La unión PN se forma por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas aceptoras (tipo P) y otro con impurezas donantes (tipo N). Esto crea una zona de carga espacial en la interfaz que actúa como barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los portadores mayoritarios pueden atravesar la barrera y conducir corriente, mientras que en inversa la barrera se hace más ancha impidiendo el flujo de corriente.
El documento describe una unión P-N, que es la estructura fundamental de los semiconductores como diodos y transistores. Se forma al unir un cristal dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Esto crea una zona de carga espacial en la unión que actúa como una barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los electrones y huecos pueden cruzar la barrera y conducir electricidad, mientras que una tensión inversa aumenta la barrera impidiendo el flujo.
Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen electrones que pueden absorber energía para pasar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen impurezas que añaden electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores entre ellos.
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosJohn Hdlc
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la cantidad de electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores. Al aplicar una tensión directa, los portadores pueden cruzar la unión y permitir la conducción eléctrica.
Semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopadosUniversidad Telesup
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y germanio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que les permite conducir electricidad. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la concentración de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), mejorando su conductividad. También describe las uniones p-n, donde los semiconductores p y n se unen, creando una zona de agotamiento que permite o bloquea el
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen concentraciones iguales de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados se crean agregando impurezas como el arsénico o el boro, lo que da como resultado los tipos "n" y "p". La unión de un semiconductor tipo "p" y uno tipo "n" forma una unión p-n, que puede conducir corriente eléctrica cuando
Este documento describe la unión P-N, la estructura fundamental de los componentes electrónicos como diodos y transistores. Explica que una unión P-N está formada por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Cuando se unen, se forma una zona de carga espacial que crea una barrera de potencial. Esta barrera permite el paso de corriente en polarización directa pero no en inversa.
Los semiconductores intrinsecos y los semi conductores dopadoslguzmanv
Un semiconductor intrínseco es un material puro sin impurezas. El dopaje es el proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrínseco para cambiar sus propiedades eléctricas, utilizando impurezas como el fósforo o el boro para crear semiconductores de tipo N o P respectivamente. Esto permite la conducción eléctrica controlada a través de la unión PN cuando se aplica una diferencia de potencial.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Describe cómo los semiconductores puros como el silicio y el germanio pueden conducir electricidad cuando se calientan, debido a electrones que se mueven a la banda de conducción. Explica cómo dopar semiconductores con impurezas como el arsénico o el boro crea los tipos "n" y "p", respectivamente, y cómo la unión de estos tipos crea un diodo semiconductor capaz de conducir en una dirección pero
El documento describe una unión P-N, que es la estructura fundamental de los semiconductores como diodos y transistores. Se forma al unir un cristal dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Esto crea una zona de carga espacial en la unión que actúa como una barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los electrones y huecos pueden cruzar la barrera y conducir electricidad, mientras que una tensión inversa aumenta la barrera impidiendo el flujo.
Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen electrones que pueden absorber energía para pasar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen impurezas que añaden electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores entre ellos.
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosJohn Hdlc
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la cantidad de electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores. Al aplicar una tensión directa, los portadores pueden cruzar la unión y permitir la conducción eléctrica.
Semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopadosUniversidad Telesup
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y germanio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que les permite conducir electricidad. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la concentración de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), mejorando su conductividad. También describe las uniones p-n, donde los semiconductores p y n se unen, creando una zona de agotamiento que permite o bloquea el
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen concentraciones iguales de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados se crean agregando impurezas como el arsénico o el boro, lo que da como resultado los tipos "n" y "p". La unión de un semiconductor tipo "p" y uno tipo "n" forma una unión p-n, que puede conducir corriente eléctrica cuando
Este documento describe la unión P-N, la estructura fundamental de los componentes electrónicos como diodos y transistores. Explica que una unión P-N está formada por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Cuando se unen, se forma una zona de carga espacial que crea una barrera de potencial. Esta barrera permite el paso de corriente en polarización directa pero no en inversa.
