Este documento proporciona respuestas a preguntas sobre transistores de potencia como BJT, MOSFET, SIT e IGBT. Explica conceptos clave como las regiones de operación, características de entrada y salida, tiempo de encendido y apagado, y ventajas y desventajas de cada dispositivo. También compara cómo se comportan los diferentes transistores durante la saturación y el apagado.

1. SOLUCIONARIO DE PREGUNTAS DE TRANSISTORES DE POTENCIA
Preguntas de repaso:
4.1. ¿Qué es un transistor bipolar BJT?
Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre
sus principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de
conmutación.
4.2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?
NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p.
PNP; que cuenta con dos regiones p y una región n.
4.3. ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
Es básicamente en su estructura interna, sea de mayor región n o p además
en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la
corriente por esta misma.
4.4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores
NPN?
La configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutación, por ende las características de entrada en un
NPN es la relación que se tiene entre la corriente base (IB) y el
comportamiento de la tensión VBE este ultimo en función de IB.
4.5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores
NPN?
Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en función del voltaje
colector – emisor VCE.
4.6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?
Se tienen tres regiones y estas son:
 De corte.
 Activa.
 De saturación.
4.7. ¿Qué es el beta (B) de los BJT?
Es la relación de la corriente de colector (IC) y la corriente de base, se llama
ganancia de corriente en sentido directo.
4.8. ¿Cuál es la diferencia entre B, y la beta forzada (BF) de los BJT?

2. El BF, es la relación de ICS (corriente de colector en la saturación) y la IB, lo
cual esta relación es cuando se analiza en el punto de saturación.
4.9. ¿Qué es la transconductancia de los BJT?
La transconductancia (gm), viene a ser la relación de IC con VBE, lo cual es
una constante para una representación o modelo de un BJT con generador
de corriente.
4.10. ¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT?
También llamado factor de sobresaturación (ODF), es la relación entre IB e
IBS (corriente base en la región de saturación).
4.11. ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT?
Estos modelos se pueden representar de dos formas:
1. Modelo con ganancia de corriente.
2. Modelo con transconductancia.
4.12. ¿Cuál es la causa del tiempo de retardo en los BJT?
Aumento de la corriente del colector hasta el valor de ICS de estado
permanente
4.13. ¿Cuál es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT?
Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de base
también cambia a –Ib2, la corriente d colector no cambia durante un tiempo
ts es el tiempo de almacenamiento
4.14. ¿Cuál es la causa del tiempo de subida en los BJT?
El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la
capacitancia de la unión, que en el caso normal, la corriente de base es
mayor que la necesaria para saturar al transistor
4.15. ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT?
Durante el tiempo de caída, el perfil de carga baja desde el perfil c hasta
que se remueven todas las cargas.
4.16. ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT?
Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente
de base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector.
El la saturación, la corriente de colector permanece casi constante

3. 4.17. ¿Qué es el tiempo de encendido de los BJT?
El tiempo de encendido o tiempo de activación, tenc, es la suma del tiempo
de retardo con el tiempo de subida tr.
Tenc=td+tr
4.18. ¿Qué es el tiempo de apagado de los BJT?
El tiempo de apagado o tiempo de desactivación, toff, es la suma de
almacenamiento ts y el tiempo de caída tf.
Tapag=ts+tf
4.19. ¿Qué es una FBSOA de los BJT?
Durante las condiciones de activación y de estado activo, la temperatura
promedio de la unión y la segunda avalancha limitan la capacidad de
manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las
curvas FBSOA bajo las condiciones especificadas de prueba
4.20. ¿Qué es una RBSOA de los BJT?
Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran
corriente y un alto voltaje, en la parte de los casos con polarización inversa
de base a emisor. El voltaje de colector a emisor debe mantenerse en un
nivel seguro, a un valor especificado de corriente de colector, o menos
4.21. ¿Por qué es necesario invertir la polarización de los BJT
durante su apagado?
Es necesario la polarización para saturar al transistor, y asi no dañar al
dispositivo durante el apagado porque se invierten las corrientes del
colector y el emisor.
4.22. ¿Qué es la segunda avalancha de los BJT?
E un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequeña
porción de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energía
de esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado excesivo
puede dañar al transistor. Asi, la segunda avalancha se deba a la avalancha
térmica localizado debido a altas concentraciones de corrientes.
4.23¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los BJT?
Desventajas:
· Segunda Avalancha
· Perdida de disipación de potencia
· Controlado por Corriente
Ventajas:
· Area de Operación segura en polariacion directa e indirecta

