El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y aplicaciones. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores amplificadores, conmutadores u osciladores que se encuentran ampliamente en electrónica de consumo. Describe los transistores de unión, de efecto de campo, fototransistores y el primer transistor inventado.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET), fototransistores, transistores de contacto puntual y especificaciones para cinco transistores en particular (NDP6030PL MOSFET, J201 JFET, 2N3055-3, 2N6099, MC140).
El documento proporciona las especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluidos el NDP6030PL, J201, 2N3055-3, 2N6099 y MC140. Se describen las características eléctricas y térmicas clave como la tensión máxima, corriente máxima, disipación de potencia, temperatura de unión y coeficiente de ganancia de cada transistor.
Este documento describe las características de cinco transistores comunes, incluyendo el NDP6030PL MOSFET, el transistor JFET J201, el 2N3055-3 npn TO3, el 2N6099 npn TO220 y el MC140 npn TO126. Para cada transistor, se especifican valores como la potencia máxima de disipación, los límites de tensión, la corriente máxima, la temperatura de unión, la frecuencia de corte y el coeficiente de transferencia de corriente.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Existen varios tipos de transistores como los bipolares NPN y PNP, los FET y los MOSFET, los cuales se utilizan ampliamente en aparatos electrónicos modernos debido a su pequeño tamaño, bajo costo y alta confiabilidad.
Este documento describe cómo identificar el tipo (PNP o NPN) y los terminales (base, colector, emisor) de un transistor desconocido mediante medidas de resistencia con un óhmetro. Explica que la resistencia entre el colector y el emisor siempre es alta, mientras que una baja resistencia entre la base y uno de los otros terminales indica un transistor NPN y una alta resistencia indica uno PNP. También describe cómo usar un transistómetro en un polímetro digital para determinar la ganancia del transistor y verificar la disposición correcta de sus terminales.
El documento proporciona información sobre los transistores, incluyendo su historia, tipos (BJT, FET), y características. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que amplifican señales y se usan comúnmente en electrónica. Describe los transistores bipolares y de efecto campo, dando ejemplos de marcas y especificaciones técnicas.
Este documento presenta apuntes sobre niveles de cortocircuito en redes de distribución. Explica que cerca de los transformadores, la corriente máxima ocurre durante un cortocircuito monofásico, mientras que más lejos ocurre durante un cortocircuito trifásico. Luego calcula las impedancias de falla en las barras de una subestación de 14.8 kV y usa esto para calcular corrientes de cortocircuito máximas y mínimas.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET), fototransistores, transistores de contacto puntual y especificaciones para cinco transistores en particular (NDP6030PL MOSFET, J201 JFET, 2N3055-3, 2N6099, MC140).
El documento proporciona las especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluidos el NDP6030PL, J201, 2N3055-3, 2N6099 y MC140. Se describen las características eléctricas y térmicas clave como la tensión máxima, corriente máxima, disipación de potencia, temperatura de unión y coeficiente de ganancia de cada transistor.
Este documento describe las características de cinco transistores comunes, incluyendo el NDP6030PL MOSFET, el transistor JFET J201, el 2N3055-3 npn TO3, el 2N6099 npn TO220 y el MC140 npn TO126. Para cada transistor, se especifican valores como la potencia máxima de disipación, los límites de tensión, la corriente máxima, la temperatura de unión, la frecuencia de corte y el coeficiente de transferencia de corriente.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Existen varios tipos de transistores como los bipolares NPN y PNP, los FET y los MOSFET, los cuales se utilizan ampliamente en aparatos electrónicos modernos debido a su pequeño tamaño, bajo costo y alta confiabilidad.
Este documento describe cómo identificar el tipo (PNP o NPN) y los terminales (base, colector, emisor) de un transistor desconocido mediante medidas de resistencia con un óhmetro. Explica que la resistencia entre el colector y el emisor siempre es alta, mientras que una baja resistencia entre la base y uno de los otros terminales indica un transistor NPN y una alta resistencia indica uno PNP. También describe cómo usar un transistómetro en un polímetro digital para determinar la ganancia del transistor y verificar la disposición correcta de sus terminales.
