Extraclase control

1. Catalogo de
Componentes
Andrés González Hernández
11-11
Electrotecnia

2. Diodo Rectificador:
 Descripción: Un diodo rectificador es uno
de los dispositivos de la familia de los
diodos más sencillos. El nombre diodo
rectificador” procede de su aplicación, la
cual consiste en separar los ciclos positivos
de una señal de corriente alterna. Si se
aplica al diodo una tensión de corriente
alterna durante los medios ciclos positivos,
se polariza en forma directa; de esta
manera, permite el paso de la corriente
eléctrica. Pero durante los medios ciclos
negativos, el diodo se polariza de manera
inversa; con ello, evita el paso de la
corriente en tal sentido.
 Características: Puede ser de silicio (0,7V)
o de germanio (0,3V). Funciona con
tensiones bajas. Pueden ser utilizados en
equipos que manejen grandes corrientes.

3. Diodo LED:
 Descripción: El LED (Light-Emitting Diode:
Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo
semiconductor que emite luz incoherente
de espectro reducido cuando se polariza
de forma directa la unión PN en la cual
circula por él una corriente eléctrica . Este
fenómeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un tipo
especial de diodo que trabaja como un
diodo común, pero que al ser atravesado
por la corriente eléctrica, emite luz .
 Características: Se utiliza ampliamente en
aplicaciones visuales, como indicadoras de
cierta situación específica de
funcionamiento y desplegar contadores
 - Para indicar la polaridad de una fuente
de alimentación de corriente continua.
 - Para indicar la actividad de una fuente
de alimentación de corriente alterna.
 - En dispositivos de alarma.

4. Diodo Zener:
 Descripción: Un diodo zener es básicamente
un diodo de unión, pero construido
especialmente para trabajar en la zona de
ruptura de la tensión de polarización
inversa; por eso algunas veces se le conoce
con el nombre de diodo de avalancha. Su
principal aplicación es como regulador de
tensión; es decir, como circuito que
mantiene la tensión de salida casi
constante, independientemente de las
variaciones que se presenten en la línea de
entrada o del consumo de corriente de las
cargas conectadas en la salida del circuito.
El diodo zener tiene la propiedad de
mantener constante la tensión aplicada, aun
cuando la corriente sufra cambios. Para que
el diodo zener pueda realizar esta función,
debe polarizarse de manera inversa.
 Características: Funciona de 3V a 5V,

5. BJT:
 Descripción: El transistor bipolar es el más común
de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el
NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un
dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres:
base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo
siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha
en el gráfico de transistor. El transistor es un
amplificador de corriente, esto quiere decir que si
le introducimos una cantidad de corriente por una
de sus patillas (base), el entregará por otra
(emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor
que se llama amplificación.
 Características: Un transistor BJT puede
eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales
son: Región activa, región de saturación y región de
ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en región
activa, quiere decir que está trabajando como
amplificador de una señal (Corriente o voltaje), esta
región de funcionamiento se caracteriza porque la
corriente de base es muy pequeña en comparación a
la de colector y emisor (que son parecidas), y
porque el voltaje colector base no puede exceder
los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN).

6. MOSFET:
 Descripción: Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de canal N o
NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su
vez, estos transistores pueden ser de
acumulación o deplexion; en la
actualidad los segundos están
prácticamente en desuso y aquí
únicamente serán descritos los MOS de
acumulación también conocidos como de
enriquecimiento.
 Características: Los transistores MOSFET
o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son
dispositivos de efecto de campo que
utilizan un campo eléctrico para crear
una canal de conducción. Son
dispositivos más importantes que los
JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnología MOS.

7. IGBT
 Descripción: Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el
IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es
conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta
cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la
señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C
debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la
puerta G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud
aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de encendido
sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de colector ID es
igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en
el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de
potencia en la puerta es muy baja. El IGBT se apaga simplemente
removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La transición del
estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar
en el rango de los 50 kHz.
 Características: ICmax Limitada por efecto Latch-up. VGEmax
Limitada por el espesor del óxido de silicio. Se diseña para que
cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla
durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una protección electrónica
cortando desde puerta. VCEmax es la tensión de ruptura del
transistor pnp. Como α es muy baja, será VCEmax=BVCB0 Existen en
el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300
voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura máxima de la unión
suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores mayores)Existen en el
mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. En la
actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW
y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

8. UJT
 Descripción: El transistor UJT (transistor
de unijuntura - Unijunction transistor)
es un dispositivo con un funcionamiento
diferente al de otros transistores. Es un
dispositivo de disparo. Es un dispositivo
que consiste de una sola unión PN
 Características: Físicamente el
transistor UJT consiste de una barra de
material tipo N con conexiones
eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y
de una conexión hecha con un
conductor de aluminio (E) en alguna
parte a lo largo de la barra de material
N. En el lugar de unión el aluminio crea
una región tipo P en la barra, formando
así una unión PN.