Los semiconductores intrinsecos y los semi conductores dopadoslguzmanv
Un semiconductor intrínseco es un material puro sin impurezas. El dopaje es el proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrínseco para cambiar sus propiedades eléctricas, utilizando impurezas como el fósforo o el boro para crear semiconductores de tipo N o P respectivamente. Esto permite la conducción eléctrica controlada a través de la unión PN cuando se aplica una diferencia de potencial.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Describe cómo los semiconductores puros como el silicio y el germanio pueden conducir electricidad cuando se calientan, debido a electrones que se mueven a la banda de conducción. Explica cómo dopar semiconductores con impurezas como el arsénico o el boro crea los tipos "n" y "p", respectivamente, y cómo la unión de estos tipos crea un diodo semiconductor capaz de conducir en una dirección pero
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en sustituir átomos del semiconductor por otros elementos químicos que introducen electrones u huecos adicionales. Los semiconductores dopados con electrones se denominan tipo N, mientras que los dopados con huecos son tipo P. El silicio y el germanio son los semiconductores más utilizados, y su dopaje permite la fabricación de dispositivos electrónicos como transistores y diodos.
El documento habla sobre los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen una conductividad eléctrica entre la de un conductor y un aislante. El semiconductor más común es el silicio. También describe cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados) funcionan a nivel atómico y cómo sus propiedades eléctricas pueden modificarse mediante el dopaje.
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración igual de electrones y huecos debido al proceso de creación y recombinación de pares electrón-hueco. Los semiconductores extrínsecos tienen un pequeño porcentaje de impurezas que los dopan, haciéndolos tipo P al añadir elementos trivalentes que generan huecos, o tipo N al añadir elementos pentavalentes que generan electrones.
Un diodo permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran de válvula termoiónica que consistían en electrodos empacados en vidrio al vacío. Los diodos semiconductores modernos están hechos de cristal semiconductor como el silicio con regiones tipo n y tipo p unidas, llamada unión PN, que conduce la corriente en una dirección.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Comienza describiendo que los semiconductores como el silicio poseen algunos electrones libres y huecos. Luego explica que cuando los átomos de silicio se unen forman una estructura cristalina debido a los enlaces covalentes entre los electrones. Finalmente, describe las diferencias entre los cristales tipo P y tipo N, indicando que el tipo P tiene más huecos mientras que el tipo N tiene más electrones libres.
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
El documento describe los semiconductores intrínsecos y el proceso de dopaje para crear semiconductores tipo P y tipo N. Un semiconductor intrínseco es puro y no contiene impurezas. Mediante el dopaje con átomos de valencia 3 o 5 se introducen huecos o electrones libres respectivamente, creando semiconductores tipo P rico en huecos o tipo N rico en electrones.
Los semiconductores extrínsecos se caracterizan por tener un pequeño porcentaje de impurezas, como elementos trivalentes o pentavalentes, lo que da lugar a los semiconductores dopados tipo n y tipo p. Los semiconductores tipo n están dopados con elementos pentavalentes que aportan electrones extra, mientras que los semiconductores tipo p están dopados con elementos trivalentes que generan huecos.
El Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Los semiconductores intrínsecos son puros y su conductividad depende de la generación térmica de pares electrón-hueco. Los semiconductores dopados tienen impurezas que aumentan la cantidad de portadores, dando lugar a los tipos n y p. Los tipos n tienen electrones en exceso y los tipos p tienen huecos en exceso.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Explica que los semiconductores intrínsecos, como el silicio, forman una estructura cristalina tetraédrica donde algunos electrones pueden absorber energía y saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores extrínsecos están dopados con pequeñas cantidades de impurezas trivalentes o pentavalentes para crear semiconductores tipo P, ricos en huecos, o tipo N, ricos en electrones. El dopaje tipo P se log
Los semiconductores pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como el campo eléctrico, la temperatura o la radiación. El silicio y el germanio son los semiconductores más usados, formando una estructura cristalina tetraédrica. Los semiconductores intrínsecos mantienen la misma concentración de electrones y huecos, mientras que los extrínsecos se dopan con impurezas trivalentes o pentavalentes para aumentar portadores de carga. El dopaje n y p aumenta los electrones y huecos respectivamente.
Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos, semiconductores dopados tipo N y tipo P. Los semiconductores intrínsecos son puros y se comportan como aislantes a temperatura ambiente, mientras que los semiconductores dopados tienen impurezas que aumentan la conductividad al añadir electrones libres (tipo N) o huecos (tipo P). La unión de capas tipo P y tipo N forma un diodo semiconductor.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos (dopados). Los semiconductores extrínsecos se crean al añadir pequeñas cantidades de impurezas, como elementos con tres o cinco electrones de valencia, dando lugar a los tipos P y N respectivamente. Al aplicar un voltaje, los portadores mayoritarios (electrones en N, huecos en P) circulan en gran número creando la corriente, mientras que los portadores minoritarios apenas contribuyen.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en añadir pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores intrínsecos de silicio o germanio puros. Esto da lugar a los semiconductores extrínsecos tipo N y tipo P, los cuales tienen un exceso de electrones o huecos, respectivamente. La unión entre un semiconductor tipo N y otro tipo P crea una zona de depleción donde los portadores de carga se recombinan, permitiendo el paso de
Realiza una presentación en Power Point sobre los semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopados, como máximo 16 diapositivas. publica tu presentación en
El documento instruye al alumno a realizar una presentación en PowerPoint sobre semiconductores intrínsecos y dopados de hasta 16 diapositivas, publicarla en SlideShare y enviar la dirección al profesor. Se pide referenciar las fuentes de imágenes usadas para demostrar una buena investigación.
