Dispositivos Electrónicos de Ultima Generación y Alta Potencia 
Lic. Robert Isaias Quispe Romero
¿Qué es la Electrónica 
Potencia?
Tipos de 
electrónica
Electrónica de 
comunicaciones
Electrónica Analógica
Electrónica Digital
Instrumentación Electrónica, Bioelectrónica...
Electrónica de Dispositivos y Microelectrónica 
Microprocesador 
De Intel Pentium IV 
42 millones de transistores
Electrónica de Potencia: 
Transformar el “aspecto” de la energía eléctrica usando dispositivos y circuitos electrónicos 
Dispositivos 
Circuitos 
Aplicaciones
Estudiar los circuitos que sirven para transformar la energía obtenida de una fuente primaria y adecuarla convenientemente para poder alimentar a otro equipo cualquiera 
FUENTE DE ENERGÍA CC o CA 
CARGA CC o CA 
CONVERTIDOR ELECTRÓNICO 
Electrónica de Potencia
Tipos de convertidores 
En función de la fuente de energía y de la carga, tenemos 4 tipos de convertidores: 
Convertidores CA/CC 
Convertidores CC/CC 
Convertidores CC/CA 
Convertidores CA/CA 
Rectificadores 
Fuentes de alimentación 
Inversores 
Poco usados hoy en día. Se tienden a hacer conectando un rectificador y un inversor en cascada 
La parte de la Electrónica que estudia este tipo de circuitos se llama 
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Niveles de potencia 
Según el tipo de aplicación, la potencia que debe manejar el convertidor puede variar entre valores del orden de mW hasta valores del orden de MW 
Un sensor o un implante electrónico en el cuerpo humano pueden necesitar potencias del orden de 10mW 
Los niveles de corriente son muy bajos 
Deben funcionar a tensiones bajas para que no molesten al paciente 
No se pueden calentar 
Deben ser de tamaño muy pequeño
Niveles de potencia 
Los equipos electrónicos domésticos consumen potencias del orden de 50 - 300 W. Los más grandes pueden consumir hasta 2kW. 
Según potencia RMS del amplificador: hasta 100-200W 
TV 25”: 60 W 
TV plana 50”: 600 W 
Hasta 300 W 
Entre 1 y 2kW 
200 – 300W
Routing Switch 
Niveles de potencia 
Los equipos industriales profesionales y los usados en instalaciones pueden consumir potencias del orden de kW 
• Cargadores de baterías 
• Taladros industriales 
• Centralitas telefónicas 
• Motores de tamaño pequeño y mediano 
Alimentación Telecom 50 kW 
Convertidor para motores
Niveles de potencia 
En las aplicaciones de Tracción y Generación, las potencias pueden llegar a alcanzar potencias del orden de MW 
Potencia: 1 MW 
Tensión de alimentación: 1500 V, 600 Hz 
Potencia: 2,4 MW 
Tensión de alimentación: 3000 V, 600 Hz
Conceptos 
Nivel de potencia del sistema Especificaciones de alimentación 
Especificaciones de la fuente de energía 
El convertidor debe ser lo más sencillo y pequeño posible (tamaño, coste) 
Para funcionar, el convertidor gasta una cierta cantidad de energía. Debe ser lo menor posible. 
Por el hecho de disipar potencia, los sistemas se van a calentar. 