El documento proporciona información sobre los transistores, incluyendo su historia, tipos (BJT, FET), y características. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que amplifican señales y se usan comúnmente en electrónica. Describe los transistores bipolares y de efecto campo, dando ejemplos de marcas y especificaciones técnicas.
Este documento presenta apuntes sobre niveles de cortocircuito en redes de distribución. Explica que cerca de los transformadores, la corriente máxima ocurre durante un cortocircuito monofásico, mientras que más lejos ocurre durante un cortocircuito trifásico. Luego calcula las impedancias de falla en las barras de una subestación de 14.8 kV y usa esto para calcular corrientes de cortocircuito máximas y mínimas.
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo bipolares NPN y PNP, unipolares JFET y MOSFET, así como una bibliografía y créditos. Se detallan parámetros como la corriente máxima, tensión colector-emisor, configuración, disipación de potencia y referencias de fabricantes para cada transistor.
El documento proporciona información técnica sobre varios transistores de diferentes fabricantes, incluyendo sus especificaciones como polaridad, corriente continua, voltaje, disipación de potencia y temperatura de funcionamiento. Describe transistores NPN, PNP, JFET, MOSFET, IGBT de encapsulados TO-220, TO-247, SOT-23 y más.
Este documento proporciona información sobre varios transistores comunes, incluidos sus códigos, estructuras, capacidades máximas de corriente y voltaje, ganancia mínima de corriente, potencia total máxima, categoría de uso típico y posibles sustitutos. Describe los transistores BC108, TIP41A, TIP29A, TIP31C y BC178, proporcionando sus especificaciones técnicas clave.
Este documento proporciona información sobre varios transistores comunes, incluidos sus códigos, estructuras, ratings eléctricos máximos, ganancias de corriente típicas y usos. Describe las características clave de transistores NPN y PNP de propósito general de baja y alta potencia en encapsulados TO-18, TO-220 y otros, y proporciona posibles sustitutos para cada uno.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores con tres terminales (emisor, colector y base) que se usan para amplificar señales. Luego describe transistores específicos como el 2N3055, IRF840 y MOSFET, proporcionando detalles técnicos sobre sus especificaciones y aplicaciones. Finalmente, introduce otros tipos avanzados de transistores como HEMT.
El documento resume los diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual inventado en 1947, el transistor de unión bipolar fabricado sobre un sustrato semiconductor, el transistor de efecto de campo que controla la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta, y el fototransistor que puede regular su corriente mediante la luz incidente.
Este documento contiene las características y especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares PNP y NPN, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Proporciona detalles como voltaje máximo, corriente, disipación de energía, temperatura de operación y aplicaciones típicas para cada transistor.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus especificaciones técnicas como polaridad, voltaje máximo, corriente, ganancia y encapsulado. Describe transistores bipolares NPN y PNP, MOSFET de tipo P y N, y JFET, que cumplen funciones como amplificadores, conmutadores y rectificadores en una variedad de dispositivos electrónicos.
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N2222, 2N3055, 3SK87, TIP35C y 2N70002. Describe sus características eléctricas como tensión máxima, corriente, ganancia y temperatura de operación. Explica que los transistores se usan comúnmente como amplificadores y conmutadores en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y reemplazó a las válvulas termoiónicas. Existen varios tipos de transistores, incluidos los bipolares NPN y PNP, los de efecto de campo (FET) y los de óxido metálico-semiconductor (MOSFET).
Este documento lista diferentes tipos de condensadores y transistores, incluyendo condensadores no polarizados, variables, electrolíticos, con resistencia intrínseca y caracterización de capa exterior. También lista varios tipos de transistores como NPN, PNP, JFET, Darlington y PUT.
Los documentos proporcionan información técnica sobre varios tipos de transistores, incluidos sus especificaciones de tensión máxima, corriente, disipación de potencia, temperatura de funcionamiento y tipo de encapsulado. Se describen las características de transistores NPN, N-Canal MOSFET, IGBT, JFET y otros.
