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Universidad Laica Eloy Alfaro de Manabí
Extensión en El Carmen
INTEGRANTES:
 Cedeño Loor Gissela
 García Zambrano Mónica
 Zambrano Zambrano Darwin
Catedrático:
Ing. Jefferson Almeida
Tema:
La Memoria
Materia:
Organización Del Computador
LA MEMORIA
Componente Principal
Y Fundamental
TIPOS DE MEMORIA
Memoria RAM

Tecnologías de la RAM

Memoria RAM: Random
Acces Memory.
DRAM: Dinamic Random
Access Memory

SRAM: Static Random
Access Memory.
RDRAM: Rambus
Dinamic Random Access
Memory.
Memoria ROM

ROM: Read Only Memory
No se puede modificar,
utilizada para dar inicio a la
BIOS.

PROM: Programable Read
Only Memory
Solo se puede modificar una
vez.

EPROM: Erasable
Programable Read Only
Memory
Puede modificarse un número
limitado de veces.

EEPROM: Electricaly
Erasable Programable Read
Only Memory
Borrado y escritura mediante
el paso de corriente electrica.
VENTAJAS DE LA EEPROM CON
RESPECTO A LA EPROM
 Las palabras almacenadas en memoria se puede borrar
de forma individual.
 Para borrar la información no se requiere luz
ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
 Se puede reescribir aproximadamente unas 1000 veces
sin que se observen problemas para almacenar la
información.
 El tiempo de almacenamiento de la información es
similar al de las EPROM, es decir aproximadamente 10
años.
Memoria Caché
SRAM o Caché: Resguarda
direcciones que son utilizadas
por la RAM, esta ubicada entre
el microprocesador y la memoria
principal.
Memoria VIRTUAL
Memoria Virtual: Técnica para
proporcionar la simulación de
un espacio de memoria mucho
mayor que la memoria física de
una máquina.

Memoria SWAP:
Técnica que permite que
una computadora simule
más memoria principal de
la que posee.
MEMORIA FLASH

 Es similar a la EEPROM es decir que se puede
programar y borrar eléctricamente.
 Se caracteriza por tener alta por tener alta capacidad
para almacenar información y es de fabricación
sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad
equivalente a las EPROM a menor costo que las
EEPROM.
TABLAS COMPARATIVA ENTRE
MEMORIAS
TIPO

CATEGORIA

BORRADO

VOLATIL

APLICACIÓN TIPICA

SRAM

Lectura /
Escritura

Eléctrico

Si

Caché

DRAM

Lectura /
Escritura

Eléctrico

Si

Memoria principal

ROM

Lectura

Imposible

No

Equipos

PROM

Lectura

Imposible

No

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EPROM

Principalmente
lectura

Luz UV

No

Prototipos

EEPROM

Principalmente
lectura

Eléctrico

No

Prototipos

Lectura /
Escritura

Eléctrico

No

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FLASH
TIEMPO DE ACIERTO

Tiempo para acceder al nivel superior,
incluyendo el tiempo para determinar si
el acceso es acierto o fallo.
PERSONALIZACIÓN DE FALLO

Tiempo para sustituir un bloque del nivel superior por el
bloque correspondiente del nivel más bajo, más el tiempo
para proporcionar el bloque al dispositivo que lo ha
pedido.
Tiempo de acceso: Tiempo para acceder a la primera
palabra del bloque.
Tiempo de trasferencia: Tiempo para trasferir las
restantes palabras del bloque.
DEMORA DE CAS O LATENCIA
DE CAS

CAS significa Señalizador de Direccionamiento
en Columna.
Es el número de ciclos de reloj que trascurre
entre el envío de comando de lectura y la llegada
de la información .
TIEMPO DE PRECARGA O RAS

RAS significa: Señalizador de
direccionamiento en Fila.
Es el número de ciclos de reloj
trascurrido entre dos instrucciones
RAS
DEMORA DE RAS O CAS

Es el número de ciclos reloj
correspondiente al tiempo de acceso de una
fila a una columna.
TIEMPO ACTIVO DE RAS

Es el número de ciclos de reloj
correspondiente al tiempo de acceso a
una columna.
¿POR QUÉ FUNCIONA LA JERARQUÍA?
PRINCIPIO DE LA MEMORIA:
Principios de localidad: Los programas, no
acceden con la misma probabilidad a todos sus
datos o instrucciones.

