo delgada de la capa de la base y la alta resistencia que presenta a la corriente en este sentido. En esta forma, la corriente circulante depende o varía un poco con los cambios de voltaje que se produzcan en la batería. A todo aquello que se conecte en serie con el colector se le toma como circuito de salida o OUTPUT. Circuito de salida

8. Circuito de entrada