Este documento describe la unión P-N, la estructura fundamental de los componentes electrónicos como diodos y transistores. Explica que una unión P-N está formada por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Cuando se unen, se forma una zona de carga espacial que crea una barrera de potencial. Esta barrera permite el paso de corriente en polarización directa pero no en inversa.
El documento describe una unión P-N, que es la estructura fundamental de los semiconductores como diodos y transistores. Se forma al unir un cristal dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Esto crea una zona de carga espacial en la unión que actúa como una barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los electrones y huecos pueden cruzar la barrera y conducir electricidad, mientras que una tensión inversa aumenta la barrera impidiendo el flujo.
El documento describe la unión PN, la estructura fundamental de los semiconductores. Se forma por la unión de dos cristales dopados, uno tipo P y otro tipo N. Esto crea una barrera interna de potencial en la zona de unión debido a la difusión de electrones y huecos. La barrera puede superarse aplicando una tensión directa, permitiendo el flujo de corriente, o aumentarse con una tensión inversa, bloqueando el flujo.
La unión PN se forma por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas aceptoras (tipo P) y otro con impurezas donantes (tipo N). Esto crea una zona de carga espacial en la interfaz que actúa como barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los portadores mayoritarios pueden atravesar la barrera y conducir corriente, mientras que en inversa la barrera se hace más ancha impidiendo el flujo de corriente.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en sustituir átomos del semiconductor por otros elementos químicos que introducen electrones u huecos adicionales. Los semiconductores dopados con electrones se denominan tipo N, mientras que los dopados con huecos son tipo P. El silicio y el germanio son los semiconductores más utilizados, y su dopaje permite la fabricación de dispositivos electrónicos como transistores y diodos.
El documento describe los semiconductores intrínsecos y el proceso de dopaje para crear semiconductores tipo P y tipo N. Un semiconductor intrínseco es puro y no contiene impurezas. Mediante el dopaje con átomos de valencia 3 o 5 se introducen huecos o electrones libres respectivamente, creando semiconductores tipo P rico en huecos o tipo N rico en electrones.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica inferior a los conductores metálicos pero superior a los aislantes. El silicio es el semiconductor más utilizado. Al dopar semiconductores con impurezas pentavalentes o trivalentes, se pueden mejorar su conductividad eléctrica y crear regiones tipo P y tipo N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que puede conducir electricidad en un sentido u otro dependiendo de su polarización.
Un semiconductor intrínseco es un material puro sin impurezas. Cuando se calienta, los electrones ganan energía y pasan de la banda de valencia a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto hace que la concentración de portadores intrínsecos, electrones y huecos, aumente con la temperatura. Un semiconductor extrínseco contiene pequeñas impurezas que crean un exceso de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), haciendo que uno sea el portador mayoritario.
Este documento describe los diferentes tipos de materiales conductores de electricidad, incluyendo conductores, aislantes y semiconductores. Explica que los semiconductores solo conducen electricidad bajo ciertas condiciones y que su estructura atómica los hace susceptibles a la adición de impurezas que aumentan su conductividad. También describe cómo los semiconductores dopados con impurezas tipo n o tipo p pueden usarse como componentes básicos en dispositivos electrónicos.
El documento describe una unión P-N, que es la estructura fundamental de los semiconductores como diodos y transistores. Se forma al unir un cristal dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Esto crea una zona de carga espacial en la unión que actúa como una barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los electrones y huecos pueden cruzar la barrera y conducir electricidad, mientras que una tensión inversa aumenta la barrera impidiendo el flujo.
El documento describe la unión PN, la estructura fundamental de los semiconductores. Se forma por la unión de dos cristales dopados, uno tipo P y otro tipo N. Esto crea una barrera interna de potencial en la zona de unión debido a la difusión de electrones y huecos. La barrera puede superarse aplicando una tensión directa, permitiendo el flujo de corriente, o aumentarse con una tensión inversa, bloqueando el flujo.