Es necesario evacuar el calor 
Rendimiento 
Convertidor 
Pin 
Pout 
Pérdidas 
Pin > Pout 
%100PPηinout
Dispositivos Electrónicos 
Sin control: Diodos 
Con control de encendido: Tiristores 
Con control total: Transistores 
Dispositivos Pasivos 
Transformadores 
Bobinas 
Condensadores
Diodos de Potencia 
Diodos de tres capas 
Mayor sección 
Problemas de velocidad 
Problemas térmicos 
Ánodo 
Cátodo 
n+ 
p+ 
n-
Diodos de Potencia
Tiristor SCR 
Sólo control de encendido 
Muy robustos 
Baja frecuencia 
Tecnología muy madura 
Cátodo 
Ánodo 
Cátodo 
n+ 
p+ 
n- 
p- 
Puerta
Triac 
Sólo control de encendido 
Conducción bidireccional 
Baja frecuencia 
Tecnología muy madura 
Terminal 1 
n 
p 
Terminal 2 
Puerta
GTO 
Control de encendido y apagado (difícil) 
Muy robustos 
Baja frecuencia (mayor que los SCR’s) 
Cátodo 
Ánodo 
Cátodo 
n+ 
p+ 
n- 
p- 
Puerta
Transistor bipolar 
Control de encendido y apagado (dificultad media) 
 Robustos 
Media frecuencia (mayor que los SCR’s y los GTO’s) 
n+ 
n- 
p- 
Colector 
Emisor 
Base
MOSFET de potencia 
Fácil control de encendido y apagado 
Alta frecuencia (mayor que los otros) 
Resistivo en conducción 
Puerta 
Drenador 
Fuente 
n+ 
n- 
p
IGBT 
Fácil control de encendido y apagado 
Frecuencia entre BJT y MOSFET 
Casi como un BJT en conducción 
n+ 
n- 
p- 
p+ 
Puerta 
Emisor 
Colector
Potencia vs. frecuencia 
AÑO 
102 
107 
105 
104 
103 
106 
MARGEN DE POTENCIA (V·A) 
IGBT 
MOSFET 
10 102 103 104 105 106 107 108 
GTO 
SCR 
BJT 
FRECUENCIA (Hz)
Montaje (I) 
Radiador 
Tuerca 
Tiristor
Montaje (II) 
Radiador 
Tuerca 
Transistor
Montaje (III) 
Radiador 
Press-package
Transformadores de alta frecuencia 
Núcleo 
Núcleo 
Devanados separados 
Devanados intercalados
Transformador plano 
Núcleo 
Devanados integrados
Transformadores planos en convertidores de perfil bajo 
Núcleo 
Devanados integrados 
Circuito impreso multicapa
¿Hacia dónde tienden los dispositivos de potencia?
Tendencia en materiales semiconductores 
Ge 
Si 
Ga As 
Si C 
Diamante
Evolución temporal de los principales dispositivos 
1950 60 70 80 90 2000 10 
BJTs 
MOSFETs 
IGBTs 
MCTs 
MOSFETs de carburo de silicio
TECNOLOGÍA DE CARBURO DE SILICIO
Tecnología Carburo de silicio (SiC) 
•Superior a otras tecnologías en condiciones de alta temperatura y radiación. 
•Los dispositivos son mucho más rápidos 
•El campo eléctrico máximo es muy superior al que soporta el Si 
•Menor resistencia en conducción 
•Mayor conductividad térmica 
•Tecnología de fabricación inmadura: 
–Relativamente alta densidad de defectos 
–Dificultades para controlar el crecimiento del cristal 
•Muy pocos dispositivos comerciales 
Tecnología muy prometedora: 
Estado actual:
Diodos de carburo de silicio (SiC) 
•Tiempo de recuperación muy pequeño 
•Corriente fugas muy pequeña 
•La temperatura no afecta a la conmutación 
•Pérdidas en conducción menores 
•Alta frecuencia (desde 100kHz) 
•Media /alta tensión (desde 400V hasta 5000V) 
Ventajas comparativas en Electrónica de Potencia 
Aplicación ideal en Electrónica de Potencia
Diodos de carburo de silicio (SiC) 
•Las pérdidas de potencia se reducen considerablemente
Diodos de carburo de silicio (SiC) 
•Otra comparación en un convertidor elevador… 
IR40EPF06 (Fast diode) 
113 
160 
704 
HFA50PA60C (Ultra fast) 
70 
96 
268 
SiC diode 
13 
16 
26 
Tiempo recuperación (ns) 25ºC 
Tiempo recuperación (ns) 150ºC 
Diode energy losses (J) 150ºC 
…. además el SiC puede soportar hasta 600ºC
Diodos de carburo de silicio (SiC) 
Disponibles comercialmente (Infineon) 
Tensión inversa (V) 
600 
600 
600 
600 
300 
Corriente directa (A) 
2 
4 
6 
12 
10 
www.infineon.com
Diodos de carburo de silicio (SiC) 
Comparación dispositivos comerciales 
Diodo Si IXYS DSEI8-06A 
600 Tensión inversa (V) 600 
Diodo SiC Infineon SIDC02D60SIC2 
8 Corriente directa (A) 6 
1,5 Caida tensión (V) 1,5 
20 Corriente fugas (A) 20 
35 Tiempo recuperación n.d. inversa (ns) 
250 Carga capacitiva (nC) 21
Otros dispositivos de carburo de silicio 
MOSFET, GTO, IGBT Estos dispositivos serán comerciales a corto/medio plazo 
“Silicon carbide devices and applications: Gate turn-off devices hybrid Si/SiC inverter power systems applications” A. Elasse, J. Park, A.W. Clock, D. Herbs, E. Jacobson General Electric Corporate R&D, 2000
Integrated Power Electronics Modules (IPEMs) 
IPEM Integrated Power Electronics Module “Módulos Electrónicos Integrados de Alta Potencia”
Integración de componentes 
?
