2. Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para
entregar una señal de salida en respuesta a una señal de
entrada.
Concepto
3. La función que cumple es amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
Actualmente se encuentra en todos los aparatos
electrónicos de uso diarios tales como radios, televisores,
reproductores de audio, y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas entre otros.
LA FUNCIÓN QUE CUMPLE
4. El transistor de unión bipolar o BJT, de sus
siglas del ingles bipolar junction transistor) se
fabrica básicamente sobre un monocristal de
Germanio, silicio o Arseniuro de galio, que
tiene cualidades de semiconductores estado
intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante.
Transistor de unión bipolar
5. Esta formado por una capa fina tipo p entre dos capas n,
contenidos en un mismo cristal semiconductor de
germanio o silicio, presentando las tres zonas
mencionadas (E,B,C).
Cada una de estas zonas está
impurificada en mayor o menor
grado. La base 100 veces menos
que el colector o emisor.
La base tiene menor tamaño,
después el emisor y a 2 veces del
espesor el colector.
6. ESTRUCTURA
• Transistor NPN
• Dispositivos de dos uniones
semiconductores , formando tres
zonas. Transistor que tiene una región
P entre 2 regiones N.
• Región emisor, región de base, región
colector.
• Las regiones pueden ser de tipo P-NP
o N-P-N según como corresponda.
• La base esta localizada físicamente
entre el emisor y colector.
7. Transistor JFET
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que según unos
valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.
Físicamente, un JFET de los
denominados «Canal P» está
formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos
extremos se sitúan dos patillas de
salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con
dopaje de tipo N.en las que
conectan dos terminales
conectados entre si.
8. Estructura de Transistor JFET
Se puede observar su estructura típica, representación
unidimensional (mas didáctica) y símbolo de circuito.
9. Transistor Mosfet
Se utiliza para amplificar o conmutar señales electrónicas, es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
También es utilizado en circuitos analógicos o digitales.
10. Estructura Mosfet
Esta compuesta de dos terminales y tres capas. Un substrato
de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera
una capa de Oxido de Silicio (SiO2). Que posee característica
dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia
de entrada.
11. Estructura Mosfet
Sobre esta capa, se coloca una capa de metal (aluminio o
polisilicio), que posee características conductoras. En la parte
inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula.
12. Transistor IGBT
Componente electrónico diseñado para controlar
principalmente altas potencias, en su diseño esta
compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y
transistor de efecto de campo metal oxido semiconductor
MOSFET
13. Estructura IGBT
Es un dispositivo semiconductor de 4 capas que se alternan
(PNPN) que son controlados por un metal-óxido –semiconductor
(MOS) , estructura de la puerta sin una acción regenerativa.
Este dispositivo posee la características
de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en
un solo dispositivo.
