Este documento contiene especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N3819, 2N3055, BD712, BD678 y TIP3055. Proporciona detalles clave como la polaridad, voltajes máximos, corrientes, disipación de potencia, ganancia y encapsulado de cada transistor.

1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERIA DE SISTEMAS

2. TRANSISTOR 2N3819

3. TRANSISTOR, JFET, N, TO-92
 Tipo de transistor: Desglose JFET
 Voltaje Vbr: 25V Cero Puerta Voltaje drenaje actual Idss: 2 mA a
20 mA puerta-fuente Cutoff Voltaje Vgs (apagado) Max: 8 V
 Disipación de energía Pd: de 350mW actual Idss Max: 20 mA Idss
actual mínima: 2 mA
 Corriente Ig: 10mA
 Dispositivo Marcado: Drenaje 2N3819 Tensión de fuente Vds: 25V
Transconductancia Gfs Max: 6.5mA / Full V Potencia nominal
 Temperatura: 25 ° C Gfs mínima: 2 mA / V
 Número de transistores: 1 Paquete / Caso: TO-92
 Disipación de potencia Ptot Max: 200mW
 Polaridad del transistor: N
 Rango de frecuencia de canal de funcionamiento: 1 MHz a 500
MHz

4. TRANSISTOR 2N3055

5. TRANSISTOR, NPN, TO-3
 Polaridad del transistor: NPN
 Colector-to-Emisor Tensión de disparo: 60V
 Disipación de energía Pd: 115W
 Corriente de colector dc: 15A
 DC actual Ganancia hFE: 70
 Tipo de encapsulado Transistor: A-3
 N.º de clavijas: 2
 Tipo de caja: TO-3
 Tensión IC hFE: 10A
 Completo Temperatura Potencia nominal: 25 C?
 Max Ic actual: 15A
 Max Ic actual una continua: 15A
 Potencia máxima disipación Ptot: 115W
 Máximo Voltaje Vce Sáb: 1V
 Mejor ganancia de ancho de banda pies: 3MHZ
 Mejor HFE: 5
 Potencia de disipación: 115W
 Tipo de terminación: Agujero pasante
 Tipo de transistor: Bipolar
 Tensión VCBO: 100V

6. TRANSISTOR BD712

7. TRANSISTOR, PNP, TO-220
 Polaridad del transistor: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V
Transition Frequency Typ ft: 3MHZ
Power Dissipation Pd: 75W
DC Collector Current: 12A
DC Current Gain hFE: 120
Transistor Case Style: TO-220
Collector Emitter Voltage Vces: 1V
Continuous Collector Current Ic Max: 12A
Current Gain Hfe Max: 400
Current Ic @ Vce Sat: 4A
Current Ic Continuous a Max: 4A
Tensión IC hFE: 500mA
Gain Bandwidth ft Typ: 3MHZ
Hfe Typ: 120
N.º of Transistors: 1
Package / Case: TO-220
Power Dissipation Pd: 75W
Power Dissipation Ptot Max: 75W
Tensión Vcbo: 100V

8. TRANSISTOR BD678

9. DARLINGTON TRANSISTOR
 Transistor Polarity: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V
Power Dissipation Pd: 40W
DC Collector Current: 4A
DC Current Gain hFE: 750
Transistor Case Style: SOT-32
Av Current Ic: 4A
Collector Emitter Voltage Vces: -2.5V
Continuous Collector Current Ic Max: 4A
Current Ic Continuous a Max: 4A
Current Ic hFE: 1.5A
Device Marking: BD678
Full Power Rating Temperature: 25°C
Hfe Min: 750
No. of Transistors: 1
Package / Case: TO-126
Power Dissipation Ptot Max: 40W
Termination Type: Through Hole
Transistor Type: Darlington
Voltage Vcbo: 60V

10. TRANSISTOR TIP3055

11. TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-247
 Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 70V
Power Dissipation Pd: 90W
DC Collector Current: 15A
DC Current Gain hFE: 70
Operating Temperature Min: -65°C
Operating Temperature Max: 150°C
Collector Emitter Voltage Vces: 1V
Continuous Collector Current Ic Max: 15A
Current Ic Continuous a Max: 15A
Current Ic hFE: 4A
Device Marking: TIP3055
Full Power Rating Temperature: 25°C
Gain Bandwidth ft Min: 2.5MHz
Hfe Min: 20
No. of Transistors: 1
Operating Temperature Range: -65°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max: 90W
Transistor Type: Bipolar
Voltage Vcbo: 100V