4. 4.24¿Qué es un MOSFET?
Los mosfet, son semiconductores de silicio, creados por capas
dopados, consta basicamente de tres terminales ensu aspecto fisico,
denominados, drenador (drain), suministrador (source), y gate
(compuerta), estos elementos, soportan mayor corriente que los
antecesores BJT, incluso, tienen una respuesta muy rapida ante el
corte y saturacion, por lo que es muy empleado para electronica de
potencia.
Dispositivo controlado por voltaje que solo requiere una
pequeña corriente de entrada.
4.25¿Cuáles son los tipos de MOSFET?
1. MOSFET decrementales
2. MOSFET incrementales
4.26¿Cuáles son las diferencias entre los MOSFET tipo de
incremental y los de tipo decremental?
El decremental cuenta con canal, y el incremental no cuenta con
canal físico.
Un Decremental permanece activo con cero voltaje de compuerta
mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado con
voltaje cero.
4.27¿Qué es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET?
El valor de Vgs cuando es suficientemente negativo, el canal se
decrementa hasta desaparecer.
4.28¿Qué es el voltaje umbral de los MOSFET?
Es el voltaje de entrada Vt para que se acumule una cantidad
suficiente de electrones para formar un canal virtual.
4.29¿Qué es la transconductancia de los MOSFET?
Es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta,
define a las características de transferencia, y es un parámetro muy
importante.
4.30¿Cuál es el modelo de conmutación de los MOSFET de canal n?
Modelo de Conmutacion

5. 4.31¿Cuáles son las características de transferencia de los
MOSFET?
DS constante
ID
m
GS V
g
= D
D
V =
4.32¿Cuáles son las características de salida de los MOSFET?
El tiempo de retardo de apagado y el Tiempo de caida
4.33¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los MOSFET?
Ventajas:
· Controlados por voltaje.
· Velocidad de Conmutacion muy alta.
· Tiempos de comnutacion en el orden de nanosegundos.
Desventajas:
· Perdidas en la zona activa
· Problemas de descarga electrostatica
4.34. ¿Por qué los MOSFET no requieren voltaje negativo de
compuerta durante su apagado?
Por que para activar el MOSFET solo requiere que el voltaje de
compuerta VGS sea mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral
o voltaje de entrada, VT , así se acumula una cantidad suficiente de
electrones parar formar un canal virtual.
Y para apagar el MOSFET solo se requerirá que VGS sea menor que
el voltaje umbral VT.
4.35. ¿Por qué es distinto el concepto de saturación en los BJT y en
los MOSFET?
Por que para un BJT en la región de saturación, la corriente de base
es suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea
bajo.

6. En tanto que para un MOSFET la región de estrechamiento o
saturación es donde VDS=VGS – VT.
4.36. ¿Cuál es el tiempo de encendido de los MOSFET?
Es el retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la
capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral.
4.37. ¿Cuál es el tiempo de apagado de los MOSFET?
Es el tiempo de retardo de apagado td(apag) es el tiempo necesario para
que la capacitancia de entrada descargue desde el voltaje de
sobresaturación V1 hasta la región de estrechamiento.
4.38. ¿Qué es un SIT?
Es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. Desde la
invención de los dispositivos estáticos de inducción. En esencia, es la
versión del tubo tríodo al vacio, pero en estado solido .es un
dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. Así no esta
sujeto a limitaciones de área, y es adecuado para funcionamiento de
alta velocidad con alta potencia.
4.39. ¿Cuáles son las ventajas de los SIT?
Presentan una alta capacidad de voltaje, tienen bajo ruido, baja
distorsión y capacidad de alta potencia en audio frecuencia. Los
tiempos de encendido y apagado son muy pequeños, en forma típica
de 0.25 μs.
4.40. ¿Cuáles son las desventajas de los SIT?
Posee una menor capacidad de corriente, tiene una alta caída en
estado activo, encendido, es alta, en el caso normal de 90 V para un
dispositivo de 180 A, y de 18 V para uno de 18 A
4.41. ¿Qué es un IGBT?
Es un dispositivo en el cual se combinan las ventajas de los BJT y de
los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los