Necesidad de integración 
•Reducir elementos parásitos (especialmente inductancia dispersión) 
•Mejorar gestión térmica 
•Mejorar fiabilidad 
•Aumentar la densidad de potencia 
•Reducir costes de fabricación 
NORMALIZACIÓN para reducir costes 
Objetivos
¿es posible reducir costes? 
Estandarización Producción a gran escala Reducción de costes 
Integrated Power Electronics Modules (IPEMs)
Integrated Power Electronics Modules (IPEMs) 
•Driver + 2 transistores (estructura típica) 
–Rectificadores 
–Inversores 
–Convertidores CC/CC 
Integración componentes activos 
Center for Power Electronics System (CPES)
Integrated Power Electronics Modules (IPEMs) 
Integración componentes pasivos 
Center for Power Electronics System (CPES)
Integrated Power Electronics Modules (IPEMs) 
Densidad integración  30W/cm3 
Center for Power Electronics System (CPES) 
Integración de sistemas
Conclusiones El Carburo de Silicio (SiC) permitirá un aumento de la densidad de potencia. El Carburo de Silicio (SiC) facilitará el diseño de sistemas electrónicos de potencia en condiciones ambientales duras (ej.: automóvil). La estandarización y la integración son el camino a la reducción de costes en fabricación.
Rectificadores (ejemplos) 
sin controlar 
controlado 
Trifásicos
Convertidores CC/CC (ejemplos I) 
Reductor (Buck) 
Elevador (Boost) 
Sin aislamiento galvánico y un transistor
Convertidores CC/CC ( II ) 
Directo (Forward) 
De retroceso (Flyback) 
Con aislamiento galvánico y un transistor
Convertidores CC/CC ( III ) 
Con varios transistores 
Medio puente
Inversores (I) 
Puente trifásico con IGBT’s
Inversores (II) 
Puente trifásico con GTO’s alimentado en corriente
Aplicaciones: conexión de varios convertidores (I) 
CA / CC 
Rectificador 
CC / CC 
Regulador de continua 
A 
B 
A 
B 
Fuente conmutada
Otros ejemplos (II) 
A 
CA / CC 
Rectificador 
CC / CA 
Inversor 
B 
A 
B 
Accionador de alterna 
Motor
Otros ejemplos (III) 
CA / CC 
Rectificador 
CC / CA 
Inversor 
B 
A 
Balastro electrónico 
A 
B
Otros ejemplos (IV) 
Sistema de Alimentación Ininterrumpida (SAI, UPS) 
CA / CC 
Rectificador 
CC / CA 
Inversor 
Batería 
•Quirófanos 
•Centrales telefónicas 
•Centrales nucleares 
•Centros de cálculo
Otros ejemplos (V) 
Sistema de potencia con 
fuente primaria continua 
CC / CC 
Regulador 
CC / CC 
Batería Regulador
¿Hacia dónde 
tienden los 
circuitos y las 
aplicaciones?
Convertidores de potencia: aplicaciones 
Sistemas fotovoltaicos 
La energía se produce y almacena en continua. Se convierte en alterna para inyectarla a la red de suministro.
Convertidores de potencia: aplicaciones 
Precipitadores electrostáticos 
Se hace pasar los humos a través de un campo eléctrico intenso. Las partículas en suspensión se ionizan. La carga eléctrica que adquieren se emplea para separarlas de la corriente principal. 
Rectificador 100kV
Accionador sin frenado regenerativo para motor de inducción 
Rectificador sin controlar 
Inversor con IGBT’s 
Freno disipativo
Iluminación electrónica 
Sustitución de transformadores 
de 50 Hz 
Ahorro de energía 
Encendido rápido 
Sin efecto estroboscópico 
Uso de focos luminosos 
“difíciles” 
Focos luminosos “inteligentes”
¿La mayor aplicación futura? 
