El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo JFET, MOSFET, bipolares, de potencia y fototransistores. Explica sus características básicas como la forma en que funcionan, sus terminales y aplicaciones comunes. También incluye tablas con especificaciones técnicas de varios transistores.

1. TRANSISTORES
Facultad:
INGENIERIA DE SISTEMAS
Curso:
FISICA ELECTRONICA
Alumna:
GÓMEZ ROJAS MARIBEL

2. TRANSISTORES JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español
transistor de efecto de campo de juntura o unión) es
un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona
dando unos valores de salida. En el caso de los JFET,
al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos
valores de entrada son las tensiones eléctricas, en
concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G
(puerta), VGS. Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva característica que se
simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación

3. Lugar del origen:
Estados Unidos
Marca: microsemi
Número de Modelo:
jantx2n4416aub
Tipo:
Lógica ICs
Voltaje de fuente:
35v
Uso: Computadora
Temperatura de funcionamiento:
0°c ~ 125°c
Energía de la disipación:
1na
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia JFET (JFET)
-Corriente de drenaje (IDSS) a Vds (VGS =
0) 15mA @ 15 V
Voltaje drenaje-Fuente (Vdss) 35 V
Consumo de corriente (ID)-Max -
Tipo FET N-canal
Voltaje de interrupción-(V (BR) GSS) 35 V
Voltaje-Cutoff (VGS off) @ ID 6 V @ 1NA
Capacidad de entrada (CISS) a Vds 4PF @ 15 V
Resistencia-RDS (ON) -
Tipo de montaje A través del agujero
Embalaje A granel
Paquete/cubierta A-72
Paquete de dispositivo de proveedor A-72
Energía-máxima 300 mW
Catálogo dinámico N-canal 2N4391
Otros nombres 1088-1017
DATOS BASICOS/CARACTERISTICAS ELECTRICAS

4. TRANSISTORES MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente
está conectado internamente al terminal del surtidor, y
por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales

5. Lugar del origen:
Estados Unidos
Marca: Original
Número de Modelo:
2SC-2290 C2290 2SC 2290
Tipo del paquete:
A través del agujero
Tipo: Transistor del tríodo
Breve Descripción:
2SC-2290 C2290 2SC 2290
Fabricante/Marca:
Original
Código de fecha: 2015
Paquete/cubierta: SMD/DIP
Distribuidor:
Shenzhen TF electrónica Co., Ltd.
Garantía de calidad: 360 días
Hoja de datos: envíenos un correo electrónico:
Sales001 (AT) hknovatech.net
Peso: 0.1 kg-1 kg
Estado libre: ROHS/sin plomo
DATOS BASICOS/CARACTERISTICAS ELECTRONICAS
Número de pieza: 2SC-2290 C2290 2SC 2290
Marca Original
Paquete: SMD/DIP
Código de fecha: 2015
Proveedor: Shenzhen TF Technology Co., Ltd
Hoja de datos: Sales001 (AT) hknovatech.net
Corriente Voltaje: 4.5 V ~ 5.5 V
Voltaje-entrada 2.5 V ~ 5.5 V
Número de salidas 1
Voltaje-salida 0.4 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -30 C ~ 90C

6. El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia
de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

7. Lugar del origen:
China (Continental)
Marca: lyzh
Número de Modelo:
Pnp to-126 bd442
d/c: bd442
Paquete:
pensamiento agujero
Tipo: Conduzca el IC
de la marca: lyzh
tipo:
Triodo to-126 del transistor
condición: nueva y original
vcbo: - 80v
vceo: - 80v
vebo: - 5v
ic: - 4a
pc: 36w
la polaridad: pnp
pines matriz: bce
artículo To-126 bd442
símbolo característica valor de la unidad
vcbo Colector- base
de voltaje
-80 v
vceo Colector-
emisor de
voltaje
-80 v
vebo Emisor- base de
voltaje
-5 v
ic Collectorcurrent
- continua
-4 un
pd total de
potencia de
disipación
36 w
tstg de
almacenamient
o temperatura
de la unión
- 55~150 & #8451;
DATOS BASICOS /CARACTERISTICAS ELECTRICAS

8. TRANSISTOR DE POTENCIA
Con el desarrollo tecnológico y evolución
de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar
cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en
aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son
empleados en conversores estáticos de
potencia, controles para motores y llaves
de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente
dentro de un circuito cerrado

9. Lugar del origen:
Estados Unidos
Marca:
2N3055
Número de Modelo:
2N3055
Tipo del paquete:
A través del agujero
Tipo:
Transistor del potencia
Modelo:
2N3055
Hojas de datos 2N3055A, MJ15015, 16
Paquete estándar 100
Categoría
Productos semiconductores discretos
Familia Transistores (BJT)-sencillos
Serie -
Tipo de transistor NPN
Actual-colector (IC) (máx.) 15A
Voltaje de interrupción-colector-emisor
(máx.)
60 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, IC 5 V @ 7A, 15a
Actual-corte del colector (Max) 700 y Micro; un
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a IC, Vce
10 @ 4A, 2 V
Energía-máxima 115 W
Frecuencia-transición 6 MHz
Tipo de montaje A través del agujero
Paquete/cubierta A-204AA, TO-3
Embalaje Bandeja
Catálogo dinámico Transistores NPN
Otros nombres 2N3055AG-ND 2N3055AGOS
DATOS BASICOS/CARACTERISTICAS ELECTRICAS

10. FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores son sensibles a la
radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a
esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, sólo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la
corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).

11. Lugar del origen: China (Continental)
Marca: HLEC
Número de Modelo: 503PTB
Tipo del paquete: A través del agujero
Tipo: Phototransistor
Color de la lente: negro
Material de chip: Silicio
Construcción: Fase de gas epitaxial
Aplicación: Mando a distancia por infrarrojos.
El dispositivo es espectralmente adaptado a diodo
emisor de infrarrojos.
Color de lente: agua clara o negro
Rangos máximos absolutos (ta = ° c)
Colector-emisor de tensión de ruptura: 30 V
Emisor-colector Tensión de ruptura: 5 V
Disipación de energía: 45 mW
Temperatura de funcionamiento:-30 ~ + 85 ° C
Temperatura de almacenamiento:-40 ~ + 85 ° C
Plomo Temperatura de soldadura: 260 ° C durante 5
seg.
DATOS BÁSICOS/CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y ÓPTICAS
Parámetro Symbo Min. Typ. Max. Unidad
Condición de
prueba
Tensión de
alimentación
VCC 4 4.5 5 V DC Voltaje
Corriente de
alimentación
ICC 3 MA
Frecuencia central
BPF
Fo 38 KHz
Longitud de onda
de pico
Λp 940 Nm
Distancia de
recepción
8 M
Distancia de
recepción
14 M
En el eje de
rayos
Anchura de pulso
de alto nivel
Th 400 800 EE.UU.
Ancho de pulso de
nivel bajo
TL 400 800 EE.UU.
Alto nivel de
tensión de salida
VH 4.5 V
Bajo nivel de
tensión de salida
VL 0.2 0.5 V

12. REFERENCIAS
https://hardwarehackingmx.wordpress.com/tag/transistor
http://www.electronicasi.com/ensenanzas/electronica-
elemental/electronica-basica/transistores/
http://www.dtic.upf.edu/~jlozano/interfaces/interfaces1.htm
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.ecured.cu/index.php/Fototransistor