7. MOSFET, y pocas perdidas por conducción en estado activo, como los
BJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los
BJT. Por el diseño y la estructura del microcircuito, se controla la
resistencia equivalente de drenaje a fuente, RDS, para que se comporte
como la de un BJT.
4.42. ¿Cuáles son las características de transferencia de los IGBT?
Características típicas de transferencia de un IGBT.
4.43. ¿Cuáles son las características de salida de los IGBT?
Características típicas desalida de un IGBT.
4.44. ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los IGBT?
Ventajas: bajo voltaje en estado de encendido, poca potencia en la
compuerta, presenta alta impedancia de entrada, no tiene problemas
de segunda avalancha.
Desventajas: menor capacidad de voltaje en estado apagado,
dispositivo de voltaje unipolar, mayor caída de voltaje en estado
encendido, menor velocidad de conmutación comparado a los MOSFET.

8. SOLUCIONARIO DE LOS PROBLEMAS
4.4. La temperatura máxima de unión del transistor bipolar en el problema
4.3 es Tj= 150 °C, y la temperatura ambiente es TA= 25 °C. Si las
resistencias térmicas son RJC=0.4 °C/W y RCS= 0.05 °C/W, calcule la
resistencia térmica del radiador RSA. (Sugerencia: no tome en cuenta la
disipación de potencia debido al circuito de la base)
Solución:
Datos: Tj= 150 °C, TA= 25 °C, RJC=0.4 °C/W y RCS= 0.05 °C/W.
Del problema 4.3 se tiene que para un ciclo completo PT = 482.258 W, pero
el ciclo de trabajo del transistor es de k= 50%, así que en ese periodo PT
= (0.5) 482.258 W = 241.27 W.
Asi: TJ – TA = PT (RJC + RCS + RSA)
150 – 25 = 241.27 (0.4 + 0.05 + RSA)
RSA = 0.0681 °C/W.
4.5. Para los parámetros del problema 4.3, calcule la disipación de potencia
debido a la corriente de la base PB.
Solución:
Datos: VBE(sat) =3V, IB=8 A, td =0.5 μs, tr = 1 μs, ts= 5 μs, tf =3 μs y fs = 10
kHz. El ciclo de trabajo es k=50%.
T= 1/ fs = 100 μs, k = 0.5, kT= 50 μs, tenc = td + tr = 1.5 μs, tn = 50 – 1.5 =
48.5 μs
PB = IB VBE(sat) (tenc + tn + ts + tf) fs
PB = 8 x 3 (1.5 + 48.5 + 5 + 3) 10-6 x 10 x 103
PB = 13.92 W
4.6. Repita el problema 4.3, si VBE(SAT) = 2.3 V, IB = 8 A, VC£(sat) = 1.4 V, td=
0.1us tr=0.45 us, ts=3.2us y tf=1.1 us
Solución:

9. T= 1/ fs = 100 μs, k = 0.5, kT= 50 μs, tenc = td + tr = 1.5 μs, tn = 50 – 1.5
= 48.5 μs
PB = IB VBE(sat) (tenc + tn + ts + tf) fs
PB = 8 x 3 (1.5 + 48.5 + 5 + 3) 10-6 x 10 x 103
PB = 13.92 W
4.7. Un MOSFET se usa como interruptor. La corriente de fuga del drenaje a
la fuente es 250uA El ciclo de trabajo es k=60%. Calcule la disipación de
potencia debido a la corriente de drenaje a) durante el encendido, b)
durante el periodo de conducción c) durante el apagado, d)las
disipaciones totales promedio
Sus parámetros son:

10. V V
I A
R m
V V
td ns
tr ns
t ns
fs kHz
=
40
DD
=
35
D
= 20
W
DS
=
10
GS
=
25
=
70
=
25
f
=
20
SOLUCION:
TJ=150⁰C=423K
TA=30⁰C=303K
RJC=1K/W
RCS=1K/W
RSA=?
Como las resistencias RJC=RCS por lo tanto
Tc=
PT=
4.8. La temperatura máxima de unión del MOSFET en el problema 4.7 es
Tj=1500C y la temperatura ambiente es TA=300C. Si las resistencias
térmicas son RJC=1K/W y RCS=1K/W, calcule la resistencia térmica del
disipador RSA=. (nota: K=ªC+273).
Solución:
TJ=150⁰C=423K
TA=30⁰C=303K
RJC=1K/W
RCS=1K/W