Vehículos eléctricos 
Sus “gasolineras”
¿Dónde se puede encontrar la 
información sobre los nuevos 
avances?
Muchas gracias por su atención y quedo a su disposición para contestar sus preguntas

Dispositivos Electronicos

  • 1.
    Dispositivos Electrónicos deUltima Generación y Alta Potencia Lic. Robert Isaias Quispe Romero
  • 2.
    ¿Qué es laElectrónica Potencia?
  • 3.
  • 4.
  • 5.
  • 6.
  • 7.
  • 8.
    Electrónica de Dispositivosy Microelectrónica Microprocesador De Intel Pentium IV 42 millones de transistores
  • 9.
    Electrónica de Potencia: Transformar el “aspecto” de la energía eléctrica usando dispositivos y circuitos electrónicos Dispositivos Circuitos Aplicaciones
  • 10.
    Estudiar los circuitosque sirven para transformar la energía obtenida de una fuente primaria y adecuarla convenientemente para poder alimentar a otro equipo cualquiera FUENTE DE ENERGÍA CC o CA CARGA CC o CA CONVERTIDOR ELECTRÓNICO Electrónica de Potencia
  • 11.
    Tipos de convertidores En función de la fuente de energía y de la carga, tenemos 4 tipos de convertidores: Convertidores CA/CC Convertidores CC/CC Convertidores CC/CA Convertidores CA/CA Rectificadores Fuentes de alimentación Inversores Poco usados hoy en día. Se tienden a hacer conectando un rectificador y un inversor en cascada La parte de la Electrónica que estudia este tipo de circuitos se llama ELECTRÓNICA DE POTENCIA
  • 12.
    Niveles de potencia Según el tipo de aplicación, la potencia que debe manejar el convertidor puede variar entre valores del orden de mW hasta valores del orden de MW Un sensor o un implante electrónico en el cuerpo humano pueden necesitar potencias del orden de 10mW Los niveles de corriente son muy bajos Deben funcionar a tensiones bajas para que no molesten al paciente No se pueden calentar Deben ser de tamaño muy pequeño
  • 13.
    Niveles de potencia Los equipos electrónicos domésticos consumen potencias del orden de 50 - 300 W. Los más grandes pueden consumir hasta 2kW. Según potencia RMS del amplificador: hasta 100-200W TV 25”: 60 W TV plana 50”: 600 W Hasta 300 W Entre 1 y 2kW 200 – 300W
  • 14.
    Routing Switch Nivelesde potencia Los equipos industriales profesionales y los usados en instalaciones pueden consumir potencias del orden de kW • Cargadores de baterías • Taladros industriales • Centralitas telefónicas • Motores de tamaño pequeño y mediano Alimentación Telecom 50 kW Convertidor para motores
  • 15.
    Niveles de potencia En las aplicaciones de Tracción y Generación, las potencias pueden llegar a alcanzar potencias del orden de MW Potencia: 1 MW Tensión de alimentación: 1500 V, 600 Hz Potencia: 2,4 MW Tensión de alimentación: 3000 V, 600 Hz
  • 16.
    Conceptos Nivel depotencia del sistema Especificaciones de alimentación Especificaciones de la fuente de energía El convertidor debe ser lo más sencillo y pequeño posible (tamaño, coste) Para funcionar, el convertidor gasta una cierta cantidad de energía. Debe ser lo menor posible. Por el hecho de disipar potencia, los sistemas se van a calentar. Es necesario evacuar el calor Rendimiento Convertidor Pin Pout Pérdidas Pin > Pout %100PPηinout
  • 17.
    Dispositivos Electrónicos Sincontrol: Diodos Con control de encendido: Tiristores Con control total: Transistores Dispositivos Pasivos Transformadores Bobinas Condensadores
  • 18.
    Diodos de Potencia Diodos de tres capas Mayor sección Problemas de velocidad Problemas térmicos Ánodo Cátodo n+ p+ n-
  • 19.
  • 20.
    Tiristor SCR Sólocontrol de encendido Muy robustos Baja frecuencia Tecnología muy madura Cátodo Ánodo Cátodo n+ p+ n- p- Puerta
  • 21.
    Triac Sólo controlde encendido Conducción bidireccional Baja frecuencia Tecnología muy madura Terminal 1 n p Terminal 2 Puerta
  • 22.