9. 555
 Descripción: El temporizador IC 555 es un circuito integrado (chip) que
se utiliza en una variedad de aplicaciones y se aplica en la generación
de pulsos y de oscilaciones. El 555 puede ser utilizado para
proporcionar retardos de tiempo, como un oscilador, y como un
circuito integrado flip-flop. Sus derivados proporcionan hasta cuatro
circuitos de sincronización en un solo paquete. Introducido en 1971 por
Signetics, el 555 sigue siendo de uso generalizado debido a su facilidad
de uso, precio bajo y la estabilidad. Muchas empresas los fabrican en
versión de transistores bipolares y también en CMOS de baja potencia.
 Característica: -GND (normalmente la 1): es el polo negativo de la
alimentación, generalmente tierra (masa).-Disparo (normalmente la
2): Es donde se establece el inicio del tiempo de retardo si el 555 es
configurado como monoestable. Este proceso de disparo ocurre cuando
esta patilla tiene menos de 1/3 del voltaje de alimentación. Este pulso
debe ser de corta duración, pues si se mantiene bajo por mucho
tiempo la salida se quedará en alto hasta que la entrada de disparo
pase a alto otra vez. -Salida (normalmente la 3): Aquí veremos el
resultado de la operación del temporizador, ya sea que esté conectado
como monoestable, estable u otro. Cuando la salida es alta, el voltaje
será el voltaje de alimentación (Vcc) menos 1.7 V. Esta salida se
puede obligar a estar en casi 0 voltios con la ayuda de la patilla de
reinicio (normalmente la 4). -Reinicio (normalmente la 4): Si se pone a
un nivel por debajo de 0.7 Voltios, pone la patilla de salida a nivel
bajo. Si por algún motivo esta patilla no se utiliza hay que conectarla a
alimentación para evitar que el temporizador se reinicie. -Control de
voltaje (normalmente la 5): Cuando el temporizador se utiliza en el
modo de controlador de voltaje, el voltaje en esta patilla puede variar
casi desde Vcc (en la práctica como Vcc -1.7 V) hasta casi 0 V (aprox.
2 V menos). Así es posible modificar los tiempos. Puede también
configurarse para, por ejemplo, generar pulsos en rampa. -Umbral
(normalmente la 6): Es una entrada a un comparador interno que se
utiliza para poner la salida a nivel bajo. -Descarga (normalmente la 7):
Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo
utilizado por el temporizador para su funcionamiento. -Voltaje de
alimentación (VCC) (normalmente la 8): es la patilla donde se conecta
el voltaje de alimentación que va de 4.5 V hasta 16 V.

10. SCR
 Descripción: El SCR (Silicon Controled
Rectifier / Rectificador controlado de
silicio) es un dispositivo semiconductor
de 4 capas que funciona como un
conmutador casi ideal.
 Características: - VRDM: Máximo voljaje
inverso de cebado (VG = 0)- VFOM:
Máximo voltaje directo sin cebado (VG =
0)- IF: Máxima corriente directa
permitida.- PG: Máxima disipación de
potencia entre compuerta y cátodo.-
VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente
requerida en la compuerta (G) para el
cebado- IH: Mínima corriente de ánodo
requerida para mantener cebado el SCR-
dv/dt: Máxima variación de voltaje sin
producir cebado.- di/dt: Máxima
variación de corriente aceptada antes de
destruir el SCR.

11. Triac
 Descripción: El Triac es un dispositivo
semiconductor que pertenece a la familia de los
dispositivos de control: los tiristores. El triac es en
esencia la conexión de dos tiristores en paralelo
pero conectados en sentido opuesto y
compartiendo la misma compuerta. El triac sólo se
utiliza en corriente alterna y al igual que el
tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac
funciona en corriente alterna, habrá una parte de
la onda que será positiva y otra negativa.
 Características: La parte positiva de la onda
(semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y
cuando haya habido una señal de disparo en la
compuerta, de esta manera la corriente circulará
de arriba hacia abajo (pasará por el tiristor que
apunta hacia abajo), de igual manera:La parte
negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará
por el triac siempre y cuando haya habido una
señal de disparo en la compuerta, de esta manera
la corriente circulará de abajo hacia arriba
(pasará por el tiristor que apunta hacia arriba).
Para ambos semiciclos la señal de disparo se
obtiene de la misma patilla (la puerta o
compuerta).

12. Diac
 Descripción: El DIAC (Diodo para Corriente
Alterna) es un dispositivo semiconductor de
dos conexiones. Es un diodo bidireccional
disparable que conduce la corriente sólo tras
haberse superado su tensión de disparo, y
mientras la corriente circulante no sea
inferior al valor característico para ese
dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas
direcciones de la corriente. La mayoría de los
DIAC tienen una tensión de disparo de
alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lámpara de
neón. Los DIAC son una clase de tiristor, y se
usan normalmente para disparar los triac,
otra clase de tiristor.
 Características: Es un dispositivo
semiconductor de dos terminales, llamados
ánodo y cátodo. Actúa como un interruptor
bidireccional el cual se activa cuando el
voltaje entre sus terminales alcanza el
voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar
entre 20 y 36 volts según la referencia.

13. Amplificador Operacional 741
 Descripción: Se trata de un dispositivo electrónico
(normalmente se presenta como circuito
integrado) que tiene dos entradas y una salida. La
salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):(Vout =
G · (V(+) − V(−))) el más conocido y comúnmente
aplicado es el UA741 o LM741.
 Características:Aunque es usual presentar al A.O.
como una caja negra con características ideales es
importante entender la forma en que funciona, de
esta forma se podrá entender mejor las
limitaciones que presenta. Los diseños varían
entre cada fabricante y cada producto, pero todos
los A.O. tienen básicamente la misma estructura
interna, que consiste en tres etapas: Amplificador
diferencial: es la etapa de entrada que
proporciona una baja amplificación del ruido y
gran impedancia de entrada. Suelen tener una
salida diferencial. Amplificador de tensión:
proporciona una ganancia de tensión.
Amplificador de salida: proporciona la capacidad
de suministrar la corriente necesaria, tiene una
baja impedancia de salida y, usualmente,
protección frente a cortocircuitos.