11. RSA=?
Como las resistencias RJC=RCS por lo tanto
Tc=
PT=
4.9. Se conectan en paralelo dos BJT en forma parecida a la figura 4.32. La
corriente total de carga de IT=200ª. El voltaje del colector a emisor del
transistor Q1 es VCE1=1.5V, y la del transistor Q2 es VCE2=1.1V. Calcule la
corriente en el colector de cada transistor, y la diferencia de partición de
corriente, si las resistencias de corriente compartida son a)Re1=10mΩ y
Re2=20mΩ, y b) Re1= Re2=20mΩ.
SOLUCION:
DATOS
IT=200A
VCE1=1.5V
VCE2=1.1V
IC1, IC2=?
A) Si Re1=10mΩ, Re2=20mΩ
VCE1+IC1*RE1=VCE2+IC2Re2……………..

12. 1.5+0.01Ic1=1.1+0,02Ic2
0.01Ic1-0.02Ic2=-0.4……………… (1)
De dato tenemos:
Ic1+Ic2=200………………………………… (2)
Resolviendo 1 y 2 tenemos las corrientes
Ic1=120A
Ic2=80A
POR LO TANTO LA DIFERENCIA ES:
Dif=Ic1-Ic2=120-80=40A
Que 40A es el 20% de 200A
B) Si Re1= Re2=20mΩ
Reemplazamos valores en
1.5+0.02Ic1=1.1+0.02Ic2
0.02 (Ic1-Ic2) =-0.4……………(3)
Ic1-Ic2=-20
De igual de dato
Ic1+Ic2=200……….. (4)
Resolviendo 3 y 4 tenemos las corrientes
Ic1=90A
Ic2=110A
POR LO TANTO LA DIFERENCIA ES:
Dif=Ic1-Ic2=90-110=-20A
Que 20A es el 10% de 200A
4.10. Un transistor bipolar funciona como interruptor pulsado a una
frecuencia fs = 20 kHz. El arreglo de circuito se ve en la figura 4.35a. El
voltaje de entrada de cd al interruptor es VS = 400v; y la corriente de la
carga es IL = 100 A. los tiempos de conmutación son tr = 1us y tf = 3 us.
Calcule los valores de a) LS; b) CS; c) RS para la condición de
amortiguamiento critico, d) RS si el tiempo de descarga se limita a un
tercio del periodo de conmutación; e) RS si la corriente pico de descarga

13. se limita al 5% de la corriente de la carga y f) la disipación de potencia
PS debida al amortiguador RC, sin tener en cuenta el efecto del inductor
LS sobre el voltaje del capacitor amortiguador CS. Suponga que VCE(sat)
=0.
Solución:
Datos:
fs = 20 kHz; Vs = 400 v; IL = 100 A; tr = 1us; tf = 3us; VCE(sat) = 0
En condición de amortiguamiento critico:
a) LS:
b) CS:
c) RS:
d) RS; con tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de
conmutación:
e) RS; con corriente pico de descarga se limita al 5% de la corriente de
carga:
f) PS:
4.11. Un MOSFET funciona como interruptor pulsado a una frecuencia fs =
50 kHz. El arreglo del circuito se ve en la figura 4.35a. El voltaje de
entrada de cd al interruptor es VS = 30v; y la corriente de la carga es IL
= 40 A. los tiempos de conmutación son tr = 60 ns y tf = 25 ns.
Determine los valores de a) LS; b) CS; c) RS para la condición de

14. amortiguamiento critico, d) RS si el tiempo de descarga se limita a un
tercio del periodo de conmutación; e) RS si la corriente pico de descarga
se limita al 5% de la corriente de la carga y f) la disipación de potencia
PS debida al amortiguador RC, sin tener en cuenta el efecto del inductor
LS sobre el voltaje del capacitor amortiguador CS. Suponga que VCE(sat)
=0.
Solución:
Datos:
fs = 50 kHz; Vs = 30 v; IL = 40 A; tr = 60 ns; tf = 25 ns; VCE(sat) = 0
a) LS:
b) CS:
c) RS:
d) RS; con tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de
conmutación:
e) RS; con corriente pico de descarga se limita al 5% de la corriente de
carga:
f) PS: