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Instrucciones:
1. Elaborar una investigación en internet del simulador de electrónica PSPICE.
2. En base a la investigación realizada, deberás determinar los siguientes puntos:
a. Historia del producto
b. Nombre del fabricante
c. Nombre del producto
d. Versiones
e. Costo de cada versión
f. Módulos disponibles
Instrucciones:
1. Encuentra los elementos más usados a nivel comercial y enlístalos:
a. Haz una lista de 3 elementos conductores.
b. Haz una lista de 3 elementos aislantes.
c. Haz una lista de 3 elementos semiconductores.
2. Utilizando a) Is=10pA, b) Is=15pA, con n=2 para el Germanio y Tk en 40°C, calcula la
gráfica desde el punto negativo donde se presenta el codo hasta 3 volts, usando la
ecuación de Shockley. Varía el valor de VD e imprime la gráfica junto con su tabulación.
3. Obtén un programa de evaluación para simular circuitos (se sugiere el Multisim de National
Instruments), menciona el comando para insertar un dispositivo semiconductor y la forma
de mostrar un instrumento.
4. Instrucciones:
5. Analiza el siguiente circuito.
6.
7. Y calcular la potencia disipada por el diodo zener.
nstrucciones:
Utilizando la hoja de datos de dos dispositivos de diodos, uno rectificador y uno Zener, contesta las
siguientes preguntas:
 ¿Cuál es el valor de la Voltaje Inverso Máximo que puede soporta un 1N1201B?
 ¿Cuál es el valor de corriente máxima directa que soporta?
 ¿Cuál es el valor máximo de disipación del Diodo 1N4731A?
 ¿Cuál es su máximo valor de voltaje Zener?

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Instrucciones:
Para el circuito de la figura, si la señal de entrada es una onda Vin=25Sen2π1000t
1. Calcular el voltaje de corriente directa presente en el resistor RL.
2. Dibujar la forma de onda de salida del voltaje en el resistor RL.
3. Instrucciones:
4. Utilizando el análisis descrito en clase y en el libro de texto (Boylestad), realiza lo siguiente:
5. 1.- Dibuja Vo para los siguientes circuitos, con una entrada senoidal de 10 volts pico a pico:
6.
7. Donde R=2,2 kilo ohms, Vc= 3 volts, Diodo de Silicio (Si)
8. 2.- Calcula la resistencia limitadora de corriente R para el siguiente circuito con Diodos
Zener con VL regulado de 12 volts y el voltaje de entrada a 16 volts, si deseamos que la
corriente se encuentre entre los 0 y los 200 mA, y uno a RL=2.2 Kilo ohms.
9.
Instrucciones:

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1. Investiga y menciona al menos 3 dispositivos que pueden producir la modulación de ancho
de pulso.
2. Investiga y menciona al menos 4 formas de dar voltaje de entrada a la fuente de
conmutación.
3. Responde:
¿Por qué es necesaria la conmutación en el transformador de conmutación?
Instrucciones:
1. Revisa la explicación del tema e investiga en fuentes confiables de Internet los tipos de
transistores que existen.
2. Explica los tipos de transistores que existen actualmente en el mercado y algunas de sus
aplicaciones:
a. Darlington
b. Cascode
Instrucciones:
Imagina que te piden lo siguiente con cierta premura y además te dicen que no puedo usar el
Internet por “exceso” de pago.
1. Identifica las características de un transistor, el 2N2222 del tipo NPN, que es un transistor
muy popular en aplicaciones de audio.
2. Busca el transistor complementario, esto es, el equivalente del 2N2222 pero en PNP, y
junto con esto busca sus características.
¿Por qué razón pudiera requerirse en una aplicación el uso de dos transistores complementarios?
¿Entonces, el Internet aporta algún tipo de ventaja en la búsqueda de estas características del
transistor?
nstrucciones:
Para el circuito de la figura, si consideramos el análisis en CD (corriente directa):
Donde Vcc=12v, RB=260kΩ, RC=2.4kΩ, β=50
Calcula lo siguiente:
a. El voltaje del colector
b. El voltaje del emisor
c. El voltaje de la base

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d. La corriente de la base
e. La corriente del colector
f. La corriente del emisor
g. El voltaje B-E
h. El voltaje C-E
i. El voltaje BC
Instrucciones:
Investiga en fuentes bibliográficas y con los temas vistos, responde lo siguiente:
 En circuito de polarización estabilizada en emisor, ¿qué efecto produce el cambio en la
resistencia RB en la disipación de potencia del Transistor?
Instrucciones:
Realiza una investigación sobre los tipos de transistores de efecto de campo que existen, sus
características y sus propiedades.
Explica en qué consiste la variante de transistor de efecto de campo llamada IGBT.
Además deberás mencionar los siguientes puntos:
a. La descripción del dispositivo.
b. La descripción de su funcionamiento.
I. Diseña una fuente de voltaje, a nivel de planos y lista de partes, que contenga los
siguientes elementos y que cumpla con las siguientes especificaciones:
a. Debe de conectarse a la corriente alterna casera.
b. La fuente producirá un voltaje estable de 20 volts, con la mejor regulación y el más
bajo rizo posible, usando un regulador lineal.
c. Debe proporcionar al menos medio amperio de corriente.
d. Debe contar con algún tipo de protección para variaciones de voltaje de la línea de
alimentación.
e. El mueble o chasis de la fuente debe tener un diseño estético y funcional.
Este diseño debe de incluir las fórmulas y diagramas de los circuitos usados para
desarrollar dicha fuente, así como los cálculos y lista de partes reales que cumplen
con las especificaciones para dicho diseño y la justificación para su uso.
II. Diseña un Amplificador basado en Transistor NPN y la configuración de polarización de
divisor de tensión, usando el voltaje de la fuente diseñada en el punto anterior, con
ICQ=20mA, VCEQ= 10Volts utilizando el transistor 2N2222. Los valores de las resistencias
deben ser estándar y, si es necesario, volver a calcular para obtener el diseño final con los
datos reales.
Envia tu proyecto final en formato de desarrollo de proyecto.
Poner a prueba en un diseño real los conocimientos adquiridos
 Adquiriendo destreza en el uso de fórmulas y criterios de ingeniería para el diseño de
dispositivos electrónicos.
 Realizando diagramas de circuitos electrónicos básicos.

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 Realizando un reporte detallado en Word del proceso de diseño completo
 Experimentando con las dificultades de los diseños reales y el crear reportes técnicos
legibles, comprensibles y detallados.
I. Diseñe una fuente de voltaje, a nivel de planos y lista de partes, que contenga los
siguientes elementos y que cumpla con las siguientes especificaciones:
o Debe de conectarse a la corriente alterna casera.
o La fuente producirá un voltaje estable de 20 volts, con la mejore regulación y el
mas bajo rizo posibles, usando diodos Zener.
o Debe proporcional al menos medio amperio de corriente.
o Debe de contar con algún tipo de protección para variaciones de voltaje de la línea
de alimentación.
o El mueble o chasis de la fuente debe tener un diseño estético y funcional.
Este diseño debe de incluir las fórmulas y diagramas de los circuitos usados para
desarrollar dicha fuente, así como los cálculos y lista de partes reales que cumplen con las
especificaciones para dicho diseño, y la justificación para su uso.
II. Diseñe un Amplificador basado en Transistor NPN y la configuración de polarización de
divisor de tensión, usando el voltaje de la fuente diseñada en el punto anterior, con
ICQ=20mA, VCEQ= 10Volts utilizando el transistor 2N3501. Los valores de las resistencias
deben ser valores estándar y si es necesario re calcular obtener el diseño final con los
datos reales.