La unión PN se forma por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas aceptoras (tipo P) y otro con impurezas donantes (tipo N). Esto crea una zona de carga espacial en la interfaz que actúa como barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los portadores mayoritarios pueden atravesar la barrera y conducir corriente, mientras que en inversa la barrera se hace más ancha impidiendo el flujo de corriente.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en sustituir átomos del semiconductor por otros elementos químicos que introducen electrones u huecos adicionales. Los semiconductores dopados con electrones se denominan tipo N, mientras que los dopados con huecos son tipo P. El silicio y el germanio son los semiconductores más utilizados, y su dopaje permite la fabricación de dispositivos electrónicos como transistores y diodos.
El documento describe los semiconductores intrínsecos y el proceso de dopaje para crear semiconductores tipo P y tipo N. Un semiconductor intrínseco es puro y no contiene impurezas. Mediante el dopaje con átomos de valencia 3 o 5 se introducen huecos o electrones libres respectivamente, creando semiconductores tipo P rico en huecos o tipo N rico en electrones.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica inferior a los conductores metálicos pero superior a los aislantes. El silicio es el semiconductor más utilizado. Al dopar semiconductores con impurezas pentavalentes o trivalentes, se pueden mejorar su conductividad eléctrica y crear regiones tipo P y tipo N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que puede conducir electricidad en un sentido u otro dependiendo de su polarización.
Un semiconductor intrínseco es un material puro sin impurezas. Cuando se calienta, los electrones ganan energía y pasan de la banda de valencia a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto hace que la concentración de portadores intrínsecos, electrones y huecos, aumente con la temperatura. Un semiconductor extrínseco contiene pequeñas impurezas que crean un exceso de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), haciendo que uno sea el portador mayoritario.
Este documento describe los diferentes tipos de materiales conductores de electricidad, incluyendo conductores, aislantes y semiconductores. Explica que los semiconductores solo conducen electricidad bajo ciertas condiciones y que su estructura atómica los hace susceptibles a la adición de impurezas que aumentan su conductividad. También describe cómo los semiconductores dopados con impurezas tipo n o tipo p pueden usarse como componentes básicos en dispositivos electrónicos.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Comienza describiendo que los semiconductores como el silicio poseen algunos electrones libres y huecos. Luego explica que cuando los átomos de silicio se unen forman una estructura cristalina debido a los enlaces covalentes entre los electrones. Finalmente, describe las diferencias entre los cristales tipo P y tipo N, indicando que el tipo P tiene más huecos mientras que el tipo N tiene más electrones libres.
Este documento describe la teoría de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen dos bandas de energía, la de valencia y la de conducción, que están separadas por una pequeña brecha. Esto permite que algunos electrones se muevan libremente y conduzcan la corriente eléctrica cuando se aplica un voltaje. También introduce los conceptos de semiconductores intrínsecos y extrínsecos, que son dopados con impurezas para aumentar la cantidad de portadores de carga libres.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El silicio es el semiconductor más común y forma una red cristalina tetraédrica donde los átomos comparten electrones. A temperatura ambiente, algunos electrones se desprenden y pueden moverse por el cristal, haciéndolo conductor.
Este documento explica la teoría de los semiconductores. Los semiconductores más comunes son el silicio y el germanio. Su conductividad eléctrica se sitúa entre la de los aislantes y la de los conductores. Los semiconductores pueden ser intrínsecos (puros) o extrínsecos (dopados). Los semiconductores intrínsecos tienen la misma cantidad de electrones libres y huecos, mientras que los extrínsecos se dopan para crear semiconductores tipo P o tipo N.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos son materiales semiconductores extremadamente puros que contienen muy pocas impurezas. Los semiconductores extrínsecos son semiconductores a los que se les han agregado pequeñas cantidades de impurezas o "dopantes" para controlar la concentración de portadores y modificar sus propiedades eléctricas, dando lugar a los tipos N y P. Los tipos N contienen impurezas donadoras que
Este documento describe las propiedades de los semiconductores. Explica que los semiconductores pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo del campo eléctrico, y que existen semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos son puros mientras que los extrínsecos han sido dopados con impurezas para crear un exceso de electrones o huecos.
