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Laboratorio 1
Análisis de datos de fabricante, uso de osciloscopio y generador de señales.
Una parte esencial de cualquier diseño es el saber recurrir a las fuentes de información de que
disponemos y luego saber obtener e interpretar los datos que necesitamos para resolver nuestro
problema en forma eficaz.
La descripción técnica de un dispositivo la proporcionan los fabricantes en sus hojas de datos (data
sheet). Las formas de especificaciones y de descripción siguen las normas JEDEC (Joint Electrón
Device Engineering Council).
Una forma típica de presentar los datos se resume a continuación:
1. Descripción general
a. Tipo de transistor (PNP o NPN, Si o Ge)
b. Aplicaciones principales (amplificador o conmutador, de potencia, alta frecuencia,
etc.)
c. Características generales como dimensiones, tipo de sellado, disposición del
colector, base y emisor para conexión, etc.
2. Capacidades máximas absolutas. Especificaciones que nunca deben exceder: BVCBO,
BVEBO, IC
BVCBO: voltaje de ruptura de colector a base; es el valor del voltaje inverso entre C y B,
con E abierto en el cual existe un incremento notable de flujo de corriente entre C y B.
Se conoce como la ruptura de avalancha de los portadores minoritarios de carga, por lo
que se especifica a cierto valor de corrientes inversa de fuga.
BVEBO: es el voltaje máximo que se puede aplicar entre E y B con C abierto, cuando se
polarizan E y B en forma inversa, a cierto valor de corriente inversa de fuga.
3. Disipación de potencia. Potencia máxima que se puede disipar en el colector (unión-
colector-base) a la temperatura ambiente (25ºC). Si ésta es mayor que 25ºC, la
potencia nominal se multiplica por un factor de reducción (de-rating factor). Por ejemplo
si PC = 325 mW, el factor de reducción es de 2mW por ºC de incremento sobre 25ºC, a
una temperatura de 150ºC la disipación de potencia disminuye a 0 mW, de donde
150ºC será la temperatura máxima de operación de ese dispositivo.
4. Característica de baja frecuencia (señal pequeña). Se especifican a 1000Hz y 25ºC.
Estos son los parámetros híbridos hfe, hie, hre y hoe. En ciertos transistores se
proporcionan curvas de estos parámetros vs. Corriente del colector, para cierto VCEQ.
También se agregan curvas de corrección hfe vs ie, usando como parámetro la
temperatura ( para T=25ºC, T=-55ºC y T=125ºC) denominada “ganancia de corriente
normalizada”
5. Características de alta frecuencia. Se define la frecuencia de corte en configuración de
base común fa o fhfb como la frecuencia a la cual hfb disminuye 0.707 el valor de 1000 Hz
fa ≅ hfefβ, de donde fβ es el valor de la frecuencia en la que la ganancia de corriente en
configuración de emisor común disminuye 0.707 del valor a 1000 Hz.
6. Características de corte y saturación. Se especifica la corriente de corte del colector
ICO, la cual varía con la temperatura. En cuanto a saturación, se especifica la
resistencia de saturación la que es igual al voltaje VCE dividido po la corriente del
colector, cuando se polarizan hacia delante ambas uniones.
7. Características de conmutación. Se especifican los tiempos de respuesta del
dispositivo a un pulso de entrada.
a. Tr: intervalo de tiempo de elevación requerido para que el voltaje en la salida pase
del 10% al 90% del valor final
b. Td: intervalo de retraso en tiempo desde que se aplica el pulso positivo en la
entrada hasta que alcanza el 10% del valor final
c. Tg: intervalo de tiempo que transcurre después de eliminar el pulso de entrada
para que la señal de salida pase del valor máximo al 90% de ese valor
d. Tf: intervalo de tiempo requerido para que la salida pase del 90% al 10% del valor
máximo (o de saturación)
Objetivo
Ing. Rubén Espinoza O. 4
Laboratorio de Electrónica Analógica I ELC-228
- Aprender a usar los manuales que proporcionan los fabricantes para obtener información y
datos de los dispositivos, interpretar correctamente esta información.
- Familiarizar al estudiante con el uso del osciloscopio y el generador de señales del
laboratorio de Analógica 1
Procedimiento.
1. Utilizando los manuales de datos de diferentes fabricantes, o el NTE, obtenga las
características típicas de los elementos siguientes:
a. 2N2221A :
b. 2N3906 :
c. 1N4004 :
d. 2N4870 :
2. Para especificar un diodo rectificador que significa:
a. Ip :
b. Ipico :
c. Isurge :
3. En un diodo zener:
a. ¿Qué significa IZT, VZT, RZT, RZK
b. ¿Qué tolerancia existen y que significa?
4. Realice un dibujo de la parte frontal del osciloscopio, en este dibujo especifique la función
de cada uno de los botones que están en su dibujo, en caso de desconocer algún botón no
lo incluya en su dibujo. Indique el valor pico a pico y el periodo de la señal que se ve en el
osciloscopio
5. Realice un dibujo del generador de señales, en este dibujo especifique la función de cada
uno de los selectores que están en su dibujo, en caso de desconocer la función del
selector, no lo incluya en su dibujo.
Visto de frente Visto de atrás
Ing. Rubén Espinoza O. 5
Laboratorio de Electrónica Analógica I ELC-228
6. Utilizando el generador de señales y el osciloscopio obtenga las señales más próximas a
las especificadas en la primera columna de la siguiente tabla, en esta misma tabla escriba
los valores reales obtenidos, y en la última columna realice un dibujo de la señal obtenida.
Valor a obtener Valor obtenido Gráfico
Voltaje pico a pico:
1 V
Frecuencia:
3500 Hz
Señal senoidal
Voltaje pico a pico:
2.8 V
Frecuencia:
32000 Hz
Señal cuadrada
Voltaje pico a pico:
0.31 V
Frecuencia:
18000 Hz
Señal cuadrada
Voltaje pico a pico:
0.007 V
Frecuencia:
150000 Hz
Señal senoidal
7. Realice un diagrama de bode del generador de señales, utilizando un mínimo de 10
frecuencias, para esto primero complete la tabla, fije el voltaje del generador a un valor que
sea cómodo y luego varíe la frecuencia según indica la tabla, posteriormente realice el
dibujo.
Frecuencia 100 1000 5000 10000 20000 40000 70000 100000 500000 1G
Voltaje pp
Conclusiones:
……………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………
El informe es individual y debe ser presentado cuando realice el siguiente laboratorio, siendo
impostergable su presentación. Debe ser presentado según lo especifica la guía. Cualquier copia
total o parcial del informe, esta sujeta a la anulación inmediata de todas las copias
encontradas.
Ing. Rubén Espinoza O. 6
Laboratorio de Electrónica Analógica I ELC-228

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  • 1. Laboratorio 1 Análisis de datos de fabricante, uso de osciloscopio y generador de señales. Una parte esencial de cualquier diseño es el saber recurrir a las fuentes de información de que disponemos y luego saber obtener e interpretar los datos que necesitamos para resolver nuestro problema en forma eficaz. La descripción técnica de un dispositivo la proporcionan los fabricantes en sus hojas de datos (data sheet). Las formas de especificaciones y de descripción siguen las normas JEDEC (Joint Electrón Device Engineering Council). Una forma típica de presentar los datos se resume a continuación: 1. Descripción general a. Tipo de transistor (PNP o NPN, Si o Ge) b. Aplicaciones principales (amplificador o conmutador, de potencia, alta frecuencia, etc.) c. Características generales como dimensiones, tipo de sellado, disposición del colector, base y emisor para conexión, etc. 2. Capacidades máximas absolutas. Especificaciones que nunca deben exceder: BVCBO, BVEBO, IC BVCBO: voltaje de ruptura de colector a base; es el valor del voltaje inverso entre C y B, con E abierto en el cual existe un incremento notable de flujo de corriente entre C y B. Se conoce como la ruptura de avalancha de los portadores minoritarios de carga, por lo que se especifica a cierto valor de corrientes inversa de fuga. BVEBO: es el voltaje máximo que se puede aplicar entre E y B con C abierto, cuando se polarizan E y B en forma inversa, a cierto valor de corriente inversa de fuga. 3. Disipación de potencia. Potencia máxima que se puede disipar en el colector (unión- colector-base) a la temperatura ambiente (25ºC). Si ésta es mayor que 25ºC, la potencia nominal se multiplica por un factor de reducción (de-rating factor). Por ejemplo si PC = 325 mW, el factor de reducción es de 2mW por ºC de incremento sobre 25ºC, a una temperatura de 150ºC la disipación de potencia disminuye a 0 mW, de donde 150ºC será la temperatura máxima de operación de ese dispositivo. 4. Característica de baja frecuencia (señal pequeña). Se especifican a 1000Hz y 25ºC. Estos son los parámetros híbridos hfe, hie, hre y hoe. En ciertos transistores se proporcionan curvas de estos parámetros vs. Corriente del colector, para cierto VCEQ. También se agregan curvas de corrección hfe vs ie, usando como parámetro la temperatura ( para T=25ºC, T=-55ºC y T=125ºC) denominada “ganancia de corriente normalizada” 5. Características de alta frecuencia. Se define la frecuencia de corte en configuración de base común fa o fhfb como la frecuencia a la cual hfb disminuye 0.707 el valor de 1000 Hz fa ≅ hfefβ, de donde fβ es el valor de la frecuencia en la que la ganancia de corriente en configuración de emisor común disminuye 0.707 del valor a 1000 Hz. 6. Características de corte y saturación. Se especifica la corriente de corte del colector ICO, la cual varía con la temperatura. En cuanto a saturación, se especifica la resistencia de saturación la que es igual al voltaje VCE dividido po la corriente del colector, cuando se polarizan hacia delante ambas uniones. 7. Características de conmutación. Se especifican los tiempos de respuesta del dispositivo a un pulso de entrada. a. Tr: intervalo de tiempo de elevación requerido para que el voltaje en la salida pase del 10% al 90% del valor final b. Td: intervalo de retraso en tiempo desde que se aplica el pulso positivo en la entrada hasta que alcanza el 10% del valor final c. Tg: intervalo de tiempo que transcurre después de eliminar el pulso de entrada para que la señal de salida pase del valor máximo al 90% de ese valor d. Tf: intervalo de tiempo requerido para que la salida pase del 90% al 10% del valor máximo (o de saturación) Objetivo Ing. Rubén Espinoza O. 4 Laboratorio de Electrónica Analógica I ELC-228
  • 2. - Aprender a usar los manuales que proporcionan los fabricantes para obtener información y datos de los dispositivos, interpretar correctamente esta información. - Familiarizar al estudiante con el uso del osciloscopio y el generador de señales del laboratorio de Analógica 1 Procedimiento. 1. Utilizando los manuales de datos de diferentes fabricantes, o el NTE, obtenga las características típicas de los elementos siguientes: a. 2N2221A : b. 2N3906 : c. 1N4004 : d. 2N4870 : 2. Para especificar un diodo rectificador que significa: a. Ip : b. Ipico : c. Isurge : 3. En un diodo zener: a. ¿Qué significa IZT, VZT, RZT, RZK b. ¿Qué tolerancia existen y que significa? 4. Realice un dibujo de la parte frontal del osciloscopio, en este dibujo especifique la función de cada uno de los botones que están en su dibujo, en caso de desconocer algún botón no lo incluya en su dibujo. Indique el valor pico a pico y el periodo de la señal que se ve en el osciloscopio 5. Realice un dibujo del generador de señales, en este dibujo especifique la función de cada uno de los selectores que están en su dibujo, en caso de desconocer la función del selector, no lo incluya en su dibujo. Visto de frente Visto de atrás Ing. Rubén Espinoza O. 5 Laboratorio de Electrónica Analógica I ELC-228
  • 3. 6. Utilizando el generador de señales y el osciloscopio obtenga las señales más próximas a las especificadas en la primera columna de la siguiente tabla, en esta misma tabla escriba los valores reales obtenidos, y en la última columna realice un dibujo de la señal obtenida. Valor a obtener Valor obtenido Gráfico Voltaje pico a pico: 1 V Frecuencia: 3500 Hz Señal senoidal Voltaje pico a pico: 2.8 V Frecuencia: 32000 Hz Señal cuadrada Voltaje pico a pico: 0.31 V Frecuencia: 18000 Hz Señal cuadrada Voltaje pico a pico: 0.007 V Frecuencia: 150000 Hz Señal senoidal 7. Realice un diagrama de bode del generador de señales, utilizando un mínimo de 10 frecuencias, para esto primero complete la tabla, fije el voltaje del generador a un valor que sea cómodo y luego varíe la frecuencia según indica la tabla, posteriormente realice el dibujo. Frecuencia 100 1000 5000 10000 20000 40000 70000 100000 500000 1G Voltaje pp Conclusiones: …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… El informe es individual y debe ser presentado cuando realice el siguiente laboratorio, siendo impostergable su presentación. Debe ser presentado según lo especifica la guía. Cualquier copia total o parcial del informe, esta sujeta a la anulación inmediata de todas las copias encontradas. Ing. Rubén Espinoza O. 6 Laboratorio de Electrónica Analógica I ELC-228