El documento lista diferentes tipos de transistores incluyendo NPN, PNP, JFET y MOSFET. Proporciona especificaciones técnicas como corriente máxima, tensión máxima y disipación de potencia para cada transistor. El curso trata sobre física electrónica y el alumno es Moisés Rojas Aquise.
Este documento presenta las especificaciones y características de varios tipos de transistores, incluyendo JEFT (Si, NPN), MOFET (N-canal, TO220), IGBT (N-canal, TO3P), TDT (N-canal, TO247) y de potencia (PNP, TO1). Para cada transistor, se proporcionan detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas como tensión y corriente, y características eléctricas.
Este documento contiene información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus funciones, símbolos de circuito, y especificaciones técnicas. Describe transistores NPN y PNP, pares Darlington, FET, IGBT, MOSFET y más. Incluye tablas con datos como corriente máxima, voltaje, potencia disipada y rangos de temperatura de operación para cada dispositivo.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de unión unipolar o de efecto de campo, y el fototransistor. El transistor de contacto puntual fue el primer transistor capaz de obtener ganancia e involucraba dos puntas metálicas apoyadas sobre germanio. El transistor de unión bipolar se fabrica sobre un monocristal de germanio, silicio o arseniuro de galio y contiene uniones PN. El transistor de efecto de campo controla la corri
Este documento lista diferentes tipos de transistores, incluyendo NPN, PNP, JFET, MOSFET y HEMT, y proporciona sus especificaciones técnicas como corriente máxima, tensión máxima, potencia disipada y ganancia. Se incluyen ejemplos concretos de transistores de diferentes fabricantes con sus números de referencia y detalles sobre sus características eléctricas.
Este documento presenta las especificaciones y características de diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JEFT, MOFET, IGBT, TDT y de potencia. Proporciona detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas, características eléctricas y empaquetado de cada transistor.
Este documento presenta las especificaciones técnicas de varios transistores y MOSFET, incluyendo sus corrientes máximas, tensiones máximas, ganancias mínimas y tipos. Se proporcionan detalles de 14 transistores y MOSFET de diferentes marcas como Magnatec, Panasonic, Fairchild Semiconductor, Analog Devices, NXP, STMicroelectronics, International Rectifier y Avago Technologies.
El documento resume los diferentes tipos de transistores, incluyendo: 1) el transistor de contacto puntual, el primer transistor inventado en 1947; 2) el transistor de unión bipolar, fabricado sobre un monocristal semiconductor; y 3) el transistor de efecto de campo, que controla la corriente en función de una tensión aplicada a la puerta. También describe brevemente otros dispositivos como el fototransistor y el uso de transistores en electrónica de potencia y como amplificadores.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen varios tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar (BJT) compuesto por uniones PN, y el transistor de efecto de campo (FET) que controla la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta. El fototransistor funciona como un transistor regular pero su corriente puede ser regulada por la luz incidente.
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo bipolares NPN y PNP, unipolares JFET y MOSFET, así como una bibliografía y créditos. Se detallan parámetros como la corriente máxima, tensión colector-emisor, configuración, disipación de potencia y referencias de fabricantes para cada transistor.
El documento proporciona información técnica sobre varios transistores de diferentes fabricantes, incluyendo sus especificaciones como polaridad, corriente continua, voltaje, disipación de potencia y temperatura de funcionamiento. Describe transistores NPN, PNP, JFET, MOSFET, IGBT de encapsulados TO-220, TO-247, SOT-23 y más.
Este documento proporciona información sobre varios transistores comunes, incluidos sus códigos, estructuras, capacidades máximas de corriente y voltaje, ganancia mínima de corriente, potencia total máxima, categoría de uso típico y posibles sustitutos. Describe los transistores BC108, TIP41A, TIP29A, TIP31C y BC178, proporcionando sus especificaciones técnicas clave.