El documento describe los semiconductores y su uso en rectificadores. Los semiconductores como el silicio tienen una conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. Los rectificadores utilizan diodos de silicio dopado tipo P o N para convertir corriente alterna en continua, permitiendo que los dispositivos sean alimentados por la red eléctrica.
El documento instruye al alumno a realizar una presentación en PowerPoint sobre semiconductores intrínsecos y dopados de hasta 16 diapositivas, publicarla en SlideShare y enviar la dirección al profesor. También indica que se deben incluir referencias a las fuentes de información utilizadas.
Es la exposición dedicada al paisajismo, la jardinería, la decoración de exteriores y los servicios relacionados con los espacios verdes.
Es un paseo de arte, de compras, de diseño y tendencias con el marco imponente de la naturaleza.
Una catapulta es un instrumento militar antiguo que utilizaba la energía almacenada en cuerdas tensadas para lanzar grandes objetos a distancia. Los modelos más grandes se montaban en plataformas de madera, mientras que también había versiones portátiles más pequeñas. El tipo más efectivo era el trabuquete, que funcionaba mediante la fuerza de gravedad de un contrapeso para impulsar el proyectil. Las primeras catapultas fueron desarrolladas por los griegos y mejoradas posteriormente por cartagineses y romanos
Este documento ofrece consejos para hacer presentaciones más efectivas y atractivas. Recomienda limitar las presentaciones a 10 diapositivas con 20 puntos de texto como máximo y una duración de 30 minutos. Además, sugiere conocer bien la audiencia, preparar un comienzo y final memorables, y usar diseños simples en lugar de efectos excesivos para mantener la atención y comunicar el mensaje de forma clara.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en sustituir átomos del semiconductor por otros elementos químicos que introducen electrones u huecos adicionales. Los semiconductores dopados con electrones se denominan tipo N, mientras que los dopados con huecos son tipo P. El silicio y el germanio son los semiconductores más utilizados, y su dopaje permite la fabricación de dispositivos electrónicos como transistores y diodos.
El documento habla sobre los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen una conductividad eléctrica entre la de un conductor y un aislante. El semiconductor más común es el silicio. También describe cómo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados) funcionan a nivel atómico y cómo sus propiedades eléctricas pueden modificarse mediante el dopaje.
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración igual de electrones y huecos debido al proceso de creación y recombinación de pares electrón-hueco. Los semiconductores extrínsecos tienen un pequeño porcentaje de impurezas que los dopan, haciéndolos tipo P al añadir elementos trivalentes que generan huecos, o tipo N al añadir elementos pentavalentes que generan electrones.
Un diodo permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran de válvula termoiónica que consistían en electrodos empacados en vidrio al vacío. Los diodos semiconductores modernos están hechos de cristal semiconductor como el silicio con regiones tipo n y tipo p unidas, llamada unión PN, que conduce la corriente en una dirección.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Comienza describiendo que los semiconductores como el silicio poseen algunos electrones libres y huecos. Luego explica que cuando los átomos de silicio se unen forman una estructura cristalina debido a los enlaces covalentes entre los electrones. Finalmente, describe las diferencias entre los cristales tipo P y tipo N, indicando que el tipo P tiene más huecos mientras que el tipo N tiene más electrones libres.
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
El documento describe los semiconductores intrínsecos y el proceso de dopaje para crear semiconductores tipo P y tipo N. Un semiconductor intrínseco es puro y no contiene impurezas. Mediante el dopaje con átomos de valencia 3 o 5 se introducen huecos o electrones libres respectivamente, creando semiconductores tipo P rico en huecos o tipo N rico en electrones.
