Transistores de Unión Bipolar  El transistor de unión bipolar (del ingles Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado solido consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como tecnología TTL o BICMOS.
Transistores de Unión Bipolar  Un transistor de unión bipolar esta formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por un región muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: Emisor: Que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopadas, comportándose como un metal. Base: La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector: De extensión mucho mayor.
Transistores de Unión Bipolar  La técnica de fabricación mas común de un transistor es por la disposición epitaxial. La función normalmente, es la unión base-emisor esta polarizada directamente, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.  El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
ESTRUCTURA Transistor NPN. Dispositivos de dos uniones semiconductoras, formando tres zonas. Transistores que tiene una región P entre 2 regiones N.
Un transistor bipolar cosiste en 3 regiones semiconductoras dopadas. Región emisor, región de la base, región colector. Las regiones pueden se de tipo P-N-P o N-P-N según se como corresponda. La base esta localizada físicamente entre el emisor y colector.
El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico, “ esto quiere decir que el intercambio de colector a emisor deja de funcionar de manera activa”. La falta de simetría es principal a las tasas de dopaje. “ emisor-colector”, emisor + dopaje, colector – ligeramente dopado “esto permite aplicar gran tensión de reversa, colector-base”.
La razón por la que el emisor esta altamente dopado es para una gran ganancia de corriente. El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales (CMOS), son simétricamente diseñados “no hay diferencia entre activo –reversa.” Cambios de tensión en los terminales base-emisor genera que entre el emisor-colector, “se utiliza para amplificar la tensión”.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, y los actuales están fabricados silicio.
Transistor NPN NPN, uno de los dos tipos de transistores bipolares. “ N” y “P” portadores de carga mayoritaria en las regiones del transistor. En la actualidad NPN, son los mas utilizados debido a la movilidad del electro es mayor, “permitiendo + corriente y velocidades de operación”.
Circuito NPN Simbología NPN
Transistor PNP “ P” y “N” refiriéndose a las cargar mayoritarias dentro de las diferencias del transistor. Son muy pocos utilizados debido a que NPN brindan un mejor desempeño. PNP consiste en un capa material semiconductora dopada N entre dos capas de material P Operación PNP son desde el colector a masa y el emisor al terminal positivo de la fuente.
Una pequeña cantidad de corriente circula de la base permite una mayor corriente para el emisor hacia el colector.
Símbolo PNP Circuito PNP
Transistor Bipolar de Heterounion Es un mejora del TBJ que este puede trabajo o maneja señales de alta frecuencia, además es un dispositivo común en sistema de radio frecuencia. Este transistor tiene diferentes semiconductores  El emisor esta compuesto por una banda mas larga que la base “esto mejora la eficiencia del emisor”.
Regiones Operativas  Región Activa: Depende de la corriente base, de la resistencias que se encuentren, en el colector-emisor, y la utilización del transistor es para un amplificador de señal. Región Inversa: Cuando esta en funcionamiento activo pasa a reversa, aquí es cuando el colector-emisor cambian roles. Región de Corte Región de Saturación
 
TRANSISTORES Función  El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que puede funcionar, bien como interruptor, bien como amplificador de una señal eléctrica de entrada.  Se clasifican en dos grandes grupos: Bipolares:  NPN y PNP  Unipolares:  o de efecto campo Clasificación  Formados por la unión  de tres cristales semiconductores .   Bipolares
Están formados por un sustrato de material  semiconductor sobre el que se funden dos islas de material semiconductor de diferente dopado. Efecto campo TRANSISTORES

Transistores

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    Transistores de UniónBipolar El transistor de unión bipolar (del ingles Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado solido consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como tecnología TTL o BICMOS.
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    Transistores de UniónBipolar Un transistor de unión bipolar esta formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por un región muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: Emisor: Que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopadas, comportándose como un metal. Base: La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector: De extensión mucho mayor.
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    Transistores de UniónBipolar La técnica de fabricación mas común de un transistor es por la disposición epitaxial. La función normalmente, es la unión base-emisor esta polarizada directamente, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
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    ESTRUCTURA Transistor NPN.Dispositivos de dos uniones semiconductoras, formando tres zonas. Transistores que tiene una región P entre 2 regiones N.
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    Un transistor bipolarcosiste en 3 regiones semiconductoras dopadas. Región emisor, región de la base, región colector. Las regiones pueden se de tipo P-N-P o N-P-N según se como corresponda. La base esta localizada físicamente entre el emisor y colector.
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    El transistor bipolarde juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico, “ esto quiere decir que el intercambio de colector a emisor deja de funcionar de manera activa”. La falta de simetría es principal a las tasas de dopaje. “ emisor-colector”, emisor + dopaje, colector – ligeramente dopado “esto permite aplicar gran tensión de reversa, colector-base”.
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    La razón porla que el emisor esta altamente dopado es para una gran ganancia de corriente. El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales (CMOS), son simétricamente diseñados “no hay diferencia entre activo –reversa.” Cambios de tensión en los terminales base-emisor genera que entre el emisor-colector, “se utiliza para amplificar la tensión”.
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    Los primeros transistoresfueron fabricados de germanio, y los actuales están fabricados silicio.
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    Transistor NPN NPN,uno de los dos tipos de transistores bipolares. “ N” y “P” portadores de carga mayoritaria en las regiones del transistor. En la actualidad NPN, son los mas utilizados debido a la movilidad del electro es mayor, “permitiendo + corriente y velocidades de operación”.
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    Transistor PNP “P” y “N” refiriéndose a las cargar mayoritarias dentro de las diferencias del transistor. Son muy pocos utilizados debido a que NPN brindan un mejor desempeño. PNP consiste en un capa material semiconductora dopada N entre dos capas de material P Operación PNP son desde el colector a masa y el emisor al terminal positivo de la fuente.
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    Una pequeña cantidadde corriente circula de la base permite una mayor corriente para el emisor hacia el colector.
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    Transistor Bipolar deHeterounion Es un mejora del TBJ que este puede trabajo o maneja señales de alta frecuencia, además es un dispositivo común en sistema de radio frecuencia. Este transistor tiene diferentes semiconductores El emisor esta compuesto por una banda mas larga que la base “esto mejora la eficiencia del emisor”.
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    Regiones Operativas Región Activa: Depende de la corriente base, de la resistencias que se encuentren, en el colector-emisor, y la utilización del transistor es para un amplificador de señal. Región Inversa: Cuando esta en funcionamiento activo pasa a reversa, aquí es cuando el colector-emisor cambian roles. Región de Corte Región de Saturación
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    TRANSISTORES Función El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que puede funcionar, bien como interruptor, bien como amplificador de una señal eléctrica de entrada. Se clasifican en dos grandes grupos: Bipolares: NPN y PNP Unipolares: o de efecto campo Clasificación Formados por la unión de tres cristales semiconductores . Bipolares
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    Están formados porun sustrato de material semiconductor sobre el que se funden dos islas de material semiconductor de diferente dopado. Efecto campo TRANSISTORES