Este documento proporciona información sobre varios transistores comunes, incluidos sus códigos, estructuras, ratings eléctricos máximos, ganancias de corriente típicas y usos. Describe las características clave de transistores NPN y PNP de propósito general de baja y alta potencia en encapsulados TO-18, TO-220 y otros, y proporciona posibles sustitutos para cada uno.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores con tres terminales (emisor, colector y base) que se usan para amplificar señales. Luego describe transistores específicos como el 2N3055, IRF840 y MOSFET, proporcionando detalles técnicos sobre sus especificaciones y aplicaciones. Finalmente, introduce otros tipos avanzados de transistores como HEMT.
El documento resume los diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual inventado en 1947, el transistor de unión bipolar fabricado sobre un sustrato semiconductor, el transistor de efecto de campo que controla la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta, y el fototransistor que puede regular su corriente mediante la luz incidente.
Este documento contiene las características y especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares PNP y NPN, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Proporciona detalles como voltaje máximo, corriente, disipación de energía, temperatura de operación y aplicaciones típicas para cada transistor.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus especificaciones técnicas como polaridad, voltaje máximo, corriente, ganancia y encapsulado. Describe transistores bipolares NPN y PNP, MOSFET de tipo P y N, y JFET, que cumplen funciones como amplificadores, conmutadores y rectificadores en una variedad de dispositivos electrónicos.
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N2222, 2N3055, 3SK87, TIP35C y 2N70002. Describe sus características eléctricas como tensión máxima, corriente, ganancia y temperatura de operación. Explica que los transistores se usan comúnmente como amplificadores y conmutadores en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y reemplazó a las válvulas termoiónicas. Existen varios tipos de transistores, incluidos los bipolares NPN y PNP, los de efecto de campo (FET) y los de óxido metálico-semiconductor (MOSFET).
Este documento lista diferentes tipos de condensadores y transistores, incluyendo condensadores no polarizados, variables, electrolíticos, con resistencia intrínseca y caracterización de capa exterior. También lista varios tipos de transistores como NPN, PNP, JFET, Darlington y PUT.
Los documentos proporcionan información técnica sobre varios tipos de transistores, incluidos sus especificaciones de tensión máxima, corriente, disipación de potencia, temperatura de funcionamiento y tipo de encapsulado. Se describen las características de transistores NPN, N-Canal MOSFET, IGBT, JFET y otros.
El documento lista diferentes tipos de transistores incluyendo NPN, PNP, JFET y MOSFET. Proporciona especificaciones técnicas como corriente máxima, tensión máxima y disipación de potencia para cada transistor. El curso trata sobre física electrónica y el alumno es Moisés Rojas Aquise.
Este documento presenta las especificaciones y características de varios tipos de transistores, incluyendo JEFT (Si, NPN), MOFET (N-canal, TO220), IGBT (N-canal, TO3P), TDT (N-canal, TO247) y de potencia (PNP, TO1). Para cada transistor, se proporcionan detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas como tensión y corriente, y características eléctricas.
Este documento contiene información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus funciones, símbolos de circuito, y especificaciones técnicas. Describe transistores NPN y PNP, pares Darlington, FET, IGBT, MOSFET y más. Incluye tablas con datos como corriente máxima, voltaje, potencia disipada y rangos de temperatura de operación para cada dispositivo.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de unión unipolar o de efecto de campo, y el fototransistor. El transistor de contacto puntual fue el primer transistor capaz de obtener ganancia e involucraba dos puntas metálicas apoyadas sobre germanio. El transistor de unión bipolar se fabrica sobre un monocristal de germanio, silicio o arseniuro de galio y contiene uniones PN. El transistor de efecto de campo controla la corri
Este documento lista diferentes tipos de transistores, incluyendo NPN, PNP, JFET, MOSFET y HEMT, y proporciona sus especificaciones técnicas como corriente máxima, tensión máxima, potencia disipada y ganancia. Se incluyen ejemplos concretos de transistores de diferentes fabricantes con sus números de referencia y detalles sobre sus características eléctricas.