Los semiconductores extrínsecos se caracterizan por tener un pequeño porcentaje de impurezas, como elementos trivalentes o pentavalentes, lo que da lugar a los semiconductores dopados tipo n y tipo p. Los semiconductores tipo n están dopados con elementos pentavalentes que aportan electrones extra, mientras que los semiconductores tipo p están dopados con elementos trivalentes que generan huecos.
El Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético
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El documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Explica que los semiconductores intrínsecos, como el silicio, forman una estructura cristalina tetraédrica donde algunos electrones pueden absorber energía y saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores extrínsecos están dopados con pequeñas cantidades de impurezas trivalentes o pentavalentes para crear semiconductores tipo P, ricos en huecos, o tipo N, ricos en electrones. El dopaje tipo P se log
Los semiconductores pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como el campo eléctrico, la temperatura o la radiación. El silicio y el germanio son los semiconductores más usados, formando una estructura cristalina tetraédrica. Los semiconductores intrínsecos mantienen la misma concentración de electrones y huecos, mientras que los extrínsecos se dopan con impurezas trivalentes o pentavalentes para aumentar portadores de carga. El dopaje n y p aumenta los electrones y huecos respectivamente.
Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos, semiconductores dopados tipo N y tipo P. Los semiconductores intrínsecos son puros y se comportan como aislantes a temperatura ambiente, mientras que los semiconductores dopados tienen impurezas que aumentan la conductividad al añadir electrones libres (tipo N) o huecos (tipo P). La unión de capas tipo P y tipo N forma un diodo semiconductor.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos (dopados). Los semiconductores extrínsecos se crean al añadir pequeñas cantidades de impurezas, como elementos con tres o cinco electrones de valencia, dando lugar a los tipos P y N respectivamente. Al aplicar un voltaje, los portadores mayoritarios (electrones en N, huecos en P) circulan en gran número creando la corriente, mientras que los portadores minoritarios apenas contribuyen.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en añadir pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores intrínsecos de silicio o germanio puros. Esto da lugar a los semiconductores extrínsecos tipo N y tipo P, los cuales tienen un exceso de electrones o huecos, respectivamente. La unión entre un semiconductor tipo N y otro tipo P crea una zona de depleción donde los portadores de carga se recombinan, permitiendo el paso de
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Una catapulta es un instrumento militar antiguo que utilizaba la energía almacenada en cuerdas tensadas para lanzar grandes objetos a distancia. Los modelos más grandes se montaban en plataformas de madera, mientras que también había versiones portátiles más pequeñas. El tipo más efectivo era el trabuquete, que funcionaba mediante la fuerza de gravedad de un contrapeso para impulsar el proyectil. Las primeras catapultas fueron desarrolladas por los griegos y mejoradas posteriormente por cartagineses y romanos
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Los semiconductores tienen una conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El silicio es el semiconductor más común y forma una red cristalina donde los átomos comparten electrones. Al aplicar calor, algunos electrones se liberan y pueden moverse a través del cristal. Los semiconductores pueden doparse con impurezas para mejorar su conductividad, dando lugar a los tipos P y N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que se comporta como un interruptor.
Unión PN son uniones de dos semiconductores, tipos P y N. Cuando se unen, los electrones del tipo N difunden al tipo P, creando una zona de carga espacial. En polarización directa, la batería reduce la barrera de potencial permitiendo el paso de electrones; en polarización inversa, la batería aumenta la zona de carga espacial impidiendo el paso de corriente, aunque pequeñas corrientes de saturación y fugas pueden ocurrir.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica inferior a los conductores metálicos pero superior a los aislantes. El silicio es el semiconductor más utilizado. Al dopar semiconductores con impurezas pentavalentes o trivalentes, se pueden mejorar su conductividad eléctrica y crear regiones tipo P y tipo N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que puede conducir electricidad en un sentido u otro dependiendo de su polarización.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos y extrínsecos dopados. Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente, mientras que los semiconductores dopados tienen su concentración modificada mediante la adición de impurezas. Los semiconductores dopados tipo N tienen un exceso de electrones, mientras que los dopados tipo P tienen un exceso de huecos. El dopaje se logra añadiendo átomos donantes con más electrones de valencia
Este documento describe los semiconductores, incluyendo su estructura atómica, conductividad eléctrica y tipos como intrínsecos y dopados. Explica cómo los semiconductores intrínsecos como el silicio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que los hacen conductores. Los semiconductores dopados con impurezas como el silicio tipo N tienen más electrones, mientras que los dopados tipo P tienen más huecos. Estos portadores mayoritarios permiten una mayor conductividad y su unión forma un diodo semiconductor.