    GTO Control deencendido y apagado (difícil) Muy robustos Baja frecuencia (mayor que los SCR’s) Cátodo Ánodo Cátodo n+ p+ n- p- Puerta
  • 24.
    Transistor bipolar Controlde encendido y apagado (dificultad media)  Robustos Media frecuencia (mayor que los SCR’s y los GTO’s) n+ n- p- Colector Emisor Base
  • 25.
    MOSFET de potencia Fácil control de encendido y apagado Alta frecuencia (mayor que los otros) Resistivo en conducción Puerta Drenador Fuente n+ n- p
  • 26.
    IGBT Fácil controlde encendido y apagado Frecuencia entre BJT y MOSFET Casi como un BJT en conducción n+ n- p- p+ Puerta Emisor Colector
  • 27.
    Potencia vs. frecuencia AÑO 102 107 105 104 103 106 MARGEN DE POTENCIA (V·A) IGBT MOSFET 10 102 103 104 105 106 107 108 GTO SCR BJT FRECUENCIA (Hz)
  • 28.
    Montaje (I) Radiador Tuerca Tiristor
  • 29.
    Montaje (II) Radiador Tuerca Transistor
  • 30.
    Montaje (III) Radiador Press-package
  • 31.
    Transformadores de altafrecuencia Núcleo Núcleo Devanados separados Devanados intercalados
  • 32.
    Transformador plano Núcleo Devanados integrados
  • 33.
    Transformadores planos enconvertidores de perfil bajo Núcleo Devanados integrados Circuito impreso multicapa
  • 34.
    ¿Hacia dónde tiendenlos dispositivos de potencia?
  • 35.
    Tendencia en materialessemiconductores Ge Si Ga As Si C Diamante
  • 36.
    Evolución temporal delos principales dispositivos 1950 60 70 80 90 2000 10 BJTs MOSFETs IGBTs MCTs MOSFETs de carburo de silicio
  • 37.
  • 38.
    Tecnología Carburo desilicio (SiC) •Superior a otras tecnologías en condiciones de alta temperatura y radiación. •Los dispositivos son mucho más rápidos •El campo eléctrico máximo es muy superior al que soporta el Si •Menor resistencia en conducción •Mayor conductividad térmica •Tecnología de fabricación inmadura: –Relativamente alta densidad de defectos –Dificultades para controlar el crecimiento del cristal •Muy pocos dispositivos comerciales Tecnología muy prometedora: Estado actual:
  • 39.
    Diodos de carburode silicio (SiC) •Tiempo de recuperación muy pequeño •Corriente fugas muy pequeña •La temperatura no afecta a la conmutación •Pérdidas en conducción menores •Alta frecuencia (desde 100kHz) •Media /alta tensión (desde 400V hasta 5000V) Ventajas comparativas en Electrónica de Potencia Aplicación ideal en Electrónica de Potencia
  • 40.
    Diodos de carburode silicio (SiC) •Las pérdidas de potencia se reducen considerablemente
  • 41.
    Diodos de carburode silicio (SiC) •Otra comparación en un convertidor elevador… IR40EPF06 (Fast diode) 113 160 704 HFA50PA60C (Ultra fast) 70 96 268 SiC diode 13 16 26 Tiempo recuperación (ns) 25ºC Tiempo recuperación (ns) 150ºC Diode energy losses (J) 150ºC …. además el SiC puede soportar hasta 600ºC
  • 42.
    Diodos de carburode silicio (SiC) Disponibles comercialmente (Infineon) Tensión inversa (V) 600 600 600 600 300 Corriente directa (A) 2 4 6 12 10 www.infineon.com
  • 43.
    Diodos de carburode silicio (SiC) Comparación dispositivos comerciales Diodo Si IXYS DSEI8-06A 600 Tensión inversa (V) 600 Diodo SiC Infineon SIDC02D60SIC2 8 Corriente directa (A) 6 1,5 Caida tensión (V) 1,5 20 Corriente fugas (A) 20 35 Tiempo recuperación n.d. inversa (ns) 250 Carga capacitiva (nC) 21
  • 44.
    Otros dispositivos decarburo de silicio MOSFET, GTO, IGBT Estos dispositivos serán comerciales a corto/medio plazo “Silicon carbide devices and applications: Gate turn-off devices hybrid Si/SiC inverter power systems applications” A. Elasse, J. Park, A.W. Clock, D. Herbs, E. Jacobson General Electric Corporate R&D, 2000
  • 45.