Los semiconductores intrínsecos son puros y no contienen impurezas. Cuando se calientan, los electrones saltan de la banda de valencia a la de conducción, creando electrones libres y huecos. Los semiconductores extrínsecos son dopados con impurezas que añaden electrones (tipo n) o huecos (tipo p), haciéndolos más conductores. La energía necesaria para que los electrones salten entre las bandas en silicio es de aproximadamente 1 eV.
Este documento trata sobre los semiconductores, sus propiedades y aplicaciones. Explica que los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica es intermedia entre la de los conductores y los aislantes. El semiconductor más usado es el silicio. También describe las propiedades de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados), y cómo se pueden usar para crear uniones PN que funcionan como diodos y transistores, los cuales son fundamentales en dispositivos electrónicos modernos.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica depende de factores como la temperatura o la radiación. Son elementos químicos que pueden comportarse como conductores o aislantes. Los semiconductores intrínsecos tienen pocos electrones libres de forma natural, mientras que los dopados se modifican mediante la adición de pequeñas cantidades de impurezas para alterar su densidad de portadores de carga.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos y extrínsecos dopados. Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente, mientras que los semiconductores dopados tienen su concentración modificada mediante la adición de impurezas. Los semiconductores dopados tipo N tienen un exceso de electrones, mientras que los dopados tipo P tienen un exceso de huecos. El dopaje se logra añadiendo átomos donantes con más electrones de valencia
Este documento explica las bandas de energía en los semiconductores. Describe cómo las bandas de energía se forman a medida que los átomos se acercan en un cristal semiconductor, resultando en una banda de valencia, una banda prohibida y una banda de conducción. También explica cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos difieren en la concentración de portadores debido a la presencia o ausencia de impurezas.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos (dopados). Los semiconductores extrínsecos se crean al añadir pequeñas cantidades de impurezas, como elementos con tres o cinco electrones de valencia, dando lugar a los tipos P y N respectivamente. Al aplicar un voltaje, los portadores mayoritarios (electrones en N, huecos en P) circulan en gran número creando la corriente, mientras que los portadores minoritarios apenas contribuyen.
Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen electrones que pueden absorber energía para pasar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen impurezas que añaden electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores entre ellos.
Los semiconductores intrínsecos son puros y su conducción depende de la generación térmica de pares electrón-hueco. La corriente en un semiconductor intrínseco consiste en el flujo de ambos electrones y huecos, y depende de la densidad de estados de energía la cual influencia la densidad de electrones en la banda de conducción.
Los primeros semiconductores fueron detectores de galena utilizados en radiorreceptores a principios del siglo 20. En 1940, Russell Ohl descubrió que la conductividad eléctrica de ciertos cristales variaba con la luz, lo que condujo al desarrollo de las celdas solares. Posteriormente, en 1947 se desarrolló el primer transistor de germanio, estableciendo las bases de la electrónica moderna. Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso llamado "dopaje" consistente
Un semiconductor es un material que tiene propiedades intermedias entre un conductor y un aislante. El dopaje consiste en agregar impurezas intencionalmente a un semiconductor puro para cambiar sus propiedades eléctricas, creando semiconductores tipo P o tipo N. El dopaje con elementos del grupo III como el boro crea huecos y semiconductores tipo P, mientras que el dopaje con elementos del grupo V como el arsénico genera electrones libres y semiconductores tipo N.
El documento habla sobre los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen una conductividad eléctrica entre la de un conductor y un aislante. El semiconductor más común es el silicio. También describe cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados) funcionan a nivel atómico y cómo sus propiedades eléctricas pueden modificarse mediante el dopaje.
Este documento describe los semiconductores, incluyendo que son elementos con conductividad eléctrica inferior a los metales pero superior a los aislantes. Explica que el silicio es el semiconductor más común y describe los semiconductores intrínsecos formados solo por átomos de silicio. También describe cómo los semiconductores pueden doparse agregando pequeñas cantidades de impurezas para crear semiconductores tipo P o tipo N.
Human resource management is one of the key functions within the broader scope of human resource development. If you are or want to become a manager in the health services, you will in all likelihood have some responsibility for managing people.
Author: Uta Lehmann
Institution: University of the Western Cape
This resource is part of the African Health Open Educational Resources Network: http://www.oerafrica.org/healthoer. The original resource is also available from the authoring institution at http://freecourseware.uwc.ac.za/
Creative Commons license: Attribution-Share Alike 3.0
Este documento presenta un resumen de 3 oraciones de un trabajo de monografía sobre la capacitación del servicio al cliente en el restaurante Doña Keka. En la introducción, los autores analizan la deficiencia del servicio al cliente en el restaurante debido a la falta de capacitación del personal. El trabajo está organizado en dos capítulos que tratan sobre la empresa, el cliente y el servicio al cliente, así como la problemática actual, causas, consecuencias y posibles soluciones. El objetivo general es proponer un servicio de calidad al cliente mejorando las
Este documento es un certificado de ingresos y retenciones de un empleado. Proporciona instrucciones sobre quiénes están obligados a presentar una declaración de impuestos y quiénes no, dependiendo de los ingresos y el patrimonio del empleado. También especifica que para los empleados no obligados a declarar, el impuesto es igual a las retenciones realizadas y que este certificado sustituye su declaración de impuestos.
Este documento proporciona instrucciones para conectarse a una base de datos de Access y realizar consultas desde Visual Studio.NET. Explica cómo crear la conexión a la base de datos, ejecutar consultas SQL y mostrar los resultados en un DataGridView. También incluye el código para llenar una tabla con datos de la base de datos y mostrarla en el formulario.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Comienza describiendo que los semiconductores como el silicio poseen algunos electrones libres y huecos. Luego explica que cuando los átomos de silicio se unen forman una estructura cristalina debido a los enlaces covalentes entre los electrones. Finalmente, describe las diferencias entre los cristales tipo P y tipo N, indicando que el tipo P tiene más huecos mientras que el tipo N tiene más electrones libres.
Este documento describe la teoría de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen dos bandas de energía, la de valencia y la de conducción, que están separadas por una pequeña brecha. Esto permite que algunos electrones se muevan libremente y conduzcan la corriente eléctrica cuando se aplica un voltaje. También introduce los conceptos de semiconductores intrínsecos y extrínsecos, que son dopados con impurezas para aumentar la cantidad de portadores de carga libres.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El silicio es el semiconductor más común y forma una red cristalina tetraédrica donde los átomos comparten electrones. A temperatura ambiente, algunos electrones se desprenden y pueden moverse por el cristal, haciéndolo conductor.
Este documento explica la teoría de los semiconductores. Los semiconductores más comunes son el silicio y el germanio. Su conductividad eléctrica se sitúa entre la de los aislantes y la de los conductores. Los semiconductores pueden ser intrínsecos (puros) o extrínsecos (dopados). Los semiconductores intrínsecos tienen la misma cantidad de electrones libres y huecos, mientras que los extrínsecos se dopan para crear semiconductores tipo P o tipo N.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos son materiales semiconductores extremadamente puros que contienen muy pocas impurezas. Los semiconductores extrínsecos son semiconductores a los que se les han agregado pequeñas cantidades de impurezas o "dopantes" para controlar la concentración de portadores y modificar sus propiedades eléctricas, dando lugar a los tipos N y P. Los tipos N contienen impurezas donadoras que
Este documento describe las propiedades de los semiconductores. Explica que los semiconductores pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo del campo eléctrico, y que existen semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos son puros mientras que los extrínsecos han sido dopados con impurezas para crear un exceso de electrones o huecos.
Los semiconductores intrínsecos son puros y no contienen impurezas. Cuando se calientan, los electrones saltan de la banda de valencia a la de conducción, creando electrones libres y huecos. Los semiconductores extrínsecos son dopados con impurezas que añaden electrones (tipo n) o huecos (tipo p), haciéndolos más conductores. La energía necesaria para que los electrones salten entre las bandas en silicio es de aproximadamente 1 eV.
Este documento trata sobre los semiconductores, sus propiedades y aplicaciones. Explica que los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica es intermedia entre la de los conductores y los aislantes. El semiconductor más usado es el silicio. También describe las propiedades de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados), y cómo se pueden usar para crear uniones PN que funcionan como diodos y transistores, los cuales son fundamentales en dispositivos electrónicos modernos.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica depende de factores como la temperatura o la radiación. Son elementos químicos que pueden comportarse como conductores o aislantes. Los semiconductores intrínsecos tienen pocos electrones libres de forma natural, mientras que los dopados se modifican mediante la adición de pequeñas cantidades de impurezas para alterar su densidad de portadores de carga.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos y extrínsecos dopados. Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente, mientras que los semiconductores dopados tienen su concentración modificada mediante la adición de impurezas. Los semiconductores dopados tipo N tienen un exceso de electrones, mientras que los dopados tipo P tienen un exceso de huecos. El dopaje se logra añadiendo átomos donantes con más electrones de valencia
Este documento explica las bandas de energía en los semiconductores. Describe cómo las bandas de energía se forman a medida que los átomos se acercan en un cristal semiconductor, resultando en una banda de valencia, una banda prohibida y una banda de conducción. También explica cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos difieren en la concentración de portadores debido a la presencia o ausencia de impurezas.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos (dopados). Los semiconductores extrínsecos se crean al añadir pequeñas cantidades de impurezas, como elementos con tres o cinco electrones de valencia, dando lugar a los tipos P y N respectivamente. Al aplicar un voltaje, los portadores mayoritarios (electrones en N, huecos en P) circulan en gran número creando la corriente, mientras que los portadores minoritarios apenas contribuyen.
Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen electrones que pueden absorber energía para pasar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen impurezas que añaden electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores entre ellos.
Los semiconductores intrínsecos son puros y su conducción depende de la generación térmica de pares electrón-hueco. La corriente en un semiconductor intrínseco consiste en el flujo de ambos electrones y huecos, y depende de la densidad de estados de energía la cual influencia la densidad de electrones en la banda de conducción.
Los primeros semiconductores fueron detectores de galena utilizados en radiorreceptores a principios del siglo 20. En 1940, Russell Ohl descubrió que la conductividad eléctrica de ciertos cristales variaba con la luz, lo que condujo al desarrollo de las celdas solares. Posteriormente, en 1947 se desarrolló el primer transistor de germanio, estableciendo las bases de la electrónica moderna. Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso llamado "dopaje" consistente
Un semiconductor es un material que tiene propiedades intermedias entre un conductor y un aislante. El dopaje consiste en agregar impurezas intencionalmente a un semiconductor puro para cambiar sus propiedades eléctricas, creando semiconductores tipo P o tipo N. El dopaje con elementos del grupo III como el boro crea huecos y semiconductores tipo P, mientras que el dopaje con elementos del grupo V como el arsénico genera electrones libres y semiconductores tipo N.
El documento habla sobre los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen una conductividad eléctrica entre la de un conductor y un aislante. El semiconductor más común es el silicio. También describe cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados) funcionan a nivel atómico y cómo sus propiedades eléctricas pueden modificarse mediante el dopaje.
Este documento describe los semiconductores, incluyendo que son elementos con conductividad eléctrica inferior a los metales pero superior a los aislantes. Explica que el silicio es el semiconductor más común y describe los semiconductores intrínsecos formados solo por átomos de silicio. También describe cómo los semiconductores pueden doparse agregando pequeñas cantidades de impurezas para crear semiconductores tipo P o tipo N.
Human resource management is one of the key functions within the broader scope of human resource development. If you are or want to become a manager in the health services, you will in all likelihood have some responsibility for managing people.
Author: Uta Lehmann
Institution: University of the Western Cape
This resource is part of the African Health Open Educational Resources Network: http://www.oerafrica.org/healthoer. The original resource is also available from the authoring institution at http://freecourseware.uwc.ac.za/
Creative Commons license: Attribution-Share Alike 3.0
Este documento presenta un resumen de 3 oraciones de un trabajo de monografía sobre la capacitación del servicio al cliente en el restaurante Doña Keka. En la introducción, los autores analizan la deficiencia del servicio al cliente en el restaurante debido a la falta de capacitación del personal. El trabajo está organizado en dos capítulos que tratan sobre la empresa, el cliente y el servicio al cliente, así como la problemática actual, causas, consecuencias y posibles soluciones. El objetivo general es proponer un servicio de calidad al cliente mejorando las
Este documento es un certificado de ingresos y retenciones de un empleado. Proporciona instrucciones sobre quiénes están obligados a presentar una declaración de impuestos y quiénes no, dependiendo de los ingresos y el patrimonio del empleado. También especifica que para los empleados no obligados a declarar, el impuesto es igual a las retenciones realizadas y que este certificado sustituye su declaración de impuestos.
Este documento proporciona instrucciones para conectarse a una base de datos de Access y realizar consultas desde Visual Studio.NET. Explica cómo crear la conexión a la base de datos, ejecutar consultas SQL y mostrar los resultados en un DataGridView. También incluye el código para llenar una tabla con datos de la base de datos y mostrarla en el formulario.
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This chapter follows Christie as she marries Zeeshan under a deal that allows her to later divorce him and marry Grady. At their dysfunctional wedding, fights break out between Amylu and Sadie. After just five minutes of marriage, Christie divorces a heartbroken Zeeshan to pursue Grady, leaving Zeeshan devastated.
Curso Gestión de Procesos FEB.2014 - Dr. Miguel Aguilar SerranoMiguel Aguilar
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Este documento propone implementar la plataforma educativa Claroline en la Universidad Central del Ecuador, Facultad de Ciencias Económicas. Claroline es un software de código abierto que permite crear cursos virtuales de forma sencilla. La mayoría de estudiantes y la administración están de acuerdo con esta propuesta porque mejoraría la calidad educativa y rendimiento estudiantil al facilitar el acceso a los contenidos y herramientas de aprendizaje.
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Los primeros registros astronómicos fueron realizados por los babilonios y sumerios, quienes observaban los movimientos del sol, la luna y los planetas para construir calendarios precisos y predecir eclipses. La astronomía comenzó como una práctica religiosa vinculada a los dioses, pero con el tiempo se volvió más objetiva y científica, separándose de las creencias místicas.
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Los objetivos del documento fueron crear un mapa de vegetación de los árboles de caoba encontrados en el bosque de la UPRH y ubicarlos en el mapa según su dirección respecto a un árbol de referencia. Durante su primera visita al bosque, recolectaron datos como la dirección de 47 árboles y crearon un mapa de vegetación a mano. La tabla 1 lista los números de los árboles y sus direcciones respecto al árbol de referencia.
El documento describe un proyecto para crear un mapa de vegetación de los árboles de caoba en el bosque de la UPRH usando Excel. Los estudiantes recolectaron datos en el campo sobre la dirección de 47 árboles con respecto a un árbol de referencia. Luego ingresaron esta información a una tabla en Excel y usaron las direcciones para ubicar cada árbol en el mapa preparado.
Los semiconductores tienen una conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El silicio es el semiconductor más común y forma una red cristalina donde los átomos comparten electrones. Al aplicar calor, algunos electrones se liberan y pueden moverse a través del cristal. Los semiconductores pueden doparse con impurezas para mejorar su conductividad, dando lugar a los tipos P y N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que se comporta como un interruptor.
Este documento describe las bandas de energía en los semiconductores. Explica que en los semiconductores intrínsecos, la concentración de electrones en la banda de conducción es igual a la concentración de huecos en la banda de valencia. En los semiconductores extrínsecos dopados, ya sea con impurezas trivalentes o pentavalentes, se crea un exceso de portadores mayoritarios, electrones en el tipo N o huecos en el tipo P. Esto aumenta en gran medida la conductividad del material.
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosMeryleny
El documento describe el proceso de dopaje de silicio para crear un semiconductor de tipo N. Explica que al sustituir átomos de silicio por impurezas pentavalentes como el arsénico, el fósforo o el antimonio, los cinco electrones de valencia de estas impurezas se enlazan con cuatro electrones del silicio, dejando un electrón libre. Esto da como resultado un semiconductor con una mayor concentración de electrones que huecos, lo que lo convierte en un semiconductor de tipo N con alta conductividad eléctrica.
Este documento explica las bandas de energía en los semiconductores. Describe cómo las bandas de energía se forman a medida que los átomos se acercan en un cristal semiconductor, resultando en una banda de valencia, una banda prohibida y una banda de conducción. También explica cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos difieren en la concentración de portadores debido a la presencia o ausencia de impurezas.
Este documento explica las bandas de energía en los semiconductores. Describe cómo las bandas de energía se forman a medida que los átomos se acercan en un cristal semiconductor, resultando en una banda de valencia, una banda prohibida y una banda de conducción. También explica cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos difieren en la concentración de portadores debido a la presencia o ausencia de impurezas.
Este documento describe los diferentes tipos de materiales conductores de electricidad, incluyendo conductores, aislantes y semiconductores. Explica que los semiconductores solo conducen electricidad bajo ciertas condiciones y que su estructura atómica los hace susceptibles a la adición de impurezas que aumentan su conductividad. También describe cómo los semiconductores dopados con impurezas tipo n o tipo p pueden usarse como componentes básicos en dispositivos electrónicos.
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosJohn Hdlc
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la cantidad de electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores. Al aplicar una tensión directa, los portadores pueden cruzar la unión y permitir la conducción eléctrica.
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que un semiconductor intrínseco tiene igual número de electrones y huecos, mientras que un semiconductor dopado tiene más de un tipo de portador debido a la adición intencional de impurezas. También detalla los diferentes tipos de dopantes usados para crear semiconductores de tipo N y P.
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Un semiconductor es un material cuyas propiedades eléctricas están entre las de un conductor y un aislante. La conductividad de los semiconductores puede aumentarse mediante la adición de pequeñas cantidades de impurezas, como el arsénico o el fósforo. Estas impurezas crean electrones o huecos adicionales que contribuyen a la corriente eléctrica. Los diodos están formados por la unión de un semiconductor dopado con impurezas donadoras (tipo N) y otro dopado con impurezas aceptoras (tipo P).
Un diodo permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran de válvula termoiónica que consistían en electrodos empacados en vidrio al vacío. Los diodos semiconductores modernos están hechos de cristal semiconductor como el silicio con regiones tipo n y tipo p unidas, llamada unión PN, que conduce la corriente en una dirección.
El documento explica las bandas de energía en los semiconductores. Describe cómo los orbitales atómicos se combinan para formar bandas de energía a medida que los átomos se acercan en un cristal semiconductor. Esto da como resultado tres bandas principales: la banda de valencia con electrones, la banda prohibida sin electrones, y la banda de conducción vacía. También introduce los conceptos de semiconductores intrínsecos y extrínsecos dopados.
Un semiconductor intrínseco como el silicio forma una estructura cristalina tetraédrica mediante enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones absorben energía para saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Este proceso también ocurre a la inversa. Si se dopan con impurezas trivalentes o pentavalentes, se convierten en semiconductores extrínsecos tipo N o P, aumentando la concentración de portadores de carga libres (electrones o huecos).
Un semiconductor intrínseco como el silicio forma una estructura cristalina tetraédrica mediante enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones absorben energía para saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Este proceso también ocurre a la inversa. Si se dopan con impurezas trivalentes o pentavalentes, se convierten en semiconductores extrínsecos tipo N o P, aumentando los portadores de carga libres (electrones o huecos). Los semiconductores tipo N contienen impurezas
El Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Define un semiconductor como un material que puede comportarse como un conductor o aislante dependiendo de factores como la temperatura o campo eléctrico. Explica que los semiconductores tienen 4 electrones de valencia y da ejemplos como el silicio y germanio. También describe los conceptos de semiconductor intrínseco y extrínseco dopado y cómo afecta la adición de impurezas trivalentes o pentavalentes a la conductividad.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Define un semiconductor como un material que puede comportarse como un conductor o aislante dependiendo de factores como la temperatura o campo eléctrico. Los semiconductores más comunes son el silicio y el germanio, que tienen 4 electrones de valencia. Los semiconductores intrínsecos son puros, mientras que los extrínsecos están dopados con impurezas que añaden electrones (tipo n) o huecos (tipo p) para mejorar su conductividad.
Este documento describe los conceptos de semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que un semiconductor intrínseco no contiene impurezas y tiene igual número de electrones y huecos. Al aumentar la temperatura, los electrones pasan a la banda de conducción dejando huecos. Los dopantes agregan impurezas tipo N o P para cambiar las propiedades eléctricas al añadir electrones o huecos extras. Los semiconductores dopados se conocen como extrínsecos y pueden actuar más como conductores si el dopaje es alto.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Explica que los semiconductores intrínsecos, como el silicio, forman una estructura cristalina tetraédrica donde algunos electrones pueden absorber energía y saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores extrínsecos están dopados con pequeñas cantidades de impurezas trivalentes o pentavalentes para crear semiconductores tipo P, ricos en huecos, o tipo N, ricos en electrones. El dopaje tipo P se log
Este documento describe los semiconductores, incluyendo su estructura atómica, conductividad eléctrica y tipos como intrínsecos y dopados. Explica cómo los semiconductores intrínsecos como el silicio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que los hacen conductores. Los semiconductores dopados con impurezas como el silicio tipo N tienen más electrones, mientras que los dopados tipo P tienen más huecos. Estos portadores mayoritarios permiten una mayor conductividad y su unión forma un diodo semiconductor.
1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
TEMA
: Unión P- N
ALUMNO: EDGAR RAMIREZ MENDOZA
CURSO
: FISICA ELECTRONICA
TUTOR
: ROJAS REATEGUI RAUL
CARRERA : ING. SISTEMAS E INFORMATICA
CICLO
: IV
CUSCO PERU
2013
2. Unión P-N
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes
electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente
diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio
(Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos
de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con
impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
Silicio puro o "intrínseco"
MALLA CRISTALINA DEL SILICIO PURO.
Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del átomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que
deja un electrón cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrón
libre. Esto es lo que se conoce como pares electrón - hueco y su generación
se debe a la temperatura (como una aplicación, al caso, de las leyes de la
termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico). En un semiconductor puro
(intrínseco) se cumple que, a temperatura constante, el número de huecos es
igual al de electrones libres.
Silicio "extrínseco" tipo "P"
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyéndole algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por
átomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrión,
normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia
3. (normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más
débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante
es también conocido como impurezas aceptoras.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso
del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto,
haciendo que, por difusión, uno de los átomos vecinos le ceda un electrón
completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada
hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el
semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante,
cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado
en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un
electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva.
Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan
ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los
portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.
Silicio "extrínseco" tipo "N"
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
añadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con
5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones
libres).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más
débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es también conocido como impurezas donantes ya que cede uno de
sus electrones al semiconductor.
El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres
en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo N
considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia
4. atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de
los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia,
tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As)
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de
silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no
enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de electrones
libres, el número de electrones en el material supera ampliamente el número de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los
huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos
donantes. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos
de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente
tiene una carga eléctrica neta final de cero.
Barrera interna de potencial
Formación de la zona de la barrera interna de potencial.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al
p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos
lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera
interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o
empobrecimiento, de deplexión, de vaciado, etc.
5. A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele
ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Polarización directa de la unión P - N
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la
unión P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n,
con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal
p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión pn.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es
mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
6. electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona
p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de
átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta el final.
Polarización inversa de la unión P - N
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería,
tal y como se explica a continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,
los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
7. ver
semiconductor
y
átomo) y una carga
eléctrica neta de +1,
con
lo
convierten
que
en
se
iones
positivos.
El polo negativo de la
batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos
de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón
que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos
huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1,
convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente
(del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además,
existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto
de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que
los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es
despreciable.
Unión P-N
8. En una unión entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los
huecos de la zona p pasan por difusión hacia la zona n y los electrones de la
zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unión, huecos y electrones se recombinan, quedando una
estrecha zona de transición con una distribución de carga debida a la presencia
de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones.
Se crea, entonces un campo
eléctrico que produce corrientes
de
desplazamiento,
que
equilibran a las de difusión. A la
diferencia
de
potencial
correspondiente a este campo
eléctrico se le llama potencial de
contactoV0. Principal