Los documentos proporcionan información técnica sobre varios tipos de transistores, incluidos sus especificaciones de tensión máxima, corriente, disipación de potencia, temperatura de funcionamiento y tipo de encapsulado. Se describen las características de transistores NPN, N-Canal MOSFET, IGBT, JFET y otros.
1. ACTIVIDAD: DIODOS FICHAS TÉCNICAS CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA ALUMNO: CRISTHIAN SANCHEZ LEYVA TUTOR: KELLY CONDORI ZAMORA 2014
2. DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402D VOLTAJE REVERSO MÁXIMO RECURRENTE MÁXIMO (VRRM): 200V VOLTAJE MÁXIMO DEL RMS (VRMS): 140V VOLTAJE DE BLOQUEO DE LA C.C. DEL MÁXIMO (VDC): 200V CORRIENTE ADELANTE RECTIFICADA MEDIA MÁXIMA (IO): 3A SOBRETENSIÓN DELANTERA MÁXIMA (IFSM): 200A CORRIENTE REVERSA DE LA C.C. DEL MÁXIMO (IR): 5μA GAMA DE TEMPERATURAS DE FUNCIONAMIENTO: -65°C A +175°C TIPO SIN PLOMO ROHS OBEDIENTE PROPÓSITO-TIPO GENERAL
3. DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 400MA LONGITUD DE ONDA: 808NM, 980NM, 405NM, 445NM, 635NM, 650NM VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 2.4V ENERGÍA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW, 5000MW POTENCIA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW
4. 50W DE ALTA POTENCIA LED / DIODO DE ENERGÍA: 50 VATIOS EL MODELO NO.:LSP-520CWSA-G45- AC5B-BHT-55 VOLTAJE DE FUNCIONAMIENTO: 31~35 V CORRIENTE DE TRABAJO: 1500 MA TEMPERATURA DE COLOR: 5500~6500 K LÚMENES: 4000~4500 LM EL ÁNGULO DE VISIÓN: 100~120 DEG MEDIO AMBIENTE DE TRABAJO:- 20& DEG; C~+80& DEG; C DURACIÓN DE LA VIDA: @& @50, HRS 000
5. DIODO 3V CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 350MA TEMPERATURA DE COLOR: 2700-3200K VOLTAJE HACIA EL ÁNGULO DE VISIÓN: 120 GRADO ADELANTE: 3.0-3.6V VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 3.6V LUMIOUS FLUJO: 110-120ML EL CONSUMO DE ENERGÍA: 1W
6. DIODO ZENER HOJA DE DATOS MÁXIMO TÍPICO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA& DELTA; VBR = 0.1% X VBR@25& DEG; C X& DELTA; TÇ PASIVADO CHIP UNIÓN P600 EN EL PAQUETE 5000W PICO DEL PULSO EN CAPADILITY 10& VECES; 1000& MU; S DE FORMA DE ONDA, LA REPETICIÓN TASA DE( CICLOS DE TRABAJO): 0.01% RÁPIDO TIEMPO DE RESPUESTA: POR LO GENERAL MENOS DE 1.0PS DE 0 VOLTIOS A BV MIN IR MENOS DE 5& MU; POR ENCIMA DE UN 12V DE ALTA TEMPERATURA DE SOLDADURA GARANTIZA: 260& DEG; C/40 SEGUNDOS/ 0.375& Y RDQUO;,( 9.5MM) PLOMO LONGITUD, 5 LIBRAS.,( 2.3KG) LA TENSIÓN DE INFLAMABILIDAD
1. ACTIVIDAD: DIODOS FICHAS TÉCNICAS CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA ALUMNO: CRISTHIAN SANCHEZ LEYVA TUTOR: KELLY CONDORI ZAMORA 2014
2. DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402D VOLTAJE REVERSO MÁXIMO RECURRENTE MÁXIMO (VRRM): 200V VOLTAJE MÁXIMO DEL RMS (VRMS): 140V VOLTAJE DE BLOQUEO DE LA C.C. DEL MÁXIMO (VDC): 200V CORRIENTE ADELANTE RECTIFICADA MEDIA MÁXIMA (IO): 3A SOBRETENSIÓN DELANTERA MÁXIMA (IFSM): 200A CORRIENTE REVERSA DE LA C.C. DEL MÁXIMO (IR): 5μA GAMA DE TEMPERATURAS DE FUNCIONAMIENTO: -65°C A +175°C TIPO SIN PLOMO ROHS OBEDIENTE PROPÓSITO-TIPO GENERAL
3. DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 400MA LONGITUD DE ONDA: 808NM, 980NM, 405NM, 445NM, 635NM, 650NM VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 2.4V ENERGÍA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW, 5000MW POTENCIA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW
4. 50W DE ALTA POTENCIA LED / DIODO DE ENERGÍA: 50 VATIOS EL MODELO NO.:LSP-520CWSA-G45- AC5B-BHT-55 VOLTAJE DE FUNCIONAMIENTO: 31~35 V CORRIENTE DE TRABAJO: 1500 MA TEMPERATURA DE COLOR: 5500~6500 K LÚMENES: 4000~4500 LM EL ÁNGULO DE VISIÓN: 100~120 DEG MEDIO AMBIENTE DE TRABAJO:- 20& DEG; C~+80& DEG; C DURACIÓN DE LA VIDA: @& @50, HRS 000