    Integrated Power ElectronicsModules (IPEMs) IPEM Integrated Power Electronics Module “Módulos Electrónicos Integrados de Alta Potencia”
  • 46.
  • 47.
    Necesidad de integración •Reducir elementos parásitos (especialmente inductancia dispersión) •Mejorar gestión térmica •Mejorar fiabilidad •Aumentar la densidad de potencia •Reducir costes de fabricación NORMALIZACIÓN para reducir costes Objetivos
  • 48.
    ¿es posible reducircostes? Estandarización Producción a gran escala Reducción de costes Integrated Power Electronics Modules (IPEMs)
  • 49.
    Integrated Power ElectronicsModules (IPEMs) •Driver + 2 transistores (estructura típica) –Rectificadores –Inversores –Convertidores CC/CC Integración componentes activos Center for Power Electronics System (CPES)
  • 50.
    Integrated Power ElectronicsModules (IPEMs) Integración componentes pasivos Center for Power Electronics System (CPES)
  • 51.
    Integrated Power ElectronicsModules (IPEMs) Densidad integración  30W/cm3 Center for Power Electronics System (CPES) Integración de sistemas
  • 52.
    Conclusiones El Carburode Silicio (SiC) permitirá un aumento de la densidad de potencia. El Carburo de Silicio (SiC) facilitará el diseño de sistemas electrónicos de potencia en condiciones ambientales duras (ej.: automóvil). La estandarización y la integración son el camino a la reducción de costes en fabricación.
  • 53.
    Rectificadores (ejemplos) sincontrolar controlado Trifásicos
  • 54.
    Convertidores CC/CC (ejemplosI) Reductor (Buck) Elevador (Boost) Sin aislamiento galvánico y un transistor
  • 55.
    Convertidores CC/CC (II ) Directo (Forward) De retroceso (Flyback) Con aislamiento galvánico y un transistor
  • 56.
    Convertidores CC/CC (III ) Con varios transistores Medio puente
  • 57.
    Inversores (I) Puentetrifásico con IGBT’s
  • 58.
    Inversores (II) Puentetrifásico con GTO’s alimentado en corriente
  • 59.
    Aplicaciones: conexión devarios convertidores (I) CA / CC Rectificador CC / CC Regulador de continua A B A B Fuente conmutada
  • 60.
    Otros ejemplos (II) A CA / CC Rectificador CC / CA Inversor B A B Accionador de alterna Motor
  • 61.
    Otros ejemplos (III) CA / CC Rectificador CC / CA Inversor B A Balastro electrónico A B
  • 62.
    Otros ejemplos (IV) Sistema de Alimentación Ininterrumpida (SAI, UPS) CA / CC Rectificador CC / CA Inversor Batería •Quirófanos •Centrales telefónicas •Centrales nucleares •Centros de cálculo
  • 63.
    Otros ejemplos (V) Sistema de potencia con fuente primaria continua CC / CC Regulador CC / CC Batería Regulador
  • 64.
    ¿Hacia dónde tiendenlos circuitos y las aplicaciones?
  • 65.
    Convertidores de potencia:aplicaciones Sistemas fotovoltaicos La energía se produce y almacena en continua. Se convierte en alterna para inyectarla a la red de suministro.
  • 66.
    Convertidores de potencia:aplicaciones Precipitadores electrostáticos Se hace pasar los humos a través de un campo eléctrico intenso. Las partículas en suspensión se ionizan. La carga eléctrica que adquieren se emplea para separarlas de la corriente principal. Rectificador 100kV
  • 69.
    Accionador sin frenadoregenerativo para motor de inducción Rectificador sin controlar Inversor con IGBT’s Freno disipativo
  • 73.
    Iluminación electrónica Sustituciónde transformadores de 50 Hz Ahorro de energía Encendido rápido Sin efecto estroboscópico Uso de focos luminosos “difíciles” Focos luminosos “inteligentes”
  • 74.
    ¿La mayor aplicaciónfutura? Vehículos eléctricos Sus “gasolineras”
  • 75.
    ¿Dónde se puedeencontrar la información sobre los nuevos avances?
  • 86.
    Muchas gracias porsu atención y quedo a su disposición para contestar sus preguntas