Este documento presenta las especificaciones y características de diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JEFT, MOFET, IGBT, TDT y de potencia. Proporciona detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas, características eléctricas y empaquetado de cada transistor.
Este documento presenta las especificaciones técnicas de varios transistores y MOSFET, incluyendo sus corrientes máximas, tensiones máximas, ganancias mínimas y tipos. Se proporcionan detalles de 14 transistores y MOSFET de diferentes marcas como Magnatec, Panasonic, Fairchild Semiconductor, Analog Devices, NXP, STMicroelectronics, International Rectifier y Avago Technologies.
El documento resume los diferentes tipos de transistores, incluyendo: 1) el transistor de contacto puntual, el primer transistor inventado en 1947; 2) el transistor de unión bipolar, fabricado sobre un monocristal semiconductor; y 3) el transistor de efecto de campo, que controla la corriente en función de una tensión aplicada a la puerta. También describe brevemente otros dispositivos como el fototransistor y el uso de transistores en electrónica de potencia y como amplificadores.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen varios tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar (BJT) compuesto por uniones PN, y el transistor de efecto de campo (FET) que controla la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta. El fototransistor funciona como un transistor regular pero su corriente puede ser regulada por la luz incidente.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen varios tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar (BJT) compuesto por uniones PN, y el transistor de efecto de campo (FET) que controla la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta. El fototransistor funciona como un transistor regular pero su corriente puede ser regulada por la luz incidente.
El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza ampliamente en electrónica. Fue inventado en 1947 y reemplazó a la válvula termoiónica. Funciona modulando la corriente entre tres terminales (emisor, base y colector) mediante pequeñas señales de entrada. Existen diferentes tipos como el bipolar, de efecto campo y otros.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones de amplificador, conmutador u oscilador. Fue inventado en 1947 como sustituto de la válvula termoiónica y actualmente se encuentra en numerosos aparatos electrónicos. Consiste en un sustrato de silicio con tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares: el emisor, el colector y la base intermedia que modula el paso de portadores entre las otras dos partes.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo como JFET y MOSFET, y fototransistores. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que funcionan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores, y se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos. También describe las diferencias clave entre los transistores bipolares y de efecto de campo.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de unión bipolar inventado en 1947, el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Actualmente los transistores se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de consumo y aplicaciones de potencia.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, conmutador o rectificador. Fue inventado en 1947 como sustituto de la válvula termoiónica. Existen diferentes tipos de transistores como el bipolar, de efecto de campo y el MOSFET. El transistor se compone de un sustrato de silicio con tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares y controla la corriente entre el emisor y el colector.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que produce una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Se utiliza para funciones como amplificación, oscilación, conmutación o rectificación. Los transistores se encuentran ampliamente en aparatos electrónicos como radios, televisores, computadoras y teléfonos celulares.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra en aparatos electrónicos como radios, televisores, computadoras y teléfonos celulares. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar y el fototransistor.
Este documento presenta una introducción a los transistores, incluyendo sus tipos principales como transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar (NPN y PNP), transistores de efecto de campo (JFET, MOSFET), y fototransistores. Explica brevemente el funcionamiento y características clave de cada tipo de transistor.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar (NPN y PNP), transistores de efecto de campo (JFET, MOSFET), y fototransistores. Explica las características clave y usos de cada tipo de transistor.
El documento describe un transistor MOSFET de potencia de canal P llamado TPS1110. Ofrece una resistencia interna muy baja de 65 mΩ típicos a -4.5 V de tensión de puerta, y una alta capacidad de corriente de 6 A a la misma tensión de puerta. Puede conmutar con niveles lógicos de tensión de puerta de hasta 3 V y tiene una corriente de fuga drenador-surtidor menor a 100 nA entre 25°C y 75°C a -6 V. Viene en un pequeño paquete de montaje
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar (NPN y PNP), transistores de efecto de campo (JFET, MOSFET, IGFET), y explica brevemente sus características y aplicaciones fundamentales.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen varios tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo y el transistor MOSFET. Cada uno tiene características específicas en su diseño y funcionamiento.