Localidad
temporal:
Mantener los datos más
recientemente accedidos
“cercanos” al procesador.

Localidad
espacial:
Mover
bloques
de
palabras contiguas al
nivel superior.
JERARQUÍA DE LA MEMORIA
La organización piramidal de la memoria en niveles que tienen los
ordenadores.
Los puntos básicos relacionados con la memoria:
 Cantidad
 Velocidad
 Coste
Como puede esperarse los tres factores compiten entre sí, por lo
que hay que encontrar un equilibrio. Las siguientes afirmaciones
son:
 A menor tiempo de acceso mayor coste.
 A mayor capacidad menor coste por bit.
 A mayor capacidad menor velocidad.
NIVELES DE LA JERARQUÍA DE
MEMORIA

Coste/bit (+)
Capacidad (-)

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del
procesador
Memoria cache

Velocidad (+)
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acceso (+)

Memoria RAM
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De Memoria Habitualmente Son:

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Nivel 1: Memoria caché.
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de alta velocidad.
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posiciones de memoria en la misma
operación.
Nivel 4:Disco Duro.
Dispositivo de almacenamiento de
datos no volátil que emplea un sistema
de grabación magnética para
almacenar datos digitales.
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almacenamiento de datos que se
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Nivel 6:Redes.

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y software conectados entre sí por
medio de dispositivos físicos
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 Programadores deben ser responsables del movimiento entre
memoria principal y disco mediante el uso de ficheros.
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los niveles de caché es realizado por algoritmos hardware.
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  • 1. Universidad Laica Eloy Alfaro de Manabí Extensión en El Carmen INTEGRANTES:  Cedeño Loor Gissela  García Zambrano Mónica  Zambrano Zambrano Darwin Catedrático: Ing. Jefferson Almeida Tema: La Memoria Materia: Organización Del Computador
  • 3. TIPOS DE MEMORIA Memoria RAM Tecnologías de la RAM Memoria RAM: Random Acces Memory. DRAM: Dinamic Random Access Memory SRAM: Static Random Access Memory. RDRAM: Rambus Dinamic Random Access Memory.
  • 4. Memoria ROM ROM: Read Only Memory No se puede modificar, utilizada para dar inicio a la BIOS. PROM: Programable Read Only Memory Solo se puede modificar una vez. EPROM: Erasable Programable Read Only Memory Puede modificarse un número limitado de veces. EEPROM: Electricaly Erasable Programable Read Only Memory Borrado y escritura mediante el paso de corriente electrica.
  • 5. VENTAJAS DE LA EEPROM CON RESPECTO A LA EPROM  Las palabras almacenadas en memoria se puede borrar de forma individual.  Para borrar la información no se requiere luz ultravioleta. Las memorias EEPROM no requieren programador. Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.  Se puede reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la información.  El tiempo de almacenamiento de la información es similar al de las EPROM, es decir aproximadamente 10 años.
  • 6. Memoria Caché SRAM o Caché: Resguarda direcciones que son utilizadas por la RAM, esta ubicada entre el microprocesador y la memoria principal.
  • 7. Memoria VIRTUAL Memoria Virtual: Técnica para proporcionar la simulación de un espacio de memoria mucho mayor que la memoria física de una máquina. Memoria SWAP: Técnica que permite que una computadora simule más memoria principal de la que posee.
  • 8. MEMORIA FLASH  Es similar a la EEPROM es decir que se puede programar y borrar eléctricamente.  Se caracteriza por tener alta por tener alta capacidad para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM.