Un diodo es un componente electrónico que permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran tubos de vacío inventados por Fleming en 1904, mientras que los diodos semiconductores modernos están hechos de silicio o germanio dopado. Un diodo polarizado directamente conduce la corriente, mientras que en polarización inversa la corriente es pequeña debido a la barrera de potencial creada en la unión PN.
Este documento describe diferentes tipos de diodos, incluyendo:
1) Diodos de vacío que consisten en dos electrodos en un tubo de vidrio al vacío y fueron los primeros diodos usados ampliamente en el siglo 20.
2) Diodos semiconductores modernos formados por la unión de dos regiones de un cristal semiconductor, una dopada con impurezas tipo n y la otra tipo p.
3) Otros tipos especializados como diodos túnel, Gunn, Zener, diodos láser y LED que se us
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Los semiconductores extrínsecos se caracterizan por tener un pequeño porcentaje de impurezas, como elementos trivalentes o pentavalentes, lo que se conoce como dopado. Los semiconductores tipo N están dopados con elementos pentavalentes que dejan un electrón suelto, mientras que los tipo P están dopados con elementos trivalentes que dejan un hueco.
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que un semiconductor intrínseco tiene igual número de electrones y huecos, mientras que un semiconductor dopado tiene más de un tipo de portador debido a la adición intencional de impurezas. También detalla los diferentes tipos de dopantes usados para crear semiconductores de tipo N y P.
Los semiconductores extrínsecos se caracterizan por tener un pequeño porcentaje de impurezas, como elementos trivalentes o pentavalentes, que modifican las propiedades del semiconductor. Los semiconductores tipo N están dopados con elementos pentavalentes que aportan electrones extra, mientras que los semiconductores tipo P están dopados con elementos trivalentes que crean "huecos" o vacantes electrónicas. Estos dopantes determinan si los portadores de carga mayoritarios son los electrones (tipo N) o los huecos (tipo P).
Un semiconductor intrínseco como el silicio forma una estructura cristalina tetraédrica mediante enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones absorben energía para saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Este proceso también ocurre a la inversa. Si se dopan con impurezas trivalentes o pentavalentes, se convierten en semiconductores extrínsecos tipo N o P, aumentando la concentración de portadores de carga libres (electrones o huecos).
Un semiconductor intrínseco como el silicio forma una estructura cristalina tetraédrica mediante enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones absorben energía para saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Este proceso también ocurre a la inversa. Si se dopan con impurezas trivalentes o pentavalentes, se convierten en semiconductores extrínsecos tipo N o P, aumentando los portadores de carga libres (electrones o huecos). Los semiconductores tipo N contienen impurezas
Este informe analiza el comportamiento de resistores y diodos al variar la corriente y tensión aplicada. Se midió la tensión y corriente de resistencias de 100Ω y 470Ω, observando una relación lineal que verifica la ley de Ohm. El diodo cumple la ley de Ohm en polarización directa pero no en inversa, donde no hay conducción. Los resultados experimentales concuerdan con la teoría del comportamiento de elementos lineales y no lineales.
Los semiconductores extrínsecos se caracterizan por tener un pequeño porcentaje de impurezas, como elementos trivalentes o pentavalentes, lo que se conoce como dopado. Los semiconductores dopados tipo N tienen impurezas pentavalentes que dejan electrones libres, mientras que los dopados tipo P tienen impurezas trivalentes que crean huecos.
Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Explica que los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente, mientras que los semiconductores extrínsecos están dopados con impurezas trivalentes o pentavalentes para aumentar la concentración de portadores. Los semiconductores de tipo N están dopados con elementos pentavalentes para producir un exceso de electrones, mientras que los de tipo P están dopados con elementos trivalentes para producir un exceso de huecos.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Define un semiconductor como un material que puede comportarse como un conductor o aislante dependiendo de factores como la temperatura o campo eléctrico. Los semiconductores más comunes son el silicio y el germanio, que tienen 4 electrones de valencia. Los semiconductores intrínsecos son puros, mientras que los extrínsecos están dopados con impurezas que añaden electrones (tipo n) o huecos (tipo p) para mejorar su conductividad.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio
Este documento describe los conceptos básicos de los semiconductores. Explica que los semiconductores como el silicio y el germanio tienen propiedades intermedias entre los conductores y los aislantes. Detalla cómo el dopaje con impurezas como el silicio o el germanio crea los semiconductores tipo P y tipo N. Finalmente, explica el funcionamiento de la unión PN y cómo se comporta un diodo cuando está polarizado directa o inversamente.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El silicio es el semiconductor más común y forma una red cristalina tetraédrica donde los átomos comparten electrones. A temperatura ambiente, algunos electrones se desprenden y pueden moverse por el cristal, haciéndolo conductor.