5. DIODO 3V CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 350MA TEMPERATURA DE COLOR: 2700-3200K VOLTAJE HACIA EL ÁNGULO DE VISIÓN: 120 GRADO ADELANTE: 3.0-3.6V VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 3.6V LUMIOUS FLUJO: 110-120ML EL CONSUMO DE ENERGÍA: 1W
6. DIODO ZENER HOJA DE DATOS MÁXIMO TÍPICO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA& DELTA; VBR = 0.1% X VBR@25& DEG; C X& DELTA; TÇ PASIVADO CHIP UNIÓN P600 EN EL PAQUETE 5000W PICO DEL PULSO EN CAPADILITY 10& VECES; 1000& MU; S DE FORMA DE ONDA, LA REPETICIÓN TASA DE( CICLOS DE TRABAJO): 0.01% RÁPIDO TIEMPO DE RESPUESTA: POR LO GENERAL MENOS DE 1.0PS DE 0 VOLTIOS A BV MIN IR MENOS DE 5& MU; POR ENCIMA DE UN 12V DE ALTA TEMPERATURA DE SOLDADURA GARANTIZA: 260& DEG; C/40 SEGUNDOS/ 0.375& Y RDQUO;,( 9.5MM) PLOMO LONGITUD, 5 LIBRAS.,( 2.3KG) LA TENSIÓN DE INFLAMABILIDAD
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de la ficha técnica de cinco diodos diferentes. Elabora una presentación en power point donde muestres la característica de cada diodo.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
2. Información Técnica
Ruido ultra bajo en= 0.9nV / √ Hz (típico)
Maridaje apretado |VGS1-2 | = 20mV máx
Alto Voltaje BVGSS = 40V máx
Alta ganancia YFS = 20 ms (típico)
Baja capacidad 25 pF típico
Reposición mejorado segunda fuente de 2SK389
Temperaturas máximas
Temperatura de almacenamiento -65 a 150 ° C
Salida de temperatura de funcionamiento -55 a 135 ° C
Disipación de energía máxima
Disipación de potencia continua @ +125 °
400mW
C
Corrientes máximas
Puerta de Corriente IG (F) = 10 mA
Tensiones máximas
Puerta a la Fuente VGSS= 40V
Puerta de drenaje VGDS= 40V
3. Información Técnica
Mosfet N-Canal 2N4351
Reemplazo directo para INTERSIL 2N4351
Curso de drenaje de alta ID = 100 mA
Alta ganancia gfs = 1000μS
Temperaturas máximas
Temperatura de almacenamiento -65 Hasta 200 ° C
Salida de temperatura de funcionamiento -55 Hasta 150 ° C
Disipación de energía máxima
Disipación de potencia continua 375MW
Corriente máxima
Drenaje a la fuente 100mA
Tensiones máximas
Escurrir al Cuerpo 25V
Drenaje a la fuente 25V
Puerta de pico de la fuente2 ± 125 V
4. Información Técnica
Transistor: NPN, SOT-23
Polaridad del transistor: NPN
Colector Emisor Tensión V (BR) CEO: 300V
Disipación de energía Pd: 250 mW
Corriente de colector dc: 100 mA
Ganancia de CC hFE: 40
Temperatura de funcionamiento: -65 ° C a +150 ° C
Tipo de caja: SOT-23
No SVHC (19-dic-
SVHC: 2011)
Coleccionista VCES emisor de voltaje: 500mV
Actual Ic @ Vce Sat: 20A
Actual IC continua a máx: 100 mA
Ic hFE: 10mA
Ganancia de ancho de banda pies, tipo: 50MHz
Hfe Min: 40
Pico de corriente ICM: 0,2
Disipación de energía Pd: 250 mW
Disipación de potencia máxima de P
total: 250 mW
SMD Marcado: 1D
5. Información Técnica
IGBT, PARADA, 600V, 40A, TO-247
Tipo de transistor: IGBT
Corriente de colector dc: 80A
Coleccionista VCES emisor Voltaje: 1.9V
Disipación de energía Pd: 349W
Colector Emisor Tensión V (BR) CEO: 600V
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a +175 ° C
Tipo de caja: TO-247AB
Tipo de caja: 3
MSL: MSL 1 - Unlimited
SVHC: No SVHC (19-dic-2011)
6. Información Técnica
JFET, N, A-92
Polaridad del transistor: NPN
Disipación de energía Pd: 625mW
Tipo de caja: TO-92
Tipo de caja: 3
SVHC: No SVHC (19-dic-2011)
Paquete / caja: TO-92
Disipación de energía Pd: 625mW
Tipo de terminación: Agujero pasante