  • 9. TABLAS COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS TIPO CATEGORIA BORRADO VOLATIL APLICACIÓN TIPICA SRAM Lectura / Escritura Eléctrico Si Caché DRAM Lectura / Escritura Eléctrico Si Memoria principal ROM Lectura Imposible No Equipos PROM Lectura Imposible No Equipos EPROM Principalmente lectura Luz UV No Prototipos EEPROM Principalmente lectura Eléctrico No Prototipos Lectura / Escritura Eléctrico No Cámara digital FLASH
  • 10.
  • 11. TIEMPO DE ACIERTO Tiempo para acceder al nivel superior, incluyendo el tiempo para determinar si el acceso es acierto o fallo.
  • 12. PERSONALIZACIÓN DE FALLO Tiempo para sustituir un bloque del nivel superior por el bloque correspondiente del nivel más bajo, más el tiempo para proporcionar el bloque al dispositivo que lo ha pedido. Tiempo de acceso: Tiempo para acceder a la primera palabra del bloque. Tiempo de trasferencia: Tiempo para trasferir las restantes palabras del bloque.
  • 13. DEMORA DE CAS O LATENCIA DE CAS CAS significa Señalizador de Direccionamiento en Columna. Es el número de ciclos de reloj que trascurre entre el envío de comando de lectura y la llegada de la información .
  • 14. TIEMPO DE PRECARGA O RAS RAS significa: Señalizador de direccionamiento en Fila. Es el número de ciclos de reloj trascurrido entre dos instrucciones RAS
  • 15. DEMORA DE RAS O CAS Es el número de ciclos reloj correspondiente al tiempo de acceso de una fila a una columna.
  • 16. TIEMPO ACTIVO DE RAS Es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso a una columna.
  • 17. ¿POR QUÉ FUNCIONA LA JERARQUÍA? PRINCIPIO DE LA MEMORIA: Principios de localidad: Los programas, no acceden con la misma probabilidad a todos sus datos o instrucciones. Localidad temporal: Mantener los datos más recientemente accedidos “cercanos” al procesador. Localidad espacial: Mover bloques de palabras contiguas al nivel superior.
  • 18. JERARQUÍA DE LA MEMORIA La organización piramidal de la memoria en niveles que tienen los ordenadores. Los puntos básicos relacionados con la memoria:  Cantidad  Velocidad  Coste Como puede esperarse los tres factores compiten entre sí, por lo que hay que encontrar un equilibrio. Las siguientes afirmaciones son:  A menor tiempo de acceso mayor coste.  A mayor capacidad menor coste por bit.  A mayor capacidad menor velocidad.
  • 19. NIVELES DE LA JERARQUÍA DE MEMORIA Coste/bit (+) Capacidad (-) Registros del procesador Memoria cache Velocidad (+) Frecuencia de acceso (+) Memoria RAM Disco Duros Almacenamiento secundario Copias de seguridad
  • 20. Los Niveles Que Componen La Jerarquía De Memoria Habitualmente Son: Nivel 0: Registros. Alta velocidad y poca capacidad, esta integrada en el microprocesador. Tipos de registros: De datos. De memoria. De propósito general. De coma flotante. De propósito específico. Constante.
  • 21. Nivel 1: Memoria caché Nivel 1: Memoria caché. Sistema especial de almacenamiento de alta velocidad.
  • 22. Nivel 2: Memoria Principal Son circuitos integrados capaces de almacenar información digital, a los que tiene acceso el microprocesador del equipo de computación.
  • 23. Nivel 3:Memorias Flash. Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.
  • 24. Nivel 4:Disco Duro. Dispositivo de almacenamiento de datos no volátil que emplea un sistema de grabación magnética para almacenar datos digitales.
  • 25. Nivel 5:Cintas Magnéticas.  Medio o soporte de almacenamiento de datos que se graba en pistas sobre una banda plástica con un material magnetizado
  • 26. Nivel 6:Redes.  Conjunto de equipos informáticos y software conectados entre sí por medio de dispositivos físicos
  • 27. GESTION DE LA MEMORIA  Programadores deben ser responsables del movimiento entre memoria principal y disco mediante el uso de ficheros.  Hardware el movimiento de datos entre la memoria principal y los niveles de caché es realizado por algoritmos hardware.  Compiladores son responsables de optimizar el código de modo que el uso de los registros y la caché sea eficiente.