Este documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores. Explica que existen transistores bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET), y describe brevemente el transistor de unión bipolar, el transistor de contacto puntual, el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor MOSFET.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de contacto puntual, de unión unipolar (JFET), y MOSFET. Explica que el transistor es un dispositivo semiconductor que produce una señal de salida en respuesta a una señal de entrada, y que se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos modernos.
El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza ampliamente en electrónica de consumo y equipos industriales. Fue inventado en 1947 por tres científicos estadounidenses y reemplazó a las válvulas termoiónicas. Existen diferentes tipos de transistores como los bipolares, de efecto de campo y fototransistores. Actualmente los circuitos integrados se construyen principalmente con tecnología CMOS que usa transistores MOSFET.
El documento describe diferentes tipos de transistores y sus características. Incluye transistores de unión, de efecto de campo, bipolares, fototransistores y tiristores. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que funcionan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores, y se encuentran en muchos aparatos electrónicos.
El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Fue inventado en 1947 por John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley en los Laboratorios Bell. Existen diferentes tipos de transistores como el bipolar, de efecto de campo y fototransistor. El transistor se ha convertido en un componente fundamental en una amplia variedad de aparatos electrónicos modernos.
2. » El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción
en inglés de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos domésticos
de uso diario: radios, televisores, grabadoras,
reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavadoras, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
ordenadores, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos,
ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos celulares,
etc.
3.
4. » El transistor de unión unipolar, también llamado
de efecto de campo de unión (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la
práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre sí,
se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.
5. » El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que
controla la corriente en función de una tensión; tienen alta
impedancia de entrada.
» Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante
una unión PN.
» Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que
la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
» Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa
Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y
está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
6. » Los fototransistores son
sensibles a la radiación
electromagnética en
frecuencias cercanas a la
de la luz visible; debido a
esto su flujo de corriente
puede ser regulado por
medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un
transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2
maneras diferentes:
7. » Como un transistor normal con la corriente
de base (IB) (modo común).
» Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).
8. » Llamado también transistor de
punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por
J. Bardeen y W. Brattain. Consta
de una base de germanio,
semiconductor para entonces
mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas
que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia
que se "ve" en el colector, de ahí
el nombre de "transfer resistor".
9. » Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe
podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
10. CARACTERISTICAS
» Los valores máximos absolutos TC = 25 ° C a
menos que se indique lo contrario
» Símbolo de los parámetros NDP6030PL
NDB6030PL unidades
» VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V
» VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo ± 16 V
» Identificación Consumo de corriente - continua -
30 A
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
» RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 ° C /
W
» RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente
62.5 ° C / W
» NDP6030PL Rev.B1
» Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V
» RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.
» Críticos de los parámetros eléctricos de corriente
continua especificadas a temperaturas elevadas
11.
12. » Popular Fairchild JFET transistor para los
pedales de guitarra y preamplificadores en
un caso de TO-92.Compatible con RoHS.
13.
14. CARACTERISTICAS
» Material: Si
» La estructura de transistor: npn
» Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 117W
» Limite el colector DC-base (Ucb): 110V
» Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 100V
» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 7V
» Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 15A
» Temperatura límite de unión pn (Tj): 200°C
» Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -
» Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 20/70
» Fabricante: KELTRON
» Caso: TO3
15. CARACTERISTICAS
» Material: Si
» La estructura de transistor: npn
» Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 75W
» Limite el colector DC-base (Ucb): 70V
» Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 60V
» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 8V
» Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 10A
» Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
» Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -
» Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 20/80
» Fabricante: STI
» Caso: TO220
16. CARACTERISTICAS
» Material: Si
» La estructura de transistor: npn
» Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 3.5W
» Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
» Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 40V
» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
» Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 1A
» Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
» Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
60MHz
» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf:
25
» Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 40/300
» Fabricante: PHO
» Caso: TO126