Instituto Universitario de Tecnología
``Antonio José de Sucre´´
Extensión Barquisimeto
Alumno: Edgardo M. Salas C.
C.I.: 18.115.243
Asignatura: Electrónica I
Sección: SAIA – S1
Transistores Bipolares
de Unión
El Transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
En este caso, el transistor de unión
bipolar proviene del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT; el
cual es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales
Un transistor de unión bipolar está compuesto por dos Uniones
PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor: Ha de ser una región fuertemente dopada (de ahí la
indicación p+) comportándose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga, cuanto más dopaje tenga el emisor,
mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente
 Base: Debe actuar como la intermedia, es decir, muy estrecha
y poco dopada para que pueda separar el emisor del
colector.
 Colector: De extensión mucho mayor y menos dopada que el
emisor
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la
corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo,
mediante la corriente de base.
En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en
directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente
elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en
principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una
estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por
emisor-base
El transistor de unión bipolar se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada
tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y
la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o
Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP
o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la
característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si
bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas.
 Permite una drástica reducción de tamaño
 Es más ligero
 No requerimiento de calentamiento
 Su producción de calor es menor
 Resistente
 Consume menos potencia
 Voltajes de operación más bajos
 Dispositivos de tres o más terminales
 Su vida media es prácticamente ilimitada y en
cualquier caso muy superior a la del tubo de vacío
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y
tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a
unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el
transistor a través de tres estados de operación: en zona activa, en
saturación o en corte; cambiando las tensiones y componentes del
circuito en el que se engloba.
Es por ello, que la denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En
su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de
carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa
al colector
 Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se
usan generalmente en electrónica analógica aunque también en
algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o
BICMOS.
 Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras,
automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
celulares, etc.
 En circuitos análogos (amplificación de señales)
 En circuitos digitales (familias de puertas lógicas bipolares)

Transistores

  • 1.
    Instituto Universitario deTecnología ``Antonio José de Sucre´´ Extensión Barquisimeto Alumno: Edgardo M. Salas C. C.I.: 18.115.243 Asignatura: Electrónica I Sección: SAIA – S1 Transistores Bipolares de Unión
  • 2.
    El Transistor esun dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. En este caso, el transistor de unión bipolar proviene del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT; el cual es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales
  • 3.
    Un transistor deunión bipolar está compuesto por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:  Emisor: Ha de ser una región fuertemente dopada (de ahí la indicación p+) comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga, cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente  Base: Debe actuar como la intermedia, es decir, muy estrecha y poco dopada para que pueda separar el emisor del colector.  Colector: De extensión mucho mayor y menos dopada que el emisor
  • 4.
    El transistor bipolarbasa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base
  • 5.
    El transistor deunión bipolar se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas.
  • 6.
     Permite unadrástica reducción de tamaño  Es más ligero  No requerimiento de calentamiento  Su producción de calor es menor  Resistente  Consume menos potencia  Voltajes de operación más bajos  Dispositivos de tres o más terminales  Su vida media es prácticamente ilimitada y en cualquier caso muy superior a la del tubo de vacío
  • 7.
    Polarizar un transistorbipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor a través de tres estados de operación: en zona activa, en saturación o en corte; cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba. Es por ello, que la denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector
  • 8.
     Los transistoresbipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.  Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.  En circuitos análogos (amplificación de señales)  En circuitos digitales (familias de puertas lógicas bipolares)