El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador, y se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos como radios, televisores y reproductores de audio y video. Para funcionar correctamente, es necesario realizar una polarización adecuada del transistor, la cual depende del tipo, ya sea NPN o PNP.

2.  El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer
resistor ("resistencia de transferencia").
 El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.
 Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los
aparatos domésticos de uso diario: relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos,
reproductores mp3, teléfonos móviles, radios, televisores,
grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración,
alarmas, etc.

3. El transistor.- Es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El término "transistor" es la contracción en inglés de
transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en
todos los aparatos domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y
video.

4. POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR
Una polarización correcta permite el
funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP.
Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP

5.  En el transistor, el emisor es el encargado de
“inyectar” electrones en la base, la cual se encarga
de gobernar dichos electrones y mandarlos
finalmente al colector.
 La fabricación del transistor se realiza de forma que
la base es la zona más pequeña, después el emisor,
siendo el colector el más grande en tamaño.

6.  Elcircuito mas utilizado es el emisor común el terminal del
emisor es común para las tensiones de entrada y salida del
amplificador, la tensión de entrada es la tensión de base y
emisor , y la salida la tensión entre el colector y emisor.
 El comportamiento del transistor se puede ver como dos
diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso.
 Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos
una corriente proporcional a la corriente de base: I C = β IB, es
decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores
normales de señal, β varía entre 100 y 300.

7. TIPOS DE
TRANSISTORES
 Transistor de unión bipolar
 El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés,
se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio,
Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de
semiconductores.
 Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN
o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
 La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).

8. TIPOS DE TRANSISTORES
1.- Transistores Bipolares de unión BJT. ( PNP o NPN )
- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).
El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso
de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.
2.- Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue el
primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser
positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo
de metal.
3.- Transistores HBT y HEMT.
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrón Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos
de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto
de banda prohibida

9. FICHA TÉCNICA Y CARACTERÍSTICA
DE CADA TRANSITOR

13. FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores son sensibles a la radiacion electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

15. FUENTES DE INFORMACION
 http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp
 www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php
 http://www.monografias.com/trabajos16/el-diodo/el-diodo.shtml
 http://www.youtube.com/watch?v=kUs9OejJ4DY
 es.wikipedia.org/wiki/Diodo
 http://www.youtube.com/watch?v=kB63Dv4haco