Diapositivas de la exposicion de IGBT realizada para la clase de electronica de potencia

1. IGBT

2. INICIOS En la década de los 80’s, consientes de las limitaciones de los transistores actuales, un grupo de investigadores dio inicio a los dispositivos que serian la recolección de cualidades de disparo del MOSFET y las de potencia de los BJT.

3. ESTRUCTURA

4. FUNCIONAMIENTO

5. PRO’S Entrada como MOS, Salida como BJT. Velocidad intermedia (MOS-BJT). Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp). Geometría y dopados análogos a MOS (con una capa n- mas ancha y menos dopada). Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT Tiristor parásito no deseado Existen versiones canal n y canal p

6. CONTRA Presenta el efecto denominado Latch-Up

7. Aplicaciones Principales control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que controlan los motores eléctricos.

8. generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrónica realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20 KHz. Los IGBTs han estado en todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de potencia.

9. Algunos fabricantes de tecnologías de consumo ya los están utilizando para mejorar sus dispositivos o darles nuevas capacidades. Un ejemplo de las últimas aplicaciones es que estos transistores ha permitido integrarlos en los teléfonos móviles para dotar a sus cámaras de un flash de xenon realmente potente.

10. Otro ejemplo curioso de aplicación de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los píxeles en las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de edificios o centrales de conmutación telefónica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que incorporan IGBTs.