El documento habla sobre los transistores, explicando cómo funcionan a través de la polarización y zonas de trabajo, también menciona los tipos JFET y MOSFET, y cómo se mide un transistor.
1. Los diodos son componentes electrónicos semiconductores importantes en circuitos electrónicos que cumplen funciones como la rectificación de corriente alterna a directa.
2. Existen varios tipos de diodos como Zener, rectificador, Schottky y LED que se utilizan comúnmente en circuitos electrónicos para aplicaciones específicas como estabilización de voltaje o emisión de luz.
3. El comportamiento y características de los diodos dependen del tipo y su polarización directa o inversa.
El documento describe las características de dos tipos de diodos, el diodo zener y el diodo túnel. Explica que el diodo zener mantiene un voltaje constante cuando está polarizado inversamente y se usa como regulador de voltaje, mientras que el diodo túnel tiene una curva característica que se puede dibujar midiendo la corriente para diferentes voltajes aplicados entre sus terminales.
The document discusses the benefits of exercise for mental health. Regular physical activity can help reduce anxiety and depression and improve mood and cognitive function. Exercise causes chemical changes in the brain that may help protect against mental illness and improve symptoms.
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Este documento describe las propiedades de cuatro elementos sólidos cristalinos: silicio, germanio, galio y sus respectivas estructuras atómicas. El silicio es un elemento químico con número atómico 14 y peso atómico 28.086. El germanio es un metal gris plata quebradizo con número atómico 32 y peso atómico 72.59. El galio es un elemento químico con símbolo Ga, número atómico 31 y peso atómico 69.72. Cada uno incluye enlaces a
1. Unión PN
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes
electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente
diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio
(Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos
de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con
impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
Silicio puro o "intrínseco"
Malla cristalina del Silicio puro.
Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del átomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que
deja un electrón cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrón
2. libre. Esto es lo que se conoce como pares electrón - hueco y su generación se
debe a la temperatura (como una aplicación, al caso, de las leyes de la
termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico). En un semiconductor puro
(intrínseco) se cumple que, a temperatura constante, el número de huecos es
igual al de electrones libres.
Silicio "extrínseco" tipo "P"
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyéndole algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por
átomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrión,
normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia
(normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más
débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante
es también conocido como impurezas aceptoras.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso
del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto,
haciendo que, por difusión, uno de los átomos vecinos le ceda un electrón
completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada
hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el
semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante,
cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado
3. en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un
electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva.
Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan
ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los
portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.
Silicio "extrínseco" tipo "N"
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
añadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con
5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones
libres).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más
débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es también conocido como impurezas donantes ya que cede uno de
sus electrones al semiconductor.
El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres
en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo N
4. considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia
atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de
los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia,
tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As)
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de
silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no
enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de electrones
libres, el número de electrones en el material supera ampliamente el número de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los
huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos
donantes. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos
de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente
tiene una carga eléctrica neta final de cero.
Barrera interna de potencial
5. Formación de la zona de la barrera interna de potencial.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al
p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos
lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera
interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o
empobrecimiento, de deplexión, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
6. Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele
ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Polarización directa de la unión P - N
Polarización directa del diodo p-n.
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la
unión P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n,
con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
7. El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal
p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-
n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es
mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona
p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de
átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta el final.
Polarización inversa de la unión P - N
8. Polarización inversa del diodo pn.
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería,
tal y como se explica a continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,
los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos
trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3
9. electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona
p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente
(del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además,
existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su
propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto
de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que
los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es
despreciable.
10. Unión P-N
En una unión entre un
semiconductor p y uno n, a
temperatura ambiente, los huecos
de la zona p pasan por difusión hacia la zona n y los electrones de la zona n
pasan a la zona p.
En la zona de la unión, huecos y electrones se recombinan, quedando una
estrecha zona de transición con una distribución de carga debida a la presencia
de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones.
Se crea, entonces un campo
eléctrico que produce corrientes de
desplazamiento, que equilibran a las
de difusión. A la diferencia de
potencial correspondiente a este
campo eléctrico se le llama potencial
de